Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-Xiamen) se centra en las obleas EPI de diodo láser basadas en GAA e INP para la comunicación de fibra óptica, la aplicación industrial y el uso de uso especial en el uso de los reactores MOCVD para el crecimiento epitaxial del material semiconductor compundible.
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Oblea Epi para diodo láser
La oblea de epitaxia LD basada en GaAs, que puede generar emisión estimulada, se usa ampliamente para fabricar diodo láser ya que las propiedades superiores de la oblea epitaxial GaAs hacen que el dispositivo sea una baja energía ...