Servicios de fundición de GaN para la fabricación de LED

Servicios de fundición de GaN para la fabricación de LED

PAM-XIAMEN puede ofrecerobleas de epitaxia LEDy puede ofrecer servicios y suministros de fundición de GaN para LED. Los servicios de fundición de GaN incluyen servicio de crecimiento OEM, proceso COW y varios servicios de prueba. Específicamente de la siguiente manera:

obleas de GaN

1. Servicio OEM: estructura Epi de película delgada basada en AlGaN personalizada

Suministramos servicio personalizado de obleas epitaxiales DUV-LED de 2, 4 pulgadas. Y la longitud de onda de la oblea epitaxial de GaN de nuestra fundición de GaN es de 265nm a 280nm.

Además, está disponible un servicio personalizado de estructuras LED epitaxiales basadas en AlGaN de 2 y 4 pulgadas. Allí, la composición de Al de la capa epi de AlGaN es ajustable entre 0~100%

2. Servicios de fundición de chips GaN: proceso COW para dispositivos LED azules, UVA y UVC

Servicios de GaN: el proceso COW y el servicio OEM único en nuestra fundición para dispositivos LED azules, UVA y UVC incluyen fotolitografía, grabado con iones reactivos (para GaN, AlN y AlGaN), grabado con iones reactivos (SiO2, Si3N4), PECVD (SiO2, Si3N4 ), evaporación por haz de electrones (Au, Ni, Cr, Al, Ti), evaporación por haz de electrones (ITO), recocido rápido, CMP (adelgazamiento, esmerilado, pulido), etc.

2.1 Fotolitografía para GaN LED

Podemos realizar fotolitografía de precisión de 1 μm para obleas LED de GaN de 4 pulgadas o menos, que se pueden controlar con precisión de acuerdo con las necesidades del cliente.

Servicios de fundición de GaN - Equipos de fotolitografía

2.2 Grabado por plasma acoplado inductivamente (ICP) para LED Epi basado en GaN

Podemos realizar grabado de patrones para materiales de GaN, AlN y AlGaN.

2.3 Grabado de iones reactivos (RIE) para oblea de semiconductor de GaN

Para películas delgadas de SiO2 y SiNx, el grabado de patrones se realiza en obleas de GaN.

2.4 Deposición de vapor químico mejorada con plasma (PECVD) para epiwafers de GaN

Para obleas de 6 pulgadas o menos, la deposición química de vapor mejorada con plasma se realiza para formar una película de SiO2 o SiNx uniforme, densa y de espesor controlable en la superficie de la epitaxia de GaN.

2.5 Recubrimiento de evaporación por haz de electrones (E-Beam) en una oblea epitaxial de GaN

Al bombardear el objetivo con haces de electrones de un cañón de electrones, la evaporación de película delgada de ITO se lleva a cabo en la superficie de GaN, los materiales son Au, Ni, Cr, Al, Ti, etc.

Deposición de vapor de películas delgadas de metal como Ag y Pt.

2.6 Recocido rápido (RTA) de película delgada de GaN

Según los requisitos de su proceso, nuestro recocido rápido puede usar diferentes gases, como N2 y O2, para adaptarse a diferentes procesos, y establecer diferentes velocidades de calentamiento y enfriamiento, temperaturas de recocido y tiempos de recocido para alear y fusionar los electrodos metálicos para cumplir con los requisitos eléctricos de el producto.

3. Servicio de prueba de GaN

Suministramos servicios de prueba para obleas de GaN de la siguiente manera:

3.1 Prueba XRD de materiales de película delgada de semiconductores

Escaneo ω de diferentes planos de cristal de materiales de película delgada semiconductores de 2-4 pulgadas: la prueba de curva oscilante puede usar el principio de imagen de espacio invertido para realizar la medición de mapeo de espacio invertido, obtener la composición y el estrés de los materiales de aleación ternaria como AlGaN, y también tienen las funciones de medición del espesor de la película.

Servicios de fundición de GaN: equipos XRD

3.2 Prueba AFM para Epiwafers

La prueba AFM tiene dos modos: Tapping y Contact, que pueden detectar la topografía de la superficie de los materiales, equipados con un módulo C-AFM capaz de sondear canales de corriente en los materiales. Usando la función KPFM, se puede probar la función de trabajo de los materiales metálicos y el potencial superficial de los materiales semiconductores. Usando la función LFM, se puede probar la fuerza de fricción de los microdominios en la superficie de los materiales orgánicos. Usando MFM, se puede medir la distribución del dominio magnético de la muestra.

3.3 Generador de imágenes de barrido de espectro PL de obleas epitaxiales

El generador de imágenes de barrido de espectro PL de oblea epitaxial puede ser compatible con oblea epitaxial de menos de 6 pulgadas, el contenido de la prueba incluye: longitud de onda máxima (WLP) de oblea epitaxial LED azul, longitud de onda dominante (WLD), medio ancho espectral (HW), intensidad de luz integrada (INT) , intensidad pico (PI); espesor y reflectividad de la película epitaxial (PR); mostrar y generar el valor promedio de cada parámetro medido (Mean), error cuadrático medio (Std), tasa de desviación estándar (CV) y otros resultados estadísticos, y mostrar gráficamente la distribución de mapeo de cada parámetro; medir la deformación de las obleas epitaxiales.

3.4 Microscopio de fuerza con sonda Kelvin

El microscopio de fuerza atómica tiene la función de prueba KPFM, que puede probar la función de trabajo de los materiales metálicos y el potencial superficial de los materiales semiconductores.

Al mismo tiempo, se puede instalar un sistema de prueba asistido por luz para probar los cambios en el potencial superficial de los dispositivos semiconductores en condiciones de iluminación.

3.5 Prueba de efecto Hall de alta y baja temperatura

Proporcionamos medición Hall de alta temperatura de materiales de película delgada semiconductores, la temperatura de prueba es de 90-700 K, y la fuerza del campo magnético del imán es de 0,5 T, la resistencia máxima de la lámina medida es de 10^11 ohm/sq, la corriente de prueba mínima es 1 μA, el rango de CC es de 1 μA a 20 mA, y el modo CA también está disponible (las muestras de alta resistencia no se pueden medir en modo CA).

3.6 Espectro transitorio de nivel profundo

La espectroscopia transitoria de nivel profundo de alta temperatura y la prueba de espectroscopia transitoria de nivel profundo asistida por luz se proporcionan para detectar semiconductores Niveles de energía profundos y estados de interfaz del medio y trazas de impurezas y defectos. El espectro transitorio de nivel profundo puede proporcionarse para caracterizar la banda prohibida de semiconductores Los espectros DLTS de impurezas, niveles de defectos profundos y estados de interfaz dentro de la distribución con temperatura (es decir, energía).

3.7 Prueba de transporte cuántico

Proporcionamos pruebas de transporte cuántico de campo magnético fuerte y baja temperatura, pruebas de magnetorresistencia de línea y pruebas de Hall. Por lo general, las muestras primero miden la temperatura variable IV y luego miden la magnetorresistencia. El rango de medición magnetorresistivo es de 0,1 ohmios a 100 ohmios.

Para semiconductores III-V, la prueba de Hall de baja temperatura y fuerte campo magnético puede obtener la movilidad de la muestra y los cambios de concentración de electrones con la temperatura. Para muestras cuantitativas de efectos de subconfinamiento, como el gas de electrones bidimensionales, los campos magnéticos fuertes y de baja temperatura pueden conducir a la división de Zeeman, por lo que se observan efectos cuánticos como las oscilaciones SdH y las propiedades de transporte de diferentes subbandas (concentración de electrones de movilidad Gasto ) Puede ser obtenido.

3.8 Análisis de parámetros eléctricos de estructuras y materiales de película delgada de semiconductores

Proporciona análisis de parámetros eléctricos de materiales y estructuras de película delgada de semiconductores, indicadores de unidad de medición de fuente de CC: voltaje máximo 210 V, corriente máxima 100 mA, potencia máxima 2 W; indicadores de unidad de medición de pulso: frecuencia del generador de pulso del sistema: 50MHz-1Hz; ancho de pulso mínimo: 10ns; voltaje de pulso máximo: 80V, -40V-40V.

Espectrómetro Raman mejorado de 3,9 puntas

Proporciona pruebas Raman de microárea, posee el espectrómetro Raman mejorado con la punta (TERS) de Neaspec, con una resolución espacial de 10 nm y una mayor intensidad Raman.

Es más de 1000 veces más potente y puede medir la intensidad de campo cercano y la confianza de bits de tercer orden o más.

3.10 Prueba óptica

La plataforma de prueba óptica tiene láseres de 213, 266, 325, 532 y 633 nm y se puede utilizar para medir materiales con diferentes longitudes de onda de emisión. El espectrómetro adopta el equipo iHR550, la resolución alcanza los 0,33 nm y el rango de longitud de onda de recolección cubre las partes ultravioleta, visible e infrarroja

La prueba Opitcal puede medir materiales a granel y muestras de tamaño micrométrico. El dispositivo espectroscópico de plataforma no está integrado y puede combinar libremente componentes con diferentes funciones para cumplir con varios requisitos de prueba, como la medición de polarización óptica, espectroscopia de presión, baja temperatura y potencia variable. Proporcionar pruebas espectrales resueltas en el tiempo de estructuras y materiales de película delgada de semiconductores. Al registrar los cambios en el espectro a lo largo del tiempo, podemos comprender los eventos y procesos que ocurren en el proceso instantáneo, para obtener información que no se puede obtener en el espectro de estado estable (espectro integrado). La medición de la vida útil de la radiación portadora se utiliza para obtener información relevante, como la vida útil del estado excitado, la probabilidad de transición, la sección transversal de colisión, la velocidad de reacción y la transferencia de energía.

PowerwayOblea

Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico a[email protected] y [email protected].

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