GaN en el sustrato SAM
In recent years, ScAlMgO4 (short for SAM or SCAM) has attracted increasing interest as a substrate material for nitride semiconductors. Compared with traditional sapphire, silicon, and silicon carbide substrates, the lattice parameter of ScAlMgO4 is a=0.3246 nm, c = 2.5195nm, which makes the grown GaN thin film has a small lattice mismatch (1.4%) and a small difference in thermal expansion coefficient. In addition, SCAM materials are transparent at wavelengths as low as 196nm and have good chemical properties, which can resist corrosion and oxidation, enabling the preparation of durable and stable optoelectronic devices. PAM-XIAMEN provides customized epitaxial services for GaN on SAM substrate, please send your requirements to [email protected], le brindaremos soporte técnico profesional.
1. Estudio sobre el crecimiento de GaN/ScalmGo4 por MOCVD
Un equipo ha estudiado el método de cultivar directamente un solo ganado de cristal a altas temperaturas en sustratos SAM a través de la deposición de vapor químico orgánico metálico (MOCVD). Los investigadores han encontrado que el flujo previo con trimetilaluminio (TMAL) puede suprimir la isla como el crecimiento y lograr una capa uniforme de GaN Polar GaN. El tiempo previo al flujo tiene un impacto directo en la calidad del cristal de GaN. Los experimentos han demostrado que este método puede evitar defectos causados por capas de tampón de baja temperatura, mejorando así la calidad cristalina de las películas delgadas GaN. Además, el estudio también demostró que las capas delgadas de GaN cultivadas directamente a altas temperaturas pueden servir como capas de amortiguación para cultivar capas en redes coincidentes en 0.17GA0.83N en SAM, abriendo nuevas formas para la preparación de dispositivos Ingan.
2.Signecencia deGRAMOremoGaNenSam Ssustrato
El proceso innovador del uso de ScalmGo4 como sustrato de crecimiento epitaxial GaN ha demostrado ventajas significativas. La alta adaptabilidad de este sistema de material a la estructura cristalina de nitruro de galio alivia efectivamente los problemas comunes de la falta de coincidencia de la red y las diferencias de expansión térmica en la heteroepitaxia tradicional. En comparación con los sustratos de zafiro convencionales, puede reducir significativamente el estrés de la interfaz, obteniendo así películas epitaxiales GaN con menor densidad de defectos y una mejor calidad de cristal. Este avance no solo mejora la estabilidad de la operación del dispositivo, sino que también abre nuevas rutas para el diseño de dispositivos miniaturizado. Las propiedades físicas del sustrato ScalmGo4 en sí no solo conducen a lograr el diseño compacto de la estructura del dispositivo, sino que también crean condiciones básicas para el desarrollo de chips integrados multifuncionales debido a su excelente integridad de red.
Desde la perspectiva de las perspectivas de aplicaciones, el avance del rendimiento de los dispositivos de nitruro de galio preparados en función de este sustrato es particularmente sobresaliente en entornos de trabajo extremos: su alta resistencia a la temperatura puede cumplir con los estrictos requisitos de los sistemas de monitoreo de motores aeroespaciales, sus ventajas de respuesta de alta frecuencia se demuestran en los sistemas de la gran de comunicación y los sistemas de la red de comunicación de la red eléctrica de la nueva frecuencia. Más importante aún, el desarrollo exitoso de este sistema material ha proporcionado una nueva plataforma experimental para la investigación de semiconductores de banda ancha amplia, que acelerará el proceso de investigación científica en áreas clave como el diseño de la arquitectura de nuevos dispositivos, la tecnología de control de defectos e ingeniería de interfaz. Tiene importancia estratégica para promover la aplicación industrial de GaN.
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