Freestanding GaN substrate
PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación de oblea de sustrato GaN independiente (nitruro de galio), que es para UHB-LED y LD. Cultivado mediante tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE), nuestro sustrato de GaN tiene una baja densidad de defectos.
- Description
Descripción
Sustrato independiente de GaN
Como proveedor líder de sustratos de GaN, PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación independiente (nitruro de galio)Oblea de sustrato de GaNque es un sustrato GaN a granel para UHB-LED, LD y fabricación como dispositivos basados en MOS. Cultivado mediante tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE), nuestro sustrato de GaN para dispositivos de nitruro III tiene una baja densidad de defectos y una densidad de macrodefectos menor o libre. El espesor del sustrato de GaN es de 330~530μm.
Además de los dispositivos de potencia, los sustratos semiconductores de nitruro de galio se utilizan cada vez más en la fabricación de LED de luz blanca porque los sustratos de LED de GaN proporcionan características eléctricas mejoradas y su rendimiento supera a los dispositivos actuales. Además, el rápido desarrollo de la tecnología de sustratos de nitruro de galio ha llevado al desarrollo de sustratos independientes de GaN de alta eficiencia con baja densidad de defectos y densidad de macrodefectos libres. Por lo tanto, estos sustratos de GaN se pueden utilizar cada vez más para LED blancos. Como resultado, el mercado de sustratos de GaN a granel está creciendo rápidamente. Por cierto, la oblea de GaN a granel se puede utilizar para probar conceptos de dispositivos de potencia verticales.
1. Especificación del sustrato GaN independiente
Aquí se muestran las especificaciones detalladas:
1.1 Sustrato independiente de GaN （nitruro de galio) dopado con Si tipo N de 4 ″
| Artículo | PAM-FS-GaN100-N+ |
| Tipo de conducción | Tipo N/dopado con Si |
| Tamaño | 4″(100)+/-1mm |
| Espesor | 480+/-50 |
| Orientación | Eje C(0001)+/-0,5o |
| Ubicación del piso principal | (10-10)+/-0,5o |
| Longitud plana primaria | 32+/-1mm |
| Ubicación del piso secundario | (1-210)+/-3º |
| Longitud plana secundaria | 18+/-1mm |
| Resistividad (300K) | <0,05Ω·cm |
| Densidad de dislocación | <5x106cm-2 |
| FWHM | <=100arco.seg |
| televisión | <=30um |
| ARCO | <=+/-30um |
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra <= 0,3 nm. Pulido listo para epi |
| — | Superficie trasera: 1. Tierra fina |
| — | 2.Pulido. |
| Área utilizable | ≥ 90 % |
1.2 Sustrato independiente de GaN （nitruro de galio) poco dopado tipo N de 4 ″
| Artículo | PAM-FS-GaN100-N- |
| Tipo de conducción | tipo N |
| Tamaño | 4″(100)+/-1mm |
| Espesor | 480+/-50 |
| Orientación | Eje C(0001)+/-0,5o |
| Ubicación del piso principal | (10-10)+/-0,5o |
| Longitud plana primaria | 32+/-1mm |
| Ubicación del piso secundario | (1-210)+/-3º |
| Longitud plana secundaria | 18+/-1mm |
| Resistividad (300K) | <0,5Ω·cm |
| Densidad de dislocación | <5x106cm-2 |
| FWHM | <=100arco.seg |
| televisión | <=30um |
| ARCO | <=+/-30um |
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra <= 0,3 nm. Pulido listo para epi |
| — | Superficie trasera: 1. Tierra fina |
| — | 2.Pulido. |
| Área utilizable | ≥ 90 % |
1.3 Sustrato independiente semiaislante de GaN （nitruro de galio) de 4 ″
| Artículo | PAM-FS-GaN100-SI |
| Tipo de conducción | Semiaislante |
| Tamaño | 4″(100)+/-1mm |
| Espesor | 480+/-50 |
| Orientación | Eje C(0001)+/-0,5o |
| Ubicación del piso principal | (10-10)+/-0,5o |
| Longitud plana primaria | 32+/-1mm |
| Ubicación del piso secundario | (1-210)+/-3º |
| Longitud plana secundaria | 18+/-1mm |
| Resistividad (300K) | >10^6Ω·cm |
| Densidad de dislocación | <5x106cm-2 |
| FWHM | <=100arco.seg |
| televisión | <=30um |
| ARCO | <=+/-30um |
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra <= 0,3 nm. Pulido listo para epi |
| — | Superficie trasera: 1. Tierra fina |
| — | 2.Pulido. |
| Área utilizable | ≥ 90 % |
1.4 Sustrato independiente de GaN （nitruro de galio) dopado con Si de 2 ″
| Artículo | PAM-FS-GaN50-N+ | |||
| Tipo de conducción | Tipo N/dopado con Si | |||
| Tamaño | 2″(50,8)+/-1mm | |||
| Espesor | 400+/-50 | |||
| Orientación | Eje C(0001)+/-0,5o | |||
| Ubicación del piso principal | (10-10)+/-0,5o | |||
| Longitud plana primaria | 16+/-1mm | |||
| Ubicación del piso secundario | (1-210)+/-3º | |||
| Longitud plana secundaria | 8+/-1mm | |||
| Resistividad (300K) | <0,05Ω·cm | |||
| Densidad de dislocación | <5x106cm-2 | |||
| FWHM | <=100arco.seg | |||
| televisión | <=15um | |||
| ARCO | <=+/-20um | |||
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra <= 0,3 nm. Pulido listo para epi | |||
| Superficie trasera: 1. Tierra fina | ||||
| 2.Pulido. | ||||
| Área utilizable | ≥ 90 % | |||
Sustrato independiente de 1,5 2 ″ de GaN (nitruro de galio) con bajo dopado
| Artículo | PAM-FS-GaN50-N- | ||||
| Tipo de conducción | tipo N | ||||
| Tamaño | 2″(50,8)+/-1mm | ||||
| Espesor | 400+/-50 | ||||
| Orientación | Eje C(0001)+/-0,5o | ||||
| Ubicación del piso principal | (10-10)+/-0,5o | ||||
| Longitud plana primaria | 16+/-1mm | ||||
| Ubicación del piso secundario | (1-210)+/-3º | ||||
| Longitud plana secundaria | 8+/-1mm | ||||
| Resistividad (300K) | <0,5Ω·cm | ||||
| Densidad de dislocación | <5x106cm-2 | ||||
| FWHM | <=100arco.seg | ||||
| televisión | <=15um | ||||
| ARCO | <=+/-20um | ||||
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra <= 0,3 nm. Pulido listo para epi | ||||
| Superficie trasera: 1. Tierra fina | |||||
| 2.Pulido. | |||||
| Área utilizable | ≥ 90 % | ||||
1.6 Sustrato independiente semiaislante de GaN （nitruro de galio) de 2 ″
| Artículo | PAM-FS-GaN50-SI | ||||
| Tipo de conducción | Semiaislante | ||||
| Tamaño | 2″(50,8)+/-1mm | ||||
| Espesor | 400+/-50 | ||||
| Orientación | Eje C(0001)+/-0,5o | ||||
| Ubicación del piso principal | (10-10)+/-0,5o | ||||
| Longitud plana primaria | 16+/-1mm | ||||
| Ubicación del piso secundario | (1-210)+/-3º | ||||
| Longitud plana secundaria | 8+/-1mm | ||||
| Resistividad (300K) | >10^6Ω·cm | ||||
| Densidad de dislocación | <5x106cm-2 | ||||
| FWHM | <=100arco.seg | ||||
| televisión | <=15um | ||||
| ARCO | <=+/-20um | ||||
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra <= 0,3 nm. Pulido listo para epi | ||||
| Superficie trasera: 1. Tierra fina | |||||
| 2.Pulido. | |||||
| Área utilizable | ≥ 90 % | ||||
1,7 15mm, 10mm, 5mmIndependienteSustrato GaN
| Artículo | PAM-FS-GaN15-N | PAM-FS-GaN15-SI | |
| PAM-FS-GaN10-N | PAM-FS-GaN10-SI | ||
| PAM-FS-GaN5-N | PAM-FS-GaN5-SI | ||
| Tipo de conducción | tipo N | semiaislante | |
| Tamaño | 14,0 mm*15 mm 10,0 mm*10,5 mm 5,0*5,5 mm | ||
| Espesor | 330-450um | ||
| Orientación | Eje C(0001)+/-0,5o | ||
| Ubicación del piso principal | |||
| Longitud plana primaria | |||
| Ubicación del piso secundario | |||
| Longitud plana secundaria | |||
| Resistividad (300K) | <0,5Ω·cm | >106Ω·cm | |
| Densidad de dislocación | <5x106cm-2 | ||
| Densidad de defectos de marco | 0cm-2 | ||
| televisión | <=15um | ||
| ARCO | <=20um | ||
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra <0,2 nm. Pulido listo para Epi. | ||
| Superficie trasera: 1. Tierra fina | |||
| 2.Molido áspero | |||
| Área utilizable | ≥ 90 % | ||
Nota:
Oblea de validación:Teniendo en cuenta la conveniencia de uso, PAM-XIAMEN ofrece oblea de validación de zafiro de 2″ para sustrato GaN independiente de tamaño inferior a 2″
2. Propiedades del sustrato GaN independiente
| Parámetros de red | a = 0,3189 nm; c=0,5185nm |
| Banda prohibida | 3,39eV |
| Densidad | 6,15 g/cm3 |
| Termia. Coeficiente de expansión | a: 5,59×10-6/K; c: 3,17×10-6/K |
| Índice de refracción | 2.33-2.7 |
| Constante dieléctrica | 9.5 |
| Conductividad térmica | 1,3 W/(cm*k) |
| Campo eléctrico de avería | 3.3MV/cm |
| Velocidad de deriva de saturación | 2.5E7cm/s |
| Movilidad electrónica | 1300cm2/(V*s) |
3. Aplicación del sustrato GaN
Iluminación de estado sólido: los dispositivos GaN se utilizan como diodos emisores de luz (LED) de brillo ultra alto, televisores, automóviles e iluminación general.
Almacenamiento de DVD: diodos láser azules
Dispositivo de energía: Los dispositivos fabricados en sustrato a granel de GaN se utilizan como diversos componentes en electrónica de potencia de alta potencia y alta frecuencia, como estaciones base celulares, satélites, amplificadores de potencia e inversores/convertidores para vehículos eléctricos (EV) y vehículos eléctricos híbridos (HEV). ). La baja sensibilidad del GaN a la radiación ionizante (al igual que otros nitruros del grupo III) lo convierte en un material adecuado para aplicaciones espaciales, como conjuntos de células solares para satélites y dispositivos de alta potencia y alta frecuencia para satélites de comunicaciones, meteorológicos y de vigilancia.
Sustrato puro de nitruro de galio Iacuerdo para el rebrote de III-Nitruros
Estaciones base inalámbricas: transistores de potencia RF
Acceso inalámbrico de banda ancha: MMIC de alta frecuencia, MMIC de circuitos RF
Sensores de presión: MEMS
Sensores de calor: detectores piroeléctricos
PAGAcondicionamiento de energía: Señal mixta Integración GaN/Si
Electrónica Automotriz: Electrónica de alta temperatura
Líneas de Transmisión de Energía: Electrónica de alto voltaje
Sensores de marco: detectores UV
Células solares: la amplia banda prohibida de GaN cubre el espectro solar de 0,65 eV a 3,4 eV (que es prácticamente todo el espectro solar), lo que produce nitruro de indio y galio.
(InGaN) aleaciones perfectas para crear material para células solares. Debido a esta ventaja, las células solares de InGaN cultivadas en sustratos de GaN están preparadas para convertirse en una de las nuevas aplicaciones más importantes y en el mercado de crecimiento para las obleas de sustrato de GaN.
Ideal para HEMT, FET
Proyecto de diodo Schottky GaN: Aceptamos especificaciones personalizadas de diodos Schottky fabricados en capas independientes de nitruro de galio (GaN) cultivadas con HVPE de tipos n y p.
Ambos contactos (óhmicos y Schottky) se depositaron en la superficie superior utilizando Al/Ti y Pd/Ti/Au.
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo estará permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperamos su comprensión y cooperación!
