Freestanding GaN substrate
Pam-Xiamen ha establecido la tecnología de fabricación para la oblea de sustrato GaN independiente (nitruro de galio), que es para UHB-LED y LD. Crecido por la tecnología de epitaxia de fase de vapor de hidruro (HVPE), nuestro sustrato GaN tiene baja densidad de defectos.
- Description
Descripción
Sustrato independiente de GaN
Como proveedor líder del sustrato de GaN, Pam-Xiamen ha establecido la tecnología de fabricación para la independencia (nitruro de galio)Oblea de sustrato de GaNque es un sustrato GaN a granel para UHB-LED, LD y fabricación como dispositivos basados en MOS. Cultivado mediante tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE), nuestro sustrato de GaN para dispositivos de nitruro III tiene una baja densidad de defectos y una densidad de macrodefectos menor o libre. El espesor del sustrato de GaN es de 330~530μm.
Además de los dispositivos de energía, los sustratos semiconductores de nitruro de galio se utilizan cada vez más en la fabricación de LED de luz blanca porque los sustratos LED de GaN proporcionan características eléctricas mejoradas y su rendimiento excede los dispositivos actuales. Además, el rápido desarrollo de la tecnología de sustrato de nitruro de galio ha llevado al desarrollo de sustratos libres de GaN de alta eficiencia con baja densidad de defectos y densidad de defectos macro libres. Por lo tanto, tales sustratos de GaN se pueden usar cada vez más a LED blancos. Como resultado, el mercado de sustrato GaN a granel está creciendo rápidamente. Por cierto, la oblea GaN a granel se puede usar para probar conceptos de dispositivos de energía vertical.
1. Especificación del sustrato independiente de GaN
Aquí muestra la especificación de detalle:
1.1 4 ″ N Tipo SI Dopado Gan （Nitruro de galio) sustrato independiente
| Artículo | PAM-FS-GaN100-N+ |
| Tipo de conducción | Tipo N/dopado con Si |
| Tamaño | 4″(100)+/-1mm |
| Espesor | 480+/-50 |
| Orientación | Eje C(0001)+/-0,5o |
| Ubicación del piso principal | (10-10)+/-0,5o |
| Longitud plana primaria | 32+/-1mm |
| Ubicación del piso secundario | (1-210)+/-3º |
| Longitud plana secundaria | 18+/-1mm |
| Resistividad (300K) | <0,05Ω·cm |
| Densidad de dislocación | <5x106cm-2 |
| FWHM | <=100arco.seg |
| televisión | <=30um |
| ARCO | <=+/-30um |
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: RA <= 0.3nm.Epi Ready pulido |
| — | Superficie trasera: 1. Tierra fina |
| — | 2.Pulido. |
| Área utilizable | ≥ 90 % |
1.2 4 ″ N Tipo de bajo GaN （Nitruro de galio) sustrato independiente
| Artículo | PAM-FS-GaN100-N- |
| Tipo de conducción | tipo N |
| Tamaño | 4″(100)+/-1mm |
| Espesor | 480+/-50 |
| Orientación | Eje C(0001)+/-0,5o |
| Ubicación del piso principal | (10-10)+/-0,5o |
| Longitud plana primaria | 32+/-1mm |
| Ubicación del piso secundario | (1-210)+/-3º |
| Longitud plana secundaria | 18+/-1mm |
| Resistividad (300K) | <0,5Ω·cm |
| Densidad de dislocación | <5x106cm-2 |
| FWHM | <=100arco.seg |
| televisión | <=30um |
| ARCO | <=+/-30um |
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: RA <= 0.3nm.Epi Ready pulido |
| — | Superficie trasera: 1. Tierra fina |
| — | 2.Pulido. |
| Área utilizable | ≥ 90 % |
1.3 4 ″ Semi-aislante （Nitruro de galio) sustrato independiente
| Artículo | PAM-FS-GaN100-SI |
| Tipo de conducción | Semiaislante |
| Tamaño | 4″(100)+/-1mm |
| Espesor | 480+/-50 |
| Orientación | Eje C(0001)+/-0,5o |
| Ubicación del piso principal | (10-10)+/-0,5o |
| Longitud plana primaria | 32+/-1mm |
| Ubicación del piso secundario | (1-210)+/-3º |
| Longitud plana secundaria | 18+/-1mm |
| Resistividad (300K) | >10^6Ω·cm |
| Densidad de dislocación | <5x106cm-2 |
| FWHM | <=100arco.seg |
| televisión | <=30um |
| ARCO | <=+/-30um |
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: RA <= 0.3nm.Epi Ready pulido |
| — | Superficie trasera: 1. Tierra fina |
| — | 2.Pulido. |
| Área utilizable | ≥ 90 % |
1.4 2 ″ SI Doped GaN （Nitruro de galio) sustrato independiente
| Artículo | PAM-FS-GaN50-N+ | |||
| Tipo de conducción | Tipo N/dopado con Si | |||
| Tamaño | 2″(50,8)+/-1mm | |||
| Espesor | 400+/-50 | |||
| Orientación | Eje C(0001)+/-0,5o | |||
| Ubicación del piso principal | (10-10)+/-0,5o | |||
| Longitud plana primaria | 16+/-1mm | |||
| Ubicación del piso secundario | (1-210)+/-3º | |||
| Longitud plana secundaria | 8+/-1mm | |||
| Resistividad (300K) | <0,05Ω·cm | |||
| Densidad de dislocación | <5x106cm-2 | |||
| FWHM | <=100arco.seg | |||
| televisión | <=15um | |||
| ARCO | <=+/-20um | |||
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: RA <= 0.3nm.Epi Ready pulido | |||
| Superficie posterior: 1.Fine Ground | ||||
| 2. Posado. | ||||
| Área utilizable | ≥ 90 % | |||
1.5 2 ″ GaN bajo dopado （Nitruro de galio) sustrato independiente
| Artículo | PAM-FS-GaN50-N- | ||||
| Tipo de conducción | tipo N | ||||
| Tamaño | 2″(50,8)+/-1mm | ||||
| Espesor | 400+/-50 | ||||
| Orientación | Eje C(0001)+/-0,5o | ||||
| Ubicación del piso principal | (10-10)+/-0,5o | ||||
| Longitud plana primaria | 16+/-1mm | ||||
| Ubicación del piso secundario | (1-210)+/-3º | ||||
| Longitud plana secundaria | 8+/-1mm | ||||
| Resistividad (300K) | <0,5Ω·cm | ||||
| Densidad de dislocación | <5x106cm-2 | ||||
| FWHM | <=100arco.seg | ||||
| televisión | <=15um | ||||
| ARCO | <=+/-20um | ||||
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: RA <= 0.3nm.Epi Ready pulido | ||||
| Superficie posterior: 1.Fine Ground | |||||
| 2. Posado. | |||||
| Área utilizable | ≥ 90 % | ||||
1.6 2 ″ Semi-aislante （Nitruro de galio) sustrato independiente
| Artículo | PAM-FS-GaN50-SI | ||||
| Tipo de conducción | Semiaislante | ||||
| Tamaño | 2″(50,8)+/-1mm | ||||
| Espesor | 400+/-50 | ||||
| Orientación | Eje C(0001)+/-0,5o | ||||
| Ubicación del piso principal | (10-10)+/-0,5o | ||||
| Longitud plana primaria | 16+/-1mm | ||||
| Ubicación del piso secundario | (1-210)+/-3º | ||||
| Longitud plana secundaria | 8+/-1mm | ||||
| Resistividad (300K) | >10^6Ω·cm | ||||
| Densidad de dislocación | <5x106cm-2 | ||||
| FWHM | <=100arco.seg | ||||
| televisión | <=15um | ||||
| ARCO | <=+/-20um | ||||
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: RA <= 0.3nm.Epi Ready pulido | ||||
| Superficie posterior: 1.Fine Ground | |||||
| 2. Posado. | |||||
| Área utilizable | ≥ 90 % | ||||
1,7 15mm, 10mm, 5mmIndependienteSustrato GaN
| Artículo | PAM-FS-GaN15-N | PAM-FS-GaN15-SI | |
| PAM-FS-GaN10-N | PAM-FS-GaN10-SI | ||
| PAM-FS-GaN5-N | PAM-FS-GaN5-SI | ||
| Tipo de conducción | tipo N | semiaislante | |
| Tamaño | 14.0 mm*15 mm 10.0 mm*10.5 mm 5.0*5.5 mm | ||
| Espesor | 330-450um | ||
| Orientación | Eje C(0001)+/-0,5o | ||
| Ubicación del piso principal | |||
| Longitud plana primaria | |||
| Ubicación del piso secundario | |||
| Longitud plana secundaria | |||
| Resistividad (300K) | <0,5Ω·cm | >106Ω·cm | |
| Densidad de dislocación | <5x106cm-2 | ||
| Densidad de defectos de marco | 0cm-2 | ||
| televisión | <=15um | ||
| ARCO | <=20um | ||
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: RA <0.2nm.Epi Ready pulido | ||
| Superficie posterior: 1.Fine Ground | |||
| 2. | |||
| Área utilizable | ≥ 90 % | ||
Nota:
Oblea de validación:Teniendo en cuenta la comodidad del uso, Pam-Xiamen ofrece una oblea de validación de zafiro de 2 ″ para un sustrato de ganancia independiente de menos de 2 ″
2. Propiedades del sustrato de GaN independiente
| Parámetros de red | a = 0,3189 nm; c=0,5185nm |
| Banda prohibida | 3,39eV |
| Densidad | 6,15 g/cm3 |
| Termia. Coeficiente de expansión | a: 5,59×10-6/K; c: 3,17×10-6/K |
| Índice de refracción | 2.33-2.7 |
| Constante dieléctrica | 9.5 |
| Conductividad térmica | 1,3 W/(cm*k) |
| Campo eléctrico de avería | 3.3MV/cm |
| Velocidad de deriva de saturación | 2.5E7cm/s |
| Movilidad electrónica | 1300cm2/(V*s) |
3. Aplicación del sustrato GaN
Iluminación de estado sólido: los dispositivos GaN se utilizan como diodos de luz ultra alto de brillo (LED), TVS, automóviles e iluminación general
Almacenamiento de DVD: diodos láser azules
Dispositivo de alimentación: los dispositivos fabricados en sustrato a granel GaN se utilizan como varios componentes en electrónica de energía de alta potencia y alta frecuencia como estaciones base celulares, satélites, amplificadores de energía e inversores/convertidores para vehículos eléctricos (EV) y vehículos eléctricos híbridos (HEV). La baja sensibilidad de GAN a la radiación ionizante (como otros nitruros del Grupo III) lo convierte en un material adecuado para aplicaciones espaciales, como matrices de células solares para satélites y dispositivos de alta frecuencia y alta frecuencia para la comunicación, el clima y la vigilancia.
Sustrato de nitruro de galio puro iDeal para el reembolso de III-nitruros
Estaciones base inalámbricas: transistores de potencia de RF
Acceso de banda ancha inalámbrica: MMICS de alta frecuencia, MMS de circuitos RF
Sensores de presión: MEMS
Sensores de calor: detectores pirroeléctricos
PAGacondicionamiento de ower: integración de GaN/SI de señal mixta
Electrónica automotriz: electrónica de alta temperatura
Líneas de transmisión de potencia: electrónica de alto voltaje
Sensores de marco: detectores UV
Células solares: la brecha de banda ancha de GaN cubre el espectro solar de 0.65 eV a 3.4 eV (que es prácticamente todo el espectro solar), lo que hace que el nitruro de galio de indio
(Ingan) Aleaciones perfectas para crear material de células solares. Debido a esta ventaja, las células solares de Ingan cultivadas en sustratos GaN están listos para convertirse en una de las nuevas aplicaciones y el mercado de crecimiento más importantes para las obleas de sustrato GaN.
Ideal para HEMT, FET
Proyecto de diodos Gan Schottky: Aceptamos especificaciones personalizadas de diodos Schottky fabricados en las capas de nitruro de galio (GaN) cultivadas en HVPE (GaN) de tipos N y P.
Ambos contactos (Ohmic y Schottky) se depositaron en la superficie superior usando Al/Ti y Pd/Ti/Au.
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites sobre la exportación de materiales de galio (como GAAS, GaN, GA2O3, GAP, INGAAS y GASB) y los materiales de germanio utilizados para hacer chips de semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo se permite si obtiene una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Espero su comprensión y cooperación!
