GE (germanio) Cristales individuales y Obleas
PWAM ofrece materiales semiconductores, Ge (germanio) Cristales individuales y obleas cultivadas por VGF / LEC
-
GE (germanio) Cristales individuales y Obleas
PAM-XIAMEN ofrece obleas de germanio de 2 ”, 3”, 4 ”y 6”, que es la abreviatura de obleas Ge cultivadas por VGF / LEC. La oblea de germanio tipo P y N ligeramente dopada también se puede utilizar para el experimento de efecto Hall. A temperatura ambiente, el germanio cristalino es frágil y tiene poca plasticidad. El germanio tiene propiedades semiconductoras. El germanio de alta pureza se dopa con elementos trivalentes (como indio, galio, boro) para obtener semiconductores de germanio de tipo P; y los elementos pentavalentes (como el antimonio, el arsénico y el fósforo) se dopan para obtener semiconductores de germanio de tipo N. El germanio tiene buenas propiedades semiconductoras, como alta movilidad de electrones y alta movilidad de huecos.
