PAM-XIAMEN puede ofrecer la estructura InAlN HEMT (Transistor de alta movilidad de electrones de nitruro de aluminio y indio) en silicio de 8 pulgadas. La banda prohibida de InAlN es una banda prohibida directa, e InAlN HEMT se utiliza en la producción de dispositivos electrónicos y fotónicos. Es uno del grupo de semiconductores III-V. Como aleación de nitruro de indio y nitruro de aluminio, InAlN está estrechamente relacionado con el nitruro de galio, que se usa ampliamente en la industria de semiconductores. Debido a su capacidad para mantener el funcionamiento a una temperatura superior a 1000 ° C y al gran intervalo de banda directo, será adecuado para situaciones que necesiten una condición con buena estabilidad y fiabilidad. Por lo tanto, se presta más atención a la aplicación de la banda prohibida de InAIN en la industria espacial. Debido a la capacidad de emparejamiento de celosía de InAlN y GaN, InAIN HEMT en silicio es un candidato atractivo para dicha industria.
1. Especificaciones de InAlN HEMT
PAM-210414-INAIN-HEMT
| Sustrato: | |
| Tamaño | 8 pulgadas |
| Materiales | Si |
| Diámetro | 200,0 ± 0,25 milímetro |
| Resistividad | > 5.000 Ω · cm Si
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| Espesor | 725 ± 25 micras |
| Capa epitaxial | |
| Estructura | 10nm ± 10% In0.17Al0.83N capa de barrera;
Capa espaciadora de nitruro de aluminio (AlN) de 0,8 nm ± 10% |
| Método de cultivo | deposición de vapor químico orgánico metálico (MOCVD) |
| Lado delantero | sin suciedad, sin astillas, sin grietas, sin resbalones |
| Trasero | sin astillas, sin protuberancias |
| Resistividad media de la hoja | <300 (Ω / cuadrado) |
2. Acerca del crecimiento epitaxial de InAlN
El crecimiento epitaxial de InAlN por deposición de vapor químico orgánico metálico o epitaxia de haz molecular con otros materiales semiconductores (como nitruro de galio, nitruro de aluminio y aleaciones relacionadas), como composición activa, es para producir obleas semiconductoras. Debido a las propiedades bastante diferentes entre el nitruro de aluminio y el nitruro de indio, InAIN es un material que es difícil de cultivar epitaxialmente. La ventana de crecimiento optimizada estrecha resultante puede provocar contaminación (como la producción de aluminio, aluminio, indio, galio) y una mala calidad del cristal. Mientras tanto, las tecnologías de fabricación de dispositivos optimizadas para dispositivos AlGaN deben ajustarse para resolver los problemas causados por las diferentes propiedades de los materiales de InAlN.
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