Fosfuro de indio semiaislante de primera calidad

Fosfuro de indio semiaislante de primera calidad

La oblea de fosfuro de indio semiaislante (fórmula: InP) de calidad superior para la venta es un cristal gris oscuro con un ancho de banda (Ej. = 1,35 eV) a temperatura ambiente, una presión de disociación de 2,75 MPa en un punto de fusión, una movilidad de electrones de 4600 cm2 / (V · s), y una movilidad del agujero de 150 cm2 / (V · s). PAM-XIAMEN utiliza el proceso VGF para garantizar la pureza del material. Todos nuestros sustratos están pulidos con precisión y protegidos por una atmósfera protectora, cumpliendo con los requisitos de uso Epi-ready. PAM-XIAMEN puede proporcionar varios tamaños, orientaciones de cristal, pulido, dopado y personalizado obleas de InP de primera calidad con tipo semi-aislado.

Sustrato de fosfuro de indio

1. Especificación de la oblea de cristal único de fosfuro de indio de primera calidad semiaislante

Artículo Parámetro
Material: En p
Tipo de conductividad / Dopante: SI / Fe
Grado: Principal
Diámetro: 50,5 ± 0,4 mm
Orientación: (100) ± 0,5 °
Ángulo de orientación: /
Opción plana EJ
Orientación plana primaria: (0-1-1)
Longitud plana primaria: 16 ± 1 milímetro
Orientación plana secundaria (0-11)
Longitud plana secundaria: 7 ± 1 mm
Concentración de portadores: - / cm-3
Resistividad: 5E6 ohmios · cm
Movilidad: - cm2/ V · seg
EPD: <5000cm-2
Marca láser: Dorso mayor plano
Redondeo de bordes: 0,25 (conforme a los estándares SEMI) mmR
Espesor: 325 ~ 375um
TTV: 10um
TIR: 10um
INCLINARSE: 10um
Deformación: 15um
Superficie: Lado 1: Pulido Lado 2: Grabado
Recuento de partículas: /
Paquete: recipiente individual lleno de N2
Listo para Epi:
Observación: Las especificaciones especiales se discutirán por separado.

 

Nota: The X-ray system is used for precise orientation, and the indium phosphide orientation deviation is only ±0.5°. The wafer of indium phosphide at prime grade is polished by chemical mechanical polishing (CMP) technology. Prime grade InP wafer surface roughness is <0.5nm.

The flat position of indium phosphide substrate is shown as following diagram:

Flat Position of InP Substrate

2. Dificultad para cultivar fosfuro de indio semiaislado de alta calidad

Normalmente, la oblea de cristal único de fosfuro de indio semiaislante de la fundición de fosfuro de indio se prepara dopando átomos de hierro durante el crecimiento de cristal único. Para lograr el semiaislamiento, la concentración de dopaje de átomos de hierro es relativamente alta y es probable que la alta concentración de hierro se difunda con el proceso de epitaxia y dispositivo. Además, debido a que el coeficiente de segregación del hierro en el fosfuro de indio es muy pequeño, el lingote monocristalino de fosfuro de indio presenta un gradiente de dopaje obvio a lo largo del eje de crecimiento, y la concentración de hierro en la parte superior e inferior difiere en más de un orden de magnitud. Por tanto, la consistencia y uniformidad son difíciles de garantizar. Para una sola oblea de fosfuro de indio que se corta, debido a la influencia de la interfaz sólido-líquido durante el crecimiento, los átomos de hierro se distribuyen concéntricamente desde el centro de la oblea de InP monocristalina hacia afuera, lo que obviamente no puede satisfacer las necesidades de algunas aplicaciones de dispositivos. Todos estos factores son actualmente los mayores obstáculos que restringen la calidad de producción de obleas monocristalinas de fosfuro de indio semi-aislantes.

3. Soluciones para mejorar la calidad de las obleas de InP semi-aislantes de primer grado

En los últimos años, la investigación en el país y en el extranjero ha demostrado que el sustrato de InP semiaislante obtenido mediante un tratamiento de recocido a alta temperatura de obleas de InP no dopadas de baja resistencia en una determinada atmósfera puede superar los problemas mencionados anteriormente. En los cristales de InP, el mecanismo de formación del semiaislante se puede resumir a grandes rasgos en dos aspectos:

Una es realizar el estado semiaislante dopando al huésped (elemento) profundo para compensar a los donantes superficiales. A esto pertenece el fosfuro de indio semiaislante original dopado con hierro;

La otra es reducir la concentración de donantes superficiales mediante la formación de nuevos defectos y, al mismo tiempo, se compensa al huésped profundo residente (elemento). No dopado sustrato de InP monocristalino semiaislador pertenece a esta categoría. Pueden formarse defectos durante el recocido e irradiación a alta temperatura.

De acuerdo con esta idea, los investigadores de PAM-XIAMEN han preparado la oblea de InP monocristalino SI a nivel primario mediante recocido en una atmósfera de fosfuro de hierro que no solo tiene menos defectos, sino que también tiene una buena uniformidad.

Como nuevo tipo de oblea semiaislante, el fosfuro de indio de primera calidad es de gran importancia para mejorar y mejorar el rendimiento de los dispositivos microelectrónicos basados ​​en InP. La oblea de fosfuro de indio semiaislante preparada mediante el proceso de recocido a alta temperatura mantiene las características de alta resistencia del sustrato tradicional de InP dopado con hierro primario. Al mismo tiempo, la concentración de hierro se reduce considerablemente y las propiedades eléctricas, la uniformidad y la consistencia del fosfuro de indio semiaislante de primera calidad se mejoran significativamente.

Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico a victorchan@powerwaywafer.com y powerwaymaterial@gmail.com.

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