PAM-XIAMEN ofrece obleas InGaAs APD de alto rendimiento. Los fotodiodos de avalancha de InGaAs (InGaAs APD) son muy apreciados por su bajo ruido, mayor ancho de banda y respuesta espectral extendida a 1700 nm. Está disponible para una longitud de onda de 1550 nm después de la optimización y es muy adecuado para su uso en sistemas de alcance láser seguros para los ojos. Las especificaciones y parámetros de las obleas APD de InGaAs son las siguientes:
PAM-210331-INGAAS-APD
Artículo 1:
| Capa | Materiales | Espesor (μm) | Desviación | concentración (cm-3) | Desviación | Prueba | Nota |
| 9 | U-1.05μm InGaAsP | – | ± 10% | – | ± 20% | ||
| 8 | N-InP | 2.5 | – | 5E + 15 | ± 20% | CV | En oblea de prueba |
| 7 | N-InP | – | ±0.01 | – | – | CV | En oblea de prueba |
| 6 | N-1.05μm InGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
| 5 | InGaAsP de N-1,25 μm | – | ± 10% | – | – | – | – |
| 4 | N-1,45 μm InGaAsP | – | ± 10% | 2E + 16 | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ± 10% | – | – |
| 2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD y C-V | En epiwafer y test wafer | |
| 1 | N-InP | – | ± 10% | – | ± 20% | CV | En oblea de prueba |
| 0 | Sustrato N-InP | 350 ± 25 | – | Dopado S> 3E + 18 | – | – | Oblea de 2 ″ |
| # | Discrepancia de celosía | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Prueba en el centro de epiwafer |
Ítem 2:
| Capa | Materiales | Espesor (μm) | Desviación | concentración (cm-3) | Desviación | Prueba | Nota |
| 9 | U-1.05μm InGaAsP | 0.1 | ± 10% | – | ± 20% | – | – |
| 8 | N-InP | – | ±0.12 | – | ± 20% | CV | En oblea de prueba |
| 7 | N-InP | 0.2 | – | – | – | CV | En oblea de prueba |
| 6 | N-1.05μm InGaAsP | – | – | 2E + 16 | – | – | – |
| 5 | InGaAsP de N-1,25 μm | – | ± 10% | – | – | – | – |
| 4 | N-1,45 μm InGaAsP | 0.03 | ± 10% | – | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | 0.1 | – | 1E + 16 | ± 10% | – | – |
| 2 | U-InGaAs | – | ± 10% | – | – | DCXD y C-V | En epiwafer y test wafer |
| 1 | N-InP | 0.5 | – | – | ± 20% | CV | En oblea de prueba |
| 0 | Sustrato N-InP | 350 ± 25 | – | Dopado S> 3E + 18 | – | – | Oblea de 2 ″ |
| # | Discrepancia de celosía | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Prueba en el centro de epiwafer |
Tema 3:
| Capa | Materiales | Espesor (μm) | Desviación | concentración (cm-3) | Desviación | Prueba | Nota |
| 9 | U-1.05μm InGaAsP | 0.1 | – | 5E + 15 | ± 20% | – | – |
| 8 | N-InP | – | – | – | ± 20% | CV | En oblea de prueba |
| 7 | N-InP | 0.2 | ±0.01 | – | – | CV | En oblea de prueba |
| 6 | N-1.05μm InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
| 5 | InGaAsP de N-1,25 μm | 0.03 | – | – | – | – | – |
| 4 | N-1,45 μm InGaAsP | – | – | 2E + 16 | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ± 10% | – | – |
| 2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD y C-V | En epiwafer y test wafer | |
| 1 | N-InP | – | ± 10% | – | ± 20% | CV | En oblea de prueba |
| 0 | Sustrato N-InP | 350 ± 25 | – | Dopado S> 3E + 18 | – | – | Oblea de 2 ″ |
| # | Discrepancia de celosía | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Prueba en el centro de epiwafer |
Item 4:
PAM221226-1550-APD
| Capa | Materiales | Thickness(um) | Doping(cm3) |
| 7 | InP | – | undoped(N<1E15) |
| 6 | InP | 0.2 | – |
| 5 | GaInAsP | – | – |
| 4 | GaInAsP | – | – |
| 3 | GaInAsP | – | – |
| 2 | Ga0.467In0.5333As | 2 | – |
| 1 | InP | – | Si doped, n type, 1.3E17 |
| N+ InP Substrate |
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