Análisis del rendimiento del almacenamiento del compuesto InSb

Análisis del rendimiento del almacenamiento del compuesto InSb

El semiconductor compuesto de antimonuro de indio (InSb), como material semiconductor de banda prohibida directa, tiene una masa efectiva de electrones baja, alta movilidad y un ancho de banda prohibida estrecho. A bajas temperaturas, el compuesto InSb tiene un alto coeficiente de absorción de luz infrarroja, con una eficiencia cuántica mayor o igual al 80%. En términos de detección de infrarrojo medio en la banda de longitud de onda de 3 a 5 um, los detectores basados ​​en materiales InSb se destacan entre muchos dispositivos de materiales debido a su tecnología de materiales madura, alta sensibilidad y buena estabilidad. El compuesto semiconductor InSb se ha convertido en el material preferido para la preparación de detectores de infrarrojos de onda media. PAM-XIAMEN puede suministrar InSbSemiconductor compuesto III-Vpara la fabricación de dispositivos e investigaciones académicas, tomando por ejemplo la siguiente especificación:

Sustrato compuesto de InSb

1. Especificación del sustrato InSb

Artículo Sustrato InSb
Espesor 525±25um
Orientación [111A]±0,5°
Tipo/Dopante N/Te
Resistividad 0,02~0,028 ohmios·cm
Carolina del Norte (4-8)E14cm-3/cc
DEP <100/cm2
Movilidad >1E4 cm2/vs
superficie acabada SSP, DSP

 

2. Análisis del rendimiento del almacenamiento del sustrato compuesto de InSb

En términos generales, los materiales semiconductores compuestos de InSb pueden almacenarse durante un período de tiempo después del procesamiento antes de usarse para preparar detectores. Por lo tanto, la estabilidad del rendimiento de las obleas de InSb durante el almacenamiento y uso es uno de los factores importantes que afectan el rendimiento de los detectores preparados.

Para investigar los cambios de rendimiento de la oblea compuesta de InSb durante el almacenamiento a largo plazo, los investigadores realizaron pruebas de almacenamiento acelerado a alta temperatura en el sustrato de InSb (111). Durante la prueba, se rastrearon y detectaron varias propiedades importantes del compuesto de InSb, como la geometría de la oblea, la rugosidad de la superficie, los parámetros eléctricos y los defectos de dislocación. Los resultados indican que en condiciones de prueba de aceleración a alta temperatura, la rugosidad de la superficie permanece básicamente sin cambios. En las condiciones experimentales, no hubo adición ni movimiento de dislocaciones dentro del sustrato y los parámetros eléctricos como la concentración de portadores permanecieron sin cambios. Durante el almacenamiento a temperatura atmosférica normal, el rendimiento del compuesto InSb permanece sin cambios durante al menos 2 años.

oblea powerway

Para obtener más información, por favor contáctenos por correo electrónico avictorchan@powerwaywafer.comypowerwaymaterial@gmail.com.

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