El detector de antimoniuro de indio (InSb) es sensible a la banda infrarroja de onda media (MWIR). En términos de detección de infrarrojo medio en la banda de 3-5um, debido a las ventajas de la tecnología de materiales maduros, la alta sensibilidad y la buena estabilidad, los detectores de InSb se destacan de los detectores basados en otros materiales. A baja temperatura,Material InSbtiene un alto coeficiente de absorción para la luz infrarroja (~1014cm-1), una eficiencia cuántica mayor o igual al 80%, y una alta movilidad de la portadora (un~105cm2∙V-1∙s-1). El detector IR de InSb tiene ventajas técnicas muy destacadas y sus campos de aplicación cubren la guía de precisión, imágenes portátiles, vehículos, a bordo de barcos, aerotransportados, aeroespaciales, etc. La matriz de detectores de InSb que ofrece PAM-XIAMEN es de 128 x 128 píxeles, y el rango de 3,7 um ~ 4,8 um. Especificaciones, consulte la tabla a continuación:
1. Parámetros técnicos del detector MWIR InSb
| Nombre del producto | Especificación principal | |
| PM128×128
(JT) Detector infrarrojo InSb |
Número de píxeles | 128×128 |
| Tamaño de píxel | 15um×15um | |
| Operabilidad de píxeles | 99% | |
| Capacidad de respuesta Falta de uniformidad | ≤6% | |
| NETO | ≤15mK | |
| FOV | 2 | |
| Tiempo de enfriamiento | ≤30 s | |
| Peso | ≤250g | |
2. Proceso de Detectores InSb Infrarrojos
Con el desarrollo continuo de la tecnología de detección de infrarrojos, los chips fotosensibles basados en materiales InSb han pasado de chips unitarios a chips multielementos, de matriz lineal y de matriz de área. Después del proceso de interconexión flip-chip, el chip fotosensible y el circuito de procesamiento de señales se combinan y se colocan en el plano focal del sistema óptico, que constituye el componente central de la detección de señales infrarrojas. En la realización de la conversión fotoeléctrica, el rendimiento del chip fotosensible es uno de los factores clave que determinan el nivel de detección del detector InSb refrigerado. En la preparación del chip fotosensible de matriz de área, la calidad de la unión PN y el aislamiento efectivo de las unidades de píxeles fotosensibles son las claves fundamentales para la preparación del chip de matriz de área. El proceso de preparación de la unión PN se divide en proceso de difusión, proceso de implantación de iones y proceso de epitaxia. Para diferentes técnicas de fabricación de uniones PN, las correspondientes técnicas de fabricación de estructuras de matriz de superficie también son diferentes.
Diagrama esquemático de la ruta de la tecnología del detector de plano focal InSb
El nivel técnico del detector infrarrojo InSb en la banda de onda media se ha mejorado continuamente. El tamaño de la matriz de área continúa aumentando, la eficiencia cuántica del detector InSb continúa mejorando y la operación a alta temperatura y los detectores duales multicolores están completamente desarrollados.
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