Sensor de magnetorresistencia (MR) de InSb
PAM-XIAMEN proporciona la magnetorresistencia de película delgada de antimonuro de indio (InSb), que es el elemento central sensible del sensor de magnetorresistencia (MR), con características de medición sin contacto, tamaño pequeño, alta confiabilidad, alta relación señal-ruido y amplia respuesta de frecuencia (0-100kHz). La magnetorresistencia InSb es un nuevo tipo de elemento sensible fabricado mediante el efecto de magnetorresistencia dePelícula de INSB. Puede utilizar un campo magnético como medio para convertir varias cantidades no eléctricas (como varios desplazamientos y velocidades) en cambios en los valores de resistencia, a fin de medir o controlar cantidades no eléctricas. Dado que esta conversión se lleva a cabo en una situación sin contacto, el sensor de magnetorresistencia tiene las características de alta confiabilidad, tamaño pequeño y peso liviano para fabricar varios sensores con él. Este tipo de dispositivo sensible al magnetismo tiene una amplia gama de usos en la industria y en muchos campos científicos y tecnológicos. La magnetorresistencia existente dePAM-XIAMENson como sigue:
1. Especificaciones del magnetorresistor InSb
| Escribe | Tamaño | Resistencia | Sensibilidad | Max. corriente de trabajo | Asimetría | temperatura de operacion |
| PAM-L-1 | 3.8 × 1.8 mm | 1 × (100 ~ 2000) Ohm | > 2.0 | <15 Ma | – | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-L-2A | 4.5 × 3.5 mm | 2 × (300 ~ 3000) Ohm | > 2.0 | <15 Ma | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-L-2B | 3.0 × 2.5 mm | 2 × (300 ~ 3000) Ohm | > 2.0 | <15 Ma | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-L-2C | 7.6 × 1.8 mm | 2 × (300 ~ 3000) Ohm | > 2.0 | <15 Ma | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-R-2 | 5.0 × 4.0 mm | 2 × (800 ~ 3000) Ohm | > 2.0 | <15 Ma | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-L-4 | 4.6 × 4.0 mm | 4 × (300 ~ 3000) Ohm | > 2.0 | <15 Ma | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
Estructura magnetoresistiva:
Marca:La producción del magnetorresistor de película delgada InSb adopta tecnología avanzada de producción de película delgada y fotograbado plano, y su patrón, tamaño y resistencia se pueden diseñar de manera flexible según las necesidades.
Hay tres parámetros principales del sensor magnetorresistivo:
- Relación de magnetorresistencia: se refiere a la relación entre el valor de resistencia del magnetorresistor y el valor de resistencia bajo inducción magnética cero bajo una intensidad de inducción magnética especificada.
- Coeficiente magnetorresistivo: se refiere a la relación entre el valor de resistencia de un sensor magnético y su valor de resistencia nominal bajo cierta intensidad de inducción magnética.
- Sensibilidad magnetorresistiva: se refiere a la tasa de variación relativa del valor de resistencia de un sensor de campo magnetorresistivo con la densidad de flujo magnético bajo una densidad de flujo magnético especificada.
2. Principio de funcionamiento del sensor de magnetorresistencia
Élsensor magnetoresistivofabricado en película delgada de InSb es a menudo una solución ideal para medición de alta velocidad, control de ángulo, control de posición, seguimiento de señales, etc. Su resistencia R cambia con el cambio de la densidad de flujo magnético B que lo atraviesa perpendicularmente: cuando B<0.1T, R∝; cuando B>0.1T, R∝B; cuando B=0.3T>2.0, como se muestra en la siguiente figura.
Usando esta característica, es conveniente utilizar el campo magnético como medio para convertir no electricidad (como desplazamiento, posición, velocidad, desplazamiento angular, presión, aceleración, etc.) en energía eléctrica sin contacto, para medir y controlar la no electricidad.
3. Efecto magnetorresistencia en película delgada de InSb
El material InSb es un material semiconductor compuesto típico. En comparación con el arseniuro de silicio, germanio y galio, tiene un importante efecto de magnetorresistencia. Por lo tanto, los sensores de magnetorresistencia utilizan materiales InSb para generar el efecto de magnetorresistencia de los materiales semiconductores, incluido el efecto de magnetorresistencia física y el efecto de magnetorresistencia geométrica. El efecto de magnetorresistencia física también se denomina efecto de magnetorresistencia. En un chip semiconductor rectangular, cuando una corriente fluye a lo largo de la dirección longitudinal, si se aplica un campo magnético en la dirección del espesor perpendicular a la corriente, la resistividad aumenta en la dirección longitudinal del chip SMR. Este fenómeno se llama efecto magnetorresistivo físico o efecto magnetorresistivo.
4. Aplicaciones de sensores de magnetorresistencia
Como sensor MR, los principios de funcionamiento de varios sensores de elementos de resistencia magnética que utilizan una magnetorresistor como elemento central son los mismos, pero los tipos son diferentes según el propósito y la estructura. Por lo tanto, se puede utilizar en sensores magnéticos, que son instrumentos para medir el magnetismo residual de un campo magnético constante y un campo magnético alterno o maquinaria eléctrica, y equipos de navegación y aviación. Además, el sensor de magnetorresistencia puede ser para sensor de velocidad, sensor de desplazamiento angular y sensor ferromagnético. La combinación de magnetorresistor y componentes electrónicos puede formar un convertidor AC-DC, un multiplicador de frecuencia, un modulador y un oscilador.
Más información sobre el sensor de magnetorresistencia, lea:https://www.powerwaywafer.com/magnetoresistive-sensor.html
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