Obleas de silicio con varias deposiciones de metal están a la venta en tamaños de 2 pulgadas a 12 pulgadas. La deposición de metal sobre la oblea de silicio generalmente se procesa en la superficie del sustrato, y el espesor del sustrato es típicamente 300um ~ 700um. A continuación se muestra una lista de obleas para su referencia:
1. Lista de obleas de deposición de metales sobre obleas de silicio
| No. | Materiales | Tamaño (pulgada) | La superficie acabó | Tipo | Espesor (um) | Espesor de película (nm) | Resis. (Ohm.cm) | Borde de referencia |
| M2 | Oblea de silicio recubierta de oro | 4 | SSP | N100 | 450 ± 15 | 10nmCr + 100nmAu | 0,01 ~ 0,02 | 2 |
| M4 | Oblea de silicio recubierta de oro | 2 | SSP | P100 | 430 ± 10 | 20nmTi + 100nmAu | 0 ~ 0,005 | – |
| M5 | Oblea de silicio chapada en oro | 2 | SSP | N100 | 430 ± 10 | 20nmTi + 1200nmAu | 0 ~ 0.05 | 1 |
| M14 | Oblea de silicio recubierta de cobre | 6 | SSP | N100 | 675 ± 25 | 2000nmCu | 1 ~ 100 | – |
| M15 | Oblea de silicio recubierta de aluminio | 8 | SSP | P100 | 700 ± 25 | 500 nm | 1 ~ 100 | – |
| M18 | Oblea de Si Chapada en Cobre | 12 | SSP | P100 | 700 ± 25 | 1000nmCu | 1 ~ 100 | – |
| M19 | Oblea de Si recubierta de cobre | 12 | SSP | P100 | 700 ± 25 | 500 nmCu | 1 ~ 100 | – |
| M20 | Oblea de Si Chapada en Cobre | 6 | SSP | N100 | 625 ± 25 | 125nmCu | 0,01 ~ 0,02 | – |
| M21 | Oblea de silicio recubierta de oro | 2 | SSP | P100 | 400 ± 15 | 10nmCr + 100nmAu | 0 ~ 0,0015 | – |
| M22 | Oblea de silicio chapada en oro | 2 | SSP | N100 | 280 ± 15 | 10nmCr + 100nmAu | 0 ~ 0.05 | – |
| M33 | Oblea de silicio recubierta de platino | 2 | SSP | P100 | 430 ± 15 | 30nmTi + 150nmPt | 0 ~ 0,0015 | – |
| M34 | Oblea Si Chapada En Oro | 4 | DSP | 100 | 110 ± 25 | 10nmCr- + 50nmAu | 0,01 ~ 0,05 | – |
| M35 | Oblea Si Chapada En Oro | 6 | DSP | 100 | 200 ± 25 | 10nmCr + 50nmAu | 0,005 ~ 0,01 | – |
| M36 | Oblea de Si recubierta de oro | 6 | SSP | N100 | 625 ± 25 | 10nmCr + 50nmAu | 0,01 ~ 0,02 | – |
| M37 | Oblea de Si recubierta de oro | 4 | DSP | P100 | 200 ± 10 | 50nmCr + 10nmAu | 2 ~ 3 | – |
| M40 | Oblea de Si Platinizada | 4 | SSP | P100 | 515 ± 15 | 300nmSi02 + 30nmTi + 300nmPt | 0,008 ~ 0,012 | 2 |
| M41 | Oblea de Si Platinizada | 4 | SSP | P100 | 525 ± 25 | 300nmSi02 + 30nnTi + 300nmPt | 0,01 ~ 0,02 | 2 |
| M42 | Oblea De Si Recubierta De Au | 6 | DSP | 100 | 200 ± 25 | 10nmCr + 50nmAu | 0,005 ~ 0,01 | – |
| M43 | Oblea De Si Recubierto De Pt | 4 | SSP | P100 | 500 ± 15 | 300nmSi02 + 30nmTi + 150nmPt | 0 ~ 0,0015 | 2 |
| M44 | Oblea De Si Plateada Pt | 4 | SSP | P100 | 500 ± 15 | 500nmSi02 + 30nmTi + 150nmPt | 0 ~ 0,0015 | 2 |
| M46 | Oblea De Si Plateada Au | 4 | SSP | N100 | 525 ± 15 | 30nmCr + 125nmAu | 0 ~ 0,005 | – |
| M47 | Oblea Si Chapada Cu | 4 | SSP | N100 | 525 ± 15 | 30nmCr + 100nmCu | 0 ~ 0,005 | – |
| M49 | Oblea Si Chapada Cu | 4 | SSP | P100 | 525 ± 15 | 30nmCr + 100nmCu | 8 ~ 12 | 2 |
| M50 | Oblea De Si Plateada Au | 4 | SSP | N100 | 450 ± 15 | 90nmSi02 + 10nmCr + 100nmAu | 0,012 ~ 0,018 | – |
| M51 | Oblea De Si Recubierto De Pt | 4 | SSP | P100 | 500 ± 10 | 280nmSi02 + 150nmPt | 0 ~ 0,0015 | 1 |
| M52 | Oblea De Si Recubierto De Cr | 4 | SSP | N100 | 525 ± 25 | 200 nmCr | 0,01 ~ 0,02 | 2 |
| M54 | Oblea de Si recubierta de Ag | 4 | SSP | P100 | 500 ± 10 | 30nmCr + 200nmAg | 0 ~ 0.05 | 2 |
| M55 | Oblea de silicio recubierta de Cu | 4 | DSP | P100 | 500 ± 10 | 20nmTi + 100nmAu | 0 ~ 0.05 | 2 |
| M56 | Oblea de silicio chapada en Cu | 4 | DSP | P100 | 500 ± 10 | 20nmNi + 100nmAu | 0 ~ 0.05 | 2 |
| M57 | Oblea de silicio recubierta de Cu | 4 | SSP | N100 | 500 ± 10 | Superficie no pulida 20nnTi + 100nmAu | 1 ~ 3 | 2 |
| M58 | Oblea de silicio recubierta de oro | 4 | DSP | N100 | 525 ± 25 | 20nmTi + 100nmAu | 0 ~ 0.01 | 2 |
| M59 | Oblea de silicio chapada en oro | 4 | SSP | P100 | 525 ± 20 | Superficie no pulida 20nmNi + 100nmAu | 1-3 | 2 |
We also can offer Al coated silicon wafer (PAM200723-SI):
8″ Aluminized coated Si wafer
Diameter: 200+/-0.5mm
Type: P/Boron
Orientation: <100>
Resistivity: >0.5 ohm.cm
Thickness: 200um+/-50um
Notch: V
Surface: Polished/Etched
Coated layer: Ti 500A + Al 30,000A+/-10%
Tome la oblea de silicio recubierta de platino (Pt), por ejemplo: dado que la capa de platino tiene alta dureza, baja resistencia y buena soldabilidad, la conductividad, dureza y resistencia a la corrosión de la oblea de silicio platinizado aumentan, lo que hace que pueda usarse como conductor sustrato.
2. Acerca del revestimiento de platino en la oblea de silicio
La deposición de metal sobre la oblea de silicio se refiere a un proceso de metalización en el que se depositan películas delgadas metálicas sobre la oblea para formar un circuito conductor. Los metales son comúnmente oro, platino, aluminio, cobre, plata, etc. También se pueden utilizar aleaciones metálicas.
La tecnología de deposición al vacío se utiliza a menudo en el proceso de metalización. Mientras que para el proceso de deposición, la pulverización catódica, la evaporación por haz de electrones, la evaporación instantánea y la evaporación por inducción son los métodos habituales para fabricar una película de platino sobre una oblea de Si.
La oblea de silicio se usa comúnmente para depositar y hacer crecer una película delgada ferroeléctrica a partir de fuentes de pulverización catódica. La temperatura de sinterización generalmente puede alcanzar los 650 ~ 850 ° C. Durante la sinterización, la tensión cambia mucho y la tensión o compresión disminuirá cuando alcance los gigapascales. Después de eso, la tensión típica de la película delgada ferroeléctrica es de aproximadamente 10o gigapascal. La película fina de Pt presentará pequeñas grietas cuando la temperatura sea superior a 750 ° C. Por lo tanto, la capa de metal de Pt en el procesamiento de obleas de silicio debe depositarse a una temperatura inferior a 750 ° C.
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