Mejora en arco oblea de free-standing sustratos de GaN debido a la alta dosis de implantación de hidrógeno: implicaciones para aplicaciones de transferencia de la capa de GaN

De dos pulgadas obleas de GaN exentas se implantaron por 100 keV H + 2 iones con una dosis de 1,3 × 1017 cm-2 a temperatura ambiente. El daño inducido por la implantación de hidrógeno en GaN se extiende entre 230 a 500 nm desde la superficie, medido por microscopía electrónica de transmisión en sección transversal (XTEM). El arco de la oblea de las obleas de GaN exentas se midió usando un perfilómetro de largo alcance Tencor en una longitud de exploración de 48 mm antes y después de la implantación de hidrógeno. Antes de la implantación de la proa de dos diferentes de sujeción independiente obleas de GaN (A nombrado y B) con diferentes espesores era 1,5 m y 6 m, respectivamente. Inicialmente, ambas obleas eran de forma cóncava. Después de la implantación de la proa cambió a convexo con un valor de 36 micras para la oblea A y un valor de 32 micras para la oblea B. Implantación de hidrógeno de alta dosis conduce a un esfuerzo de compresión en el plano en la capa dañada parte superior de la GaN, que es responsable para la mejora de arco de la oblea y el cambio de dirección de la curvatura. El alto valor de arco después de la implantación dificulta la unión de obleas directa de las obleas de independiente de GaN de zafiro o cualquier otro obleas del mango. unión apretada entre el hidrógeno implantado obleas de GaN y las obleas mango es un requisito necesario para la transferencia exitosa de capa de capas de GaN delgadas en otros sustratos basados ​​en unión de obleas y la división capa (Smart-cut).

 

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