Photographic plate

Photographic plate

PAM XIAMEN offers Photographic Plate.

Accuracy Index (Standard Size:430mmx430mm)

Min.Line/Space Width 20μm/20μm
CD Control ±2.0μm
Total Pitch Accuracy ±5.0μm
Registration Accuracy ±4.0μm
Overlay Accuracy 4.0μm
Orthogonality 4.0μrad

 

Chrome Plate Material Substrate

Material Soda Lime Glass
Max. Size 24″×32″
Normal Size 5″x5″,20″x24″,22″x26″,24″x28″
Thickness 5.0mm±0.2mm
Film Type Emulsion
Optical Density(λ=450nm) ≥3.6

 

Main application areas:
Mainly used in PCB, IC load board and IC Lead Frame and other industries

For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com,
send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) is a leading manufacturer of semiconductor material in China. PAM-XIAMEN develops advanced crystal growth and epitaxy technologies, manufacturing processes, engineered substrates and semiconductor devices. PAM-XIAMEN’s technologies enable higher performance and lower cost manufacturing of semiconductor wafer.

With more than 25+years experiences in compound semiconductor material field and export business, our team can assure you that we can understand your requirements and deal with your project professionally.

2019-07-04

Share this post

Related Posts

GaAs pHEMT Epi Wafer

PAM-XIAMEN can offer AlGaAs / GaAs p-HEMT (pseudomorphic high electron mobility transistor) heterostructure epitaxial wafer grown by MBE or MOCVD process. The heterostructure has a high-mobility conduction channel formed by two-dimensional electron gas, which is an ideal material for wireless applications. The line width [...]

2021-12-07meta-author
1″ FZ Silicon Ingot with Diameter 25mm

PAM XIAMEN offers 1″ FZ Silicon Ingot with Diameter 25mm Silicon ingot, per SEMI, G Ø25mm FZ n-type Si:P[100]±2.0°, Ro=(1,500-7,000)Ohmcm, Ground Ingot, NO Flats, MCC Lifetime>1000µs, Oxygen<1E16/cc, Carbon<1E16/cc, Adequately packed, CofC: present. For more information, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

2020-04-26meta-author
6″ Silicon Wafer-3

PAM XIAMEN offers 6″ Silicon Wafer. Material Orient. Diam. Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment n-type Si:As [100] 6″ 675 OxP/EOx 0.001-0.005 SEMI TEST (spots & minor visual defects), 1Flat (57.5mm), Thermal Oxide 0.1μm±5% thick p-type Si:B [100] 6″ 735 P/P FZ >50 Prime, TTV<2μm p-type Si:B [100] 6″ 650 P/P FZ 8-13 SEMI Prime (57.5mm) n-type Si:P [100] 6″ 475 P/P FZ 60-75 SEMI Prime, MCC Lifetime>14,980μs, Lasermark n-type Si:P [112-5° towards[11-1]] ±0.5° 6″ 800 ±10 P/P FZ >3,000 SEMI, 1 JEIDA Flat (47.5mm), TTV<4μm, Lifetime>1,000μs n-type Si:P [112-5° towards[11-1]] ±0.5° 6″ 950 ±10 P/P FZ >3,000 SEMI, 1 JEIDA Flat (47.5mm), TTV<4μm, Lifetime>1,000μs Intrinsic Si:- [100] 6″ 675 P/P FZ >10,000 SEMI Prime (57.5mm) Intrinsic Si:- [100] 6″ 675 P/P FZ >10,000 SEMI [...]

2019-03-04meta-author
GaAs Epiwafer with AlGaAs Multilayers for VCSEL Laser Application

PAM-XIAMEN can offer GaAs epiwafer (gallium arsenide epiwafer) with p-type & n-type AlGaAs multilayer for VCSEL laser application. The specifications of GaAs epiwafer are as follow: 1. Specifications of GaAs Epiwafer with AlGaAs Multilayers VCSEL, 980nm, GaAs epiwafer, 4″size PAM210208 Layer No. Material Group Repeat Mole Fraction(x) Strain(ppm) PL(nm) Thickness(nm) Dopant 32 GaAs  –  –  –  –  – 156 C 31 Al(x)GaAs  –  – 0.04  –  – 50.5 C 30 Al(x)GaAs  –  – 0.87->0.04  –  – 20 C 29 Al(x)GaAs  –  – 0.87  –  – 59.7 C 28 Al(x)GaAs  – 16 0.04->0.87  –  – 20 C 27 Al(x)GaAs  – 0.04  –  – 51.5 C 26 Al(x)GaAs  – 0.87->0.04  –  – 20 C 25 Al(x)GaAs  – 0.87  –  – 59.7 C 24 Al(x)GaAs  –  – 0.04->0.87  –  – 20 C 23 Al(x)GaAs  –  – 0.04  –  – 32.9 C 22 Al(x)GaAs  –  – 0.80->0.04  –  – 20 C 21 Al(x)GaAs  –  – 0.98  –  – 20 C 20 Al(x)GaAs  –  – 0.8  –  – 61.6 C 19 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 18 In(x)GaAs  –  –  –  – 970nm  – UD 17 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 16 In(x)GaAs  –  –  –  – 970nm  – UD 15 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 14 In(x)GaAs  –  –  –  – 970nm  – UD 13 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 12 Al(x)GaAs  –  – 0.87  –  – 59.7 Si 11 Al(x)GaAs  –  – 0.04->0.87  –  – 20 Si 10 Al(x)GaAs  –  – 0.04  –  – 51.5 Si 9 Al(x)GaAs  –  – 0.87->0.04  –  – 20 Si 8 Al(x)GaAs  – 6 0.87  –  – 59.7 Si 7 Al(x)GaAs  – 0.04->0.87  –  – 20 Si 6 Al(x)GaAs  – 0.04  –  – 51.5 Si 5 Al(x)GaAs  – 30 0.92->0.04  –  – 20 Si 4 Al(x)GaAs  – 0.92  –  – 59.8 Si 3 Al(x)GaAs  – 0.04->0.92  –  – 20 Si 2 Al(x)GaAs  – 0.04  –  – 51.5 Si 1 GaAs  –  –  –  –  – 500 Si 4 inch GaAs substrate Si doped; [...]

2021-04-02meta-author
AlGaN UV LED Wafer

AlGaN is a direct wide band gap semiconductor material. By changing the composition of AlGaN material, the band gap size can be continuously adjusted from 3.39 eV to 6.1 eV, covering the UV band range from 210 nm to 360 nm, so it is [...]

2022-10-14meta-author
Prime Grade Silicon Wafers

PAM XIAMEN offers prime grade silicon wafers for research and production. We have ultra-thin silicon 5 micron thin to silicon wafer pucks 10mm thick. All orientation and resistivities, both highly doped and low doped specifications. What are Silicon Wafer Grades? Silicon wafers are available in different [...]

2019-02-25meta-author