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Los HEMT (transistores de alta movilidad de electrones) de nitruro de galio (GaN) son la próxima generación de tecnología de transistores de potencia de RF. Gracias a la tecnología GaN, PAM-XIAMEN ahora ofrece AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer en zafiro o silicio, y AlGaN/GaN en plantilla de zafiro.