Diámetro máximo 12 "
Height≤17 "
Alta density≤2.19 g / cm3
De alta pureza> 99,99%
Alta resistencia a la fisuración (Excelente coeficiente de expansión térmica)

Diámetro máximo 8 "
Height≤18 "
Garantía de pureza> 99,99%
Puede ser utilizado por muchas veces (Excelente estructura entre las capas)
tasa de formación de alta cristal. (Se puede garantizar una alta tasa de formación de cristal mediante el ajuste de anisotropía)

Diámetro máximo 12 "
Height≤17 "
Alta density≤2.19 g / cm3
De alta pureza> 99,99%
Alta resistencia a la fisuración (Excelente coeficiente de expansión térmica)

Height≤17 "
Alta density≤2.19 g / cm3
De alta pureza> 99,99%
Alta resistencia a la fisuración (Excelente coeficiente de expansión térmica)
No deformación a alta temperatura (puede resistir la alta temperatura de 2300 ℃ en el vacío)
tiempo de vida de servicio larga

puede resistir la alta temperatura de 2300 ℃ en un ambiente de vacío y 2700 ℃ en atmósfera de amoníaco;
De alta pureza (> 99,99%). Y no va a liberar impurezas del gas cuando los servicios a alta temperatura;
Buena tenacidad. Es similar a la estructura hexagonal de grafito;
Un buen aislamiento a alta temperatura. La resistividad de volumen es de 3.11 × 1011Ω · cm;
inercia química. Buena resistencia a la corrosión de disolvente de ácido, alcalino y orgánico;
Se puede reducir el desperdicio de calor mediante la prevención de la conducción de calor

material de PBN puede resistir la alta temperatura de 2300 ℃ en un vacío y 2700 ℃ en atmósfera de amoníaco;
De alta pureza (> 99,99%). Y no va a liberar impurezas del gas a altas temperaturas;
Buena tenacidad. Es similar a la estructura hexagonal de grafito;
Un buen aislamiento a altas temperaturas;
inercia química. Buena resistencia a la corrosión de disolvente de ácido, el álcali y orgánica

Fuerte adhesión, no sea fácil caerse;
Para proteger el grafito de la corrosión;
Para evitar que el grafito de la liberación de carbono;
Aislamiento

calentamiento de la superficie y una buena distribución de la temperatura;
No se ve afectado por el campo magnético;
De gran pureza, se libera poco gas en una gran calor;
Se puede adaptar para la calefacción de contacto;
Alta tasa de calentamiento;
Larga vida útil;
Buena resistencia a la corrosión de disolvente de ácido, el álcali y orgánica

MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) es un proceso especial para crecer películas delgadas de semiconductores en la matriz. Fue desarrollado sobre la base de crecimiento epitaxial en fase vapor (VPE), y se ha convertido en una nueva tecnología en VPE. Los materiales de base de los cristales cultivados por MOCVD son compuesto orgánico de metal y de hidruro. El metal generalmente de grupo Ⅱ o Ⅲ cuando la tarde se realiza por los elementos del grupo V, Ⅵ. El crecimiento epitaxial en fase de vapor en sustratos sigue el método de reacción de descomposición térmica, y las ganancias de compuestos químicos semiconductoras del grupo Ⅲ-V, Ⅱ-Ⅵ, y sus delgadas materiales de cristal capa de solución sólida múltiple.