El potencial técnico de la sala de unión temperatura de obleas en vacío utilizando amorfo Si (a-Si) y Ge se estudió (a-Ge) películas. imágenes de microscopía electrónica de transmisión reveló ninguna interfaz correspondiente a las superficies de las películas originales para películas a-Ge-a-Ge unidos. Los análisis de estructura de la película y la energía libre superficial en la interfase unido revelaron un mayor potencial de unión en la interfaz de a-Ge-a-Ge conectado a la de las películas a-Si. La resistividad eléctrica de las películas A-GE es 0,62 Ωm, que es inferior a la de a-Si de película (4.7 Ωm), pero 7-8 orden superior a la de películas de material representativos utilizados para la unión en vacío. Nuestros resultados indican que la unión temperatura ambiente usando películas A-Ge es útil para obleas de bonos sin ninguna influencia notable sobre las propiedades eléctricas de los dispositivos de la oblea superficies de causados por la conductividad eléctrica de películas usadas para la unión.
Fuente: IOPscience
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