Sustrato ScalmGo4 (estafa)
En el campo de la fabricación de semiconductores, los ingenieros generalmente usan sustrato heterogéneo como silicio y zafiro para preparar nitruro de galio (GaN) y dispositivos basados en óxido de zinc (ZnO). Sin embargo, en la producción real, se ha encontrado que las diferencias constantes de la red y las inconsistencias de comportamiento termodinámico entre los materiales heterogéneos pueden plantear desafíos significativos. Este desajuste estructural puede conducir a una gran cantidad de defectos y densidad de dislocación dentro del material, lo que a su vez puede causar problemas de confiabilidad, como la deriva de voltaje umbral y los efectos de colapso de corriente, lo que limita la operación estable a largo plazo y la vida laboral del dispositivo. Vale la pena señalar que el sistema hexagonal de aluminio de magnesio óxido de escandio (ScalmGo4, abreviado como estafa o SAM) descubierto en los últimos años ha mostrado ventajas únicas. Este material mantiene una buena compatibilidad con los materiales semiconductores GaN y ZnO en términos de parámetros de la estructura cristalina, y su constante de red es cercana a la de GaN y ZnO, con un coeficiente de expansión térmica muy coincidente. La alta adaptabilidad de esta propiedad física permite al sustrato ScalmGo4 suprimir de manera efectiva la formación de defectos durante el crecimiento epitaxial, proporcionando un nuevo enfoque para preparar películas delgadas epitaxiales GaN de alta calidad. Pam-Xiamen puede proporcionar materiales de sustrato ScalmGo4, con especificaciones específicas de la siguiente manera:
1. Especificación del sustrato ScalmGo4
| Material | Scmgalo4 |
| Diámetro | 50.8 mm, 10*10.5 mm |
| Espesor | 350±25um |
| Orientación | Plano C (0001) |
| Orientación plana | Eje A (11-20) |
| Orientación longitud plana | 16 ± 1 mm |
| televisión | <10um |
| ARCO | <10um |
| superficie acabada | del lado delantero: pulido listo para epi, ra≤0.3nm
Side: Molilla |
2. Undvantage deSam ScolinaMETROmaterial
Como material de sustrato, ScalmGo4 tiene las siguientes ventajas significativas en comparación con sustratos tradicionales (como zafiro, sic, gaas, etc.) y otros GaN, materiales de sustrato heteroepitaxial de ZNO.
1) Matadería de la red: la tasa de desajuste de la red entre ScalmGo4 y GaN es de aproximadamente 1.4%, y la tasa de desajuste de la red con ZnO es de solo 0.09%, lo que puede reducir efectivamente defectos y dislocaciones en la capa epitaxial, mejorar el rendimiento del dispositivo y la vida útil;
2) Coeficiente de expansión térmica: el coeficiente de expansión térmica de ScalmGo4 está cerca del de GaN y ZnO, lo que puede aliviar efectivamente el estrés térmico, evitar problemas como grietas en el dispositivo durante el ciclo térmico y mejorar aún más la estabilidad del dispositivo;
3) Características de la auto-pelado: la superficie de cristal (0001) del cristal ScalmGo4 a lo largo de la dirección del eje C tiene fuertes características de escisión natural, lo que permite que el sustrato de ScalmGo4 se separe naturalmente de la capa epitaxial, lo que alcanza la reutilización del sustrato y la reducción de los costos de producción;
4) Propiedades químicas estables: ScalmGo4 es un óxido con alta estabilidad química, que puede resistir la corrosión y la oxidación, asegurando la estabilidad a largo plazo del dispositivo;
5) Transparencia óptica: Sam Crystal tiene una excelente transparencia óptica y puede usarse para fabricar dispositivos optoelectrónicos;
6) Conductividad: el material de estafa es un aislante que puede evitar cortocircuitos de dispositivos y otros problemas.
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