Oblea IGBT de SiC
PAM-XIAMEN puede ofrecer sustrato de SiC y oblea de epitaxia para fabricar dispositivos IGBT. La aparición del semiconductor de banda ancha de tercera generaciónoblea de carburo de silicioha demostrado una mayor competitividad en los campos de alto voltaje, alta temperatura y alta potencia. El n-IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) se desarrolla aún más aumentando n–yp+Película delgada de SiC sobre el sustrato de SiC tipo n como capa de deriva y colector. Y la estructura detallada de la oblea SiC IGBT de PAM-XIAMEN se muestra a continuación:
1. Estructura de SiC multicapa para la fabricación de IGBT de canal N
| Capa Epi | Espesor | Concentración de dopaje |
| norte–capa de deriva | – | 2×1014cm-3 |
| n capa intermedia | 3 mi | – |
| pag+capa de inyección de portador minoritario | – | – |
| Sustrato de SiC, tipo n |
2. Oportunidades de los dispositivos IGBT basados en sustrato de SiC
IGBT es el dispositivo central de conversión de energía, que contribuye efectivamente a la neutralización de carbono. En el campo de la generación y utilización de energía limpia, los IGBT son el dispositivo central de los inversores de energía fotovoltaica y eólica, y se utilizan ampliamente en sistemas de propulsión eléctrica de vehículos de nueva energía y pilas de carga. El módulo SiC IGBT reduce eficazmente el consumo de energía y ayuda a lograr la conservación de energía y la reducción de emisiones. Por lo tanto, la demanda de dispositivos IGBT de SiC basados en tecnología de oblea delgada IGBT se desarrollará rápidamente.
La demanda de neutralidad de carbono está impulsando el rápido desarrollo de la generación de energía limpia y el rápido aumento de la penetración de los vehículos eléctricos. Por el lado del consumo, la neutralidad de carbono plantea requisitos más estrictos para el consumo de electricidad industrial, lo que amplía aún más la popularización de equipos de ahorro de energía, como los convertidores de frecuencia. Como núcleo de la conversión de energía, en comparación con los IGBT de Si, la fabricación de obleas IGBT en material de SiC tiene grandes ventajas en los vehículos de nueva energía. Por tanto, el espacio de mercado es enorme.
3. Aplicaciones de dispositivos en oblea SiC IGBT
En la actualidad, la oblea epitaxial de SiC se utiliza principalmente en inversores principales, OBC, CC/CC y compresores e IGBT. Entre ellos, epi IGBT sigue siendo el dispositivo de energía principal utilizado en el campo automotriz. Las carteras de productos SiC IGBT en el campo de la automoción se basan principalmente en chips desnudos, tubos individuales, módulos de potencia y componentes. Las soluciones basadas en la tecnología IGBT de oblea delgada pueden cubrir aplicaciones energéticas para vehículos, incluidos inversores principales, cargadores a bordo, calentadores PTC, compresores, bombas de agua y bombas de aceite.
En el campo de la generación de energía fotovoltaica y eólica, el carburo de silicio IGBT se utiliza principalmente en inversores, de modo que los IGBT pueden procesar la electricidad gruesa generada por la energía fotovoltaica o eólica en electricidad fina que se puede conectar sin problemas a Internet.
En el campo del control industrial y el suministro de energía, los IGBT basados en la estructura IGBT 4H-SiC se utilizan ampliamente en inversores, servomáquinas, máquinas soldadoras inversoras y fuentes de alimentación UPS.
Además, en el campo de los electrodomésticos, los accesorios electrónicos fabricados con oblea epi SiC IGBT se utilizan en electrodomésticos como aires acondicionados inverter y lavadoras inverter para ayudar a lograr ahorro de energía y reducción de emisiones.
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