PAM-XIAMEN puede ofrecer sustrato de SiC y oblea de epitaxia para fabricar dispositivos IGBT. El surgimiento del semiconductor de banda prohibida ancha de tercera generaciónoblea de carburo de silicioha mostrado una mayor competitividad en los campos de alta tensión, alta temperatura y alta potencia. El n-IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) se desarrolla aún más mediante el crecimiento de n–y P+Película delgada de SiC en el sustrato de SiC de tipo n como capa de deriva y colector. Y la estructura detallada de la oblea IGBT SiC de PAM-XIAMEN se muestra a continuación:
1. Estructura SiC multicapa para fabricación de IGBT de canal N
| Capa Epi | Espesor | Concentración de dopaje |
| n–capa de deriva | – | 2×1014cm-3 |
| n capa amortiguadora | 3 um | – |
| p+capa de inyección de portadores minoritarios | – | – |
| Sustrato SiC, tipo n |
2. Oportunidades de los dispositivos IGBT basados en sustrato SiC
IGBT es el dispositivo central de conversión de energía, que contribuye efectivamente a la neutralización de carbono. En el campo de la generación y utilización de energía limpia, IGBT es el dispositivo central de los inversores de energía eólica y fotovoltaica, y se usa ampliamente en sistemas de accionamiento eléctrico de vehículos de nueva energía y pilas de carga. El módulo SiC IGBT reduce efectivamente el consumo de energía y ayuda a lograr la conservación de energía y la reducción de emisiones. Por lo tanto, la demanda de dispositivos IGBT de SiC basados en tecnología de obleas delgadas IGBT se desarrollará rápidamente.
La demanda de carbono neutralidad está impulsando el rápido desarrollo de la generación de energía con energía limpia y el rápido aumento en la penetración de los vehículos eléctricos. Por el lado del consumo, la neutralidad de carbono plantea requisitos más estrictos para el consumo de electricidad industrial, lo que amplía aún más la popularización de equipos de ahorro de energía como los convertidores de frecuencia. Como el núcleo de la conversión de energía, en comparación con Si IGBT, la fabricación de obleas IGBT en material SiC tiene grandes ventajas en vehículos de nueva energía. Por lo tanto, el espacio de mercado es enorme.
3. Aplicaciones de dispositivos en SiC IGBT Wafer
En la actualidad, la oblea epitaxial de SiC se utiliza principalmente en inversores principales, OBC, CC/CC y compresores e IGBT. Entre ellos, epi IGBT sigue siendo el principal dispositivo de potencia utilizado en el campo de la automoción. Las carteras de productos SiC IGBT en el campo de la automoción se basan principalmente en chips desnudos, tubos individuales, módulos de potencia y componentes. Las soluciones basadas en tecnología IGBT de oblea delgada pueden cubrir aplicaciones de vehículos de energía, incluidos inversores principales, cargadores a bordo, calentadores PTC, compresores, bombas de agua y bombas de aceite.
En el campo de la generación de energía eólica y fotovoltaica, el carburo de silicio IGBT se utiliza principalmente en inversores, de modo que los IGBT pueden procesar la electricidad gruesa generada por la energía fotovoltaica o eólica en electricidad fina que se puede conectar sin problemas a Internet.
En el campo del control industrial y la fuente de alimentación, los IGBT basados en la estructura 4H-SiC IGBT se utilizan ampliamente en inversores, servomáquinas, soldadoras inversoras y fuentes de alimentación UPS.
Además, en el campo de los electrodomésticos, los accesorios electrónicos fabricados en SiC IGBT epi wafer se utilizan en electrodomésticos como acondicionadores de aire inverter y lavadoras inverter para ayudar a lograr el ahorro de energía y la reducción de emisiones.
Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico a victorchan@powerwaywafer.com y powerwaymaterial@gmail.com.