Servicios profesionales de procesamiento de molienda y adelgazamiento de obleas de SiC
El carburo de silicio (SiC), como material semiconductor de banda prohibida amplia, tiene amplias perspectivas de aplicación en dispositivos de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia. Sin embargo, debido a su baja tenacidad intrínseca a la fractura, las obleas de SiC son propensas a agrietarse y dañarse durante el procesamiento de adelgazamiento, lo que hace que la tecnología de adelgazamiento sea uno de los desafíos clave que restringen su aplicación industrial. En la actualidad, el adelgazamiento de las obleas de SiC se logra principalmente mediante esmerilado y pulido. PAM-XIAMEN puede proporcionar servicios de adelgazamiento de obleas de SiC, consulte:[email protected].
1.InvestigaciónSestado deThiningTEtecnología
El procesamiento actual de adelgazamiento de obleas de SiC se basa principalmente en el esmerilado y el pulido como ruta técnica principal. El método de molienda más representativo es el pulido automático: mientras la oblea gira, el mecanismo del husillo hace que la muela gire y avance hacia abajo, logrando así la eliminación del material. Aunque este proceso tiene una alta eficiencia, tiene problemas tales como una fácil pasivación de la muela abrasiva, una vida útil corta y susceptibilidad a daños superficiales/subsuperficiales. Para mejorar la calidad del procesamiento, los investigadores han desarrollado varios procesos auxiliares, entre los que se incluyen principalmente:
Rectificado asistido por vibración ultrasónica: Al aplicar vibración ultrasónica, la fuerza de rectificado y el desgaste de la muela se reducen efectivamente, mejorando significativamente la calidad de la superficie de los materiales duros y quebradizos durante el mecanizado;
Apósito electrolítico en proceso (ELID): Por acción electrolítica, se forma una película de óxido en la superficie de la muela, lo que retrasa el desgaste de la muela y utiliza partículas abrasivas desprendidas para lograr un efecto de molienda similar a las partículas abrasivas libres, mejorando así la calidad de la superficie.
En términos de rectificado, el proceso se puede dividir en dos métodos: rectificado por una cara y por ambas caras. Las obleas de SiC de tamaño pequeño han logrado gradualmente un procesamiento de molienda de una o dos caras. El rectificado suele utilizar abrasivos de carburo de boro o diamante, y se divide en:
Molienda gruesa: utilizando partículas abrasivas de mayor tamaño, destinadas a eliminar marcas de cuchillos y capas metamórficas;
Rectificado fino: uso de partículas abrasivas de grano fino para eliminar la capa de daño causada por el esmerilado rugoso y mejorar la rugosidad de la superficie.
2.nortenecesidad deWdespuésThining yPAGacusandoRrequisitos
El adelgazamiento de las obleas es un paso clave en el proceso de envasado y sus principales propósitos incluyen:
Mejora de la calidad de las obleas: las obleas delgadas tienen menor dureza y son menos propensas a agrietarse y a tener irregularidades durante el corte;
Satisfacer la demanda de adelgazamiento de dispositivos: especialmente en el apilamiento de chips y el empaquetado avanzado, el adelgazamiento puede reducir significativamente el espesor total;
Mejore la calidad de la unión: retire la capa de óxido de la parte posterior para proporcionar una superficie limpia y plana para la unión;
Mejore el rendimiento de disipación de calor: acorte la ruta de conducción de calor, mejore la eficiencia de disipación de calor del chip y la estabilidad operativa.
Las diferentes formas de envasado tienen requisitos claros en cuanto al grosor de las oblea:
| Formas de embalaje | Grosor de la oblea |
| Enlace de alambre | 100–200 µm |
| Embalaje tradicional (QFP, DIP, etc.) | ~300 µm |
| Embalaje BGA | 100–200 µm |
| Embalaje CSP | 50-100 µm |
| Embalaje apilado | Puede ser inferior a 30 μm |
3. Investigación sobre SiCThiningPAGproceso
Los investigadores llevaron a cabo experimentos de rectificado de obleas de SiC, centrándose en analizar los efectos de parámetros como el tamaño de la rueda, la velocidad de avance, la velocidad de la rueda y la velocidad de la mesa de trabajo sobre el daño de la superficie. Descubrieron que la profundidad del daño superficial aumenta significativamente con el aumento de la velocidad de avance de la rueda; Al reducir el tamaño del grano de la muela, mejorar la uniformidad del grano, reducir la velocidad de alimentación y aumentar la velocidad de la muela y la mesa de trabajo, se puede reducir eficazmente el daño a las obleas. Además, las obleas de SiC tratadas con recocido tienen una mejor procesabilidad, rayones superficiales más finos, menor rotura de bordes y una integridad mejorada.
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