SiC Wafer Substrate
La empresa cuenta con una línea completa de producción de sustratos de obleas de SiC (carburo de silicio) que integra crecimiento de cristales, procesamiento de cristales, procesamiento de obleas, pulido, limpieza y pruebas. Hoy en día suministramos obleas comerciales de SiC 4H y 6H con semi aislamiento y conductividad en eje o fuera de eje, tamaño disponible: 5x5 mm2, 10x10 mm2, 2”, 3”, 4”, 6” y 8”, avanzando en tecnologías clave como supresión de defectos, procesamiento de cristales semilla y crecimiento rápido, promoviendo la investigación y el desarrollo básicos relacionados con la epitaxia de carburo de silicio, dispositivos, etc.
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Descripción
PAM-XIAMEN ofrece semiconductoresSustrato de oblea de SiC,6H SiCy4H SiC (carburo de silicio)en diferentes grados de calidad para investigadores y fabricantes de la industria. hemos desarrolladoCrecimiento de cristales de SiC tecnología yOblea de cristal de SiCtecnología de procesamiento, estableció una línea de producción para fabricar sustrato de SiC, que se aplica en dispositivos de epitaxia de GaN (por ejemplo, rebrote de AlN/GaN HEMT), dispositivos de energía, dispositivos de alta temperatura y dispositivos optoelectrónicos. Como empresa profesional de obleas de carburo de silicio con inversión de los principales fabricantes de los campos de investigación de materiales avanzados y de alta tecnología, institutos estatales y el Laboratorio de Semiconductores de China, nos dedicamos a mejorar continuamente la calidad de los sustratos de SiC actuales y a desarrollar sustratos de gran tamaño.
Aquí se muestran las especificaciones detalladas:
1. Especificaciones de las obleas de SiC
1.1 Especificación de oblea de SiC de 8 ″
|
Sustrato de SiC tipo N de 8 pulgadas |
|||
| Artículo | Una nota | Grado B | Grado C |
| Diámetro | 200±0,2 mm | ||
| Espesor | 500±25μm | ||
| politipo | 4H | ||
| Orientación de la superficie | 4°hacia <11-20>±0,5º | ||
| dopante | nitrógeno tipo n | ||
| Orientación de la muesca | [1-100]±5° | ||
| Profundidad de muesca | 1~1,5 mm | ||
| Resistividad | 0,015~0,025 ohmios·cm | 0,01~0,03 ohmios·cm | N / A |
| LTV | ≤5μm(10mm*10mm) | ≤10 μm (10 mm * 10 mm) | ≤15 μm (10 mm * 10 mm) |
| televisión | ≤10 μm | ≤15 μm | ≤20 μm |
| ARCO | -25 μm~25 μm | -45 μm~45 μm | -65 μm~65 μm |
| Deformación | ≤35 μm | ≤50 μm | ≤70 μm |
| Densidad de microtubos | ≤2ea/cm2 | ≤10ea/cm2 | ≤50ea/cm2 |
| Contenido metálico | ≤1E11 átomos/cm2 | ≤1E11 átomos/cm2 | N / A |
| TSD | ≤500ea/cm2 | ≤1000ea/cm2 | N / A |
| TLP | ≤2000ea/cm2 | ≤5000ea/cm2 | N / A |
| TED | ≤7000ea/cm2 | ≤10000ea/cm2 | N / A |
| Rugosidad de la superficie (si-cara) | Ra≤0.2nm | Ra≤0.2nm | Ra≤0.2nm |
| Superficie frontal acabada | CMP Si-cara | ||
| Partícula | ≤100(tamaño≥0.3μm) | N / A | N / A |
| Arañazos | ≤5,Longitud total≤Diámetro | N / A | N / A |
| Descantillados en los bordes/sangrías/grietas/manchas/ contaminación |
Ninguno | Ninguno | N / A |
| Áreas de politipo | Ninguno | ≤20% (área acumulada) | ≤30% (área acumulada) |
| Marcado frontal | Ninguno | ||
| Superficie posterior acabada | cara C pulida | ||
| Arañazos | N / A | N / A | N / A |
| Defectos posteriores: astillas/hendiduras en los bordes | Ninguno | Ninguno | N / A |
| Rugosidad trasera | Ra≤5nm | Ra≤5nm | Ra≤5nm |
| Marcado trasero | Muesca (el lado derecho) | ||
| Borde | Chaflán | Chaflán | Chaflán |
| embalaje | Epi-ready con envasado al vacío; Envasado en casete de oblea múltiple o de oblea única | ||
Notas: “NA” significa sin solicitud. Los elementos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD.
1.2 Sustrato de SiC ultraprimario de 200 mm
| Artículo | Oblea de SiC tipo N de 200 mm, DSP |
| Calificación | Grado ultraprime |
| Diámetro | 200±0,2 mm |
| Espesor | 350±25um |
| politipo | 4H |
| dopante | nitrógeno tipo N |
| Orientación | 4° hacia <11-20>±0,15° |
| Orientación de la muesca | {1-100}±5° |
| Profundidad de la muesca | 1~1,5 mm |
| Resitividad | 0,015~0,025Ω·cm |
| LTV | ≤3μm(10*10mm) |
| televisión | ≤7 μm |
| Arco | -20~20um |
| Deformación | ≤30 μm |
| Rugosidad de la cara Si | Ra≤0.2nm |
| MPD | <0,2 unidades/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤1E11 átomos/cm2(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) |
| TSD | ≤200ea/cm2 |
| TLP | ≤1000ea/cm2 |
| TED | ≤3000ea/cm2 |
| Calidad frontal | |
| Superficie frontal | Si |
| Superficie acabada | CMP Si-cara |
| Partículas | ≤100ea/oblea(Tamaño≥0.3um) |
| Arañazos | ≤5ea/nm, longitud total≤diámetro |
| Bordes desconchados/hendiduras/grietas/manchas/contaminación | Ninguno |
| Áreas politipo | Ninguno |
| Marcado láser frontal | Ninguno |
| Calidad trasera | |
| Acabado trasero | cara C pulida |
| Arañazos | N / A |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno |
| Rugosidad de la espalda | Ra≤5nm |
| Marcado láser trasero | Muesca a la derecha |
| Borde | Chaflán |
| Paquete | Epi-ready con envasado al vacío, casete de oblea múltiple/oblea única |
1.3 Sustrato de SiC ultraprimario de 150 mm
| Artículo | Oblea de SiC tipo N de 150 mm, DSP |
| Calificación | Grado ultraprime |
| Diámetro | 150±0,2 mm |
| Espesor | 350±25um |
| politipo | 4H |
| dopante | nitrógeno tipo N |
| Orientación | 4° hacia <11-20>±0,15° |
| Orientación plana primaria | {1-100}±5° |
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm |
| Piso Secundario | Ninguno |
| Resitividad | 0,016~0,024Ω·cm |
| LTV | ≤2μm(10*10mm) |
| televisión | ≤5μm |
| Arco | -15~15um |
| Deformación | ≤20 μm |
| Rugosidad de la cara Si | Ra≤0.2nm(5*5um) |
| MPD | <0,15 unidades/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10 átomos/cm2 |
| TLP | ≤600ea/cm2 |
| TSD | ≤100ea/cm2 |
| Calidad frontal | |
| Superficie frontal | Si |
| Superficie acabada | CMP Si-cara |
| Partículas | ≤60ea/oblea(Tamaño≥0.3um) |
| Arañazos | ≤2ea/nm, longitud total≤1/2*diámetro |
| Piel de naranja/hoyos/grietas/contaminación/manchas/estrías | Ninguno |
| Descantillados/hendiduras/fracturas en los bordes | Ninguno |
| Áreas politipo | Ninguno |
| Marcado láser frontal | Ninguno |
| Calidad trasera | |
| Acabado trasero | cara C pulida |
| Arañazos | ≤5ea/nm, longitud total≤diámetro |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno |
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm(5*5um) |
| Marcado láser trasero | 1 mm desde el borde superior |
| Borde | Chaflán |
| Paquete | Epi-ready con envasado al vacío, casete de oblea múltiple/oblea única |
1.4 4H SIC, TIPO N, ESPECIFICACIÓN DE OBLEA DE 6 ″
| PROPIEDAD DEL SUSTRATO | S4H-150-N-PWAM-350 S4H-150-N-PWAM-500 | |
| Descripción | A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Sustrato de SiC 4H de grado ficticio | |
| politipo | 4H | 4H |
| Diámetro | (150 ± 0,5) milímetros | (150 ± 0,5) milímetros |
| Espesor | (350 ± 25) µm (500 ± 25) µm | |
| Tipo de transportista | tipo n | tipo n |
| dopante | tipo n | tipo n |
| Resistividad (RT) | (0,015 – 0,028)Ω·cm | (0,015 – 0,028)Ω·cm |
| Rugosidad de la superficie | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C) | |
| FWHM | A<30 segundos de arco B/C/D <50 segundos de arco | |
| Densidad de microtubos | A≤0,5 cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 | |
| televisión | <15 μm | <15 μm |
| Arco | < 40 µm | < 40 µm |
| Deformación | <60μm | <60μm |
| Orientación de la superficie | ||
| Fuera del eje | 4° hacia <11-20>± 0,5° | 4° hacia <11-20>± 0,5° |
| Orientación plana primaria | <11-20>±5,0° | <11-20>±5,0° |
| Longitud plana primaria | 47,50 mm±2,00 mm | 47,50 mm±2,00 mm |
| piso secundario | Ninguno | Ninguno |
| Acabado de la superficie | Pulido de doble cara | Pulido de doble cara |
| embalaje | Caja de oblea única o caja de oblea múltiple | Caja de oblea única o caja de oblea múltiple |
| Grietas por lista de alta intensidad | Ninguno (AB) | Longitud acumulada≤20 mm, longitud única≤2 mm (CD) |
| Placas hexagonales por luz de alta intensidad. | Área acumulada≤0,05%(AB) | Área acumulada≤0,1% (CD) |
| Áreas politipo por luz de alta intensidad. | Ninguno (AB) | Área acumulada≤3%（CD) |
| Inclusiones visuales de carbono | Área acumulada≤0,05%(AB) | Área acumulada≤3%（CD) |
| Arañazos por luz de alta intensidad. | Ninguno (AB) | Longitud acumulada≤1 x diámetro de la oblea (CD) |
| chip de borde | Ninguno (AB) | Se permiten 5, ≤1 mm cada uno (CD) |
| Contaminación por luz de alta intensidad. | Ninguno | – |
| Área utilizable | ≥ 90 % | – |
| Exclusión de bordes | 3mm | 3mm |
1.5 4H SIC, SEMIAISLANTE DE ALTA PUREZA (HPSI), ESPECIFICACIÓN DE OBLEA DE 6 ″
4H SIC,V SEMIAISLANTE DOPADO, ESPECIFICACIÓN WAFER DE 6″
| PROPIEDAD DEL SUSTRATO | S4H-150-SI-PWAM-500 | ||
| Descripción | A: Grado de producción, B: Grado de investigación, C: Sustrato de SiC 4H de grado ficticio | ||
| politipo | 4H | ||
| Diámetro | 150 ± 0.2 mm | ||
| Espesor | 500 ± 25 μm | ||
| Tipo de transportista | semiaislante | ||
| dopante | V dopado | ||
| Orientación de la superficie | |||
| En eje | <0001> | ||
| Fuera del eje | 0 ± 0.25 ° | ||
| Orientación de muesca | [1-100] ± 5.0 ° | ||
| Profundidad de la muesca | 1 ~ 1.25 mm | ||
| Resistividad (RT) | A: ≥1e8ohm.cm | B: 100% de área> 1e5ohm.cm | C: 50% de área> 1e5ohm.cm |
| Rugosidad de la superficie | ≤0,2 nm (5*5um, Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C) | ||
| FWHM | A: ≤45 arcsec | B: ≤arcsec | C: ≤100arcsec |
| Densidad de microtubos | A: ≤1 ea/cm2 | B: ≤5 ea/cm2 | C: ≤10 ea/cm2 |
| televisión | ≤5μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| Arco | -25 μm~25 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm~45 μm |
| Deformación | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Vacío hexagonal | Ninguno | N / A | |
| Densidad de inclusión de carbono | ≤1 ea/cm2 | N / A | |
| Partículas | ≤60 ea/oblea (tamaño ≥0.3um） | N / A | |
| Arañazos | ≤5, longitud total ≤diameter | Longitud total ≤2*diámetro | N / A |
| Impurezas metálicas | ≤5E12 átomos/cm2 | ≤5E12 átomos/cm2 | N / A |
| Acabado de la superficie | CMP Si-cara | ||
| embalaje | Caja de oblea única o caja de oblea múltiple | ||
1.6 4H SIC, TIPO N, ESPECIFICACIÓN DE OBLEA DE 4 ″
| PROPIEDAD DEL SUSTRATO | S4H-100-N-PWAM-350 S4H-100-N-PWAM-500 | |
| Descripción | A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Sustrato de SiC 4H de grado ficticio | |
| politipo | 4H | 4H |
| Diámetro | (100 ± 0,5) milímetros | (100 ± 0,5) milímetros |
| Espesor | (350 ± 25) µm (500 ± 25) µm | |
| Tipo de transportista | tipo n | tipo n |
| dopante | Nitrógeno | Nitrógeno |
| Resistividad (RT) | (0,015 – 0,028)Ω·cm | (0,015 – 0,028)Ω·cm |
| Rugosidad de la superficie | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C) | |
| FWHM | A<30 segundos de arco B/C/D <50 segundos de arco | |
| Densidad de microtubos | A≤0,5 cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 | |
| televisión | <10μm | <10μm |
| Arco | < 25 µm | < 25 µm |
| Deformación | <45μm | <45μm |
| Orientación de la superficie | ||
| En eje | <0001>± 0,5° | <0001>± 0,5° |
| Fuera del eje | 4°u 8° hacia <11-20>± 0,5° | 4°u 8° hacia <11-20>± 0,5° |
| Orientación plana primaria | <11-20>±5,0° | <11-20>±5,0° |
| Longitud plana primaria | 32,50 mm±2,00 mm | 32,50 mm±2,00 mm |
| Orientación plana secundaria | Cara Si: 90° en sentido horario. desde orientación plana ± 5°- | |
| Cara C: 90° en sentido antihorario. desde orientación plana ± 5°- | ||
| Longitud plana secundaria | 18,00 ± 2,00 milímetros | 18,00 ± 2,00 milímetros |
| Acabado de la superficie | Pulido de doble cara | Pulido de doble cara |
| embalaje | Caja de oblea única o caja de oblea múltiple | Caja de oblea única o caja de oblea múltiple |
| Grietas por lista de alta intensidad | Ninguno (AB) | Longitud acumulada≤10 mm, longitud única≤2 mm (CD) |
| Placas hexagonales por luz de alta intensidad. | Área acumulada≤0,05%(AB) | Área acumulada≤0,1% (CD) |
| Áreas politipo por luz de alta intensidad. | Ninguno (AB) | Área acumulada≤3%（CD) |
| Inclusiones visuales de carbono | Área acumulada≤0,05%(AB) | Área acumulada≤3%（CD) |
| Arañazos por luz de alta intensidad. | Ninguno (AB) | Longitud acumulada≤1 x diámetro de la oblea (CD) |
| chip de borde | Ninguno (AB) | Se permiten 5, ≤1 mm cada uno (CD) |
| Contaminación por luz de alta intensidad. | Ninguno | – |
| Área utilizable | ≥ 90 % | – |
| Exclusión de bordes | 2mm | 2mm |
1.7 4H SIC, SEMIAISLANTE DE ALTA PUREZA (HPSI), ESPECIFICACIÓN DE OBLEA DE 4 ″
4H SIC,V SEMIAISLANTE DOPADO, ESPECIFICACIÓN WAFER DE 4″
| PROPIEDAD DEL SUSTRATO | S4H-100-SI-PWAM-350 S4H-100-SI-PWAM-500 | |
| Descripción | A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Sustrato de SiC 4H de grado ficticio | |
| politipo | 4H | 4H |
| Diámetro | (100 ± 0,5) milímetros | (100 ± 0,5) milímetros |
| Espesor | (350 ± 25) µm (500 ± 25) µm | |
| Tipo de transportista | semiaislante | semiaislante |
| dopante | V dopado | V dopado |
| Resistividad (RT) | >1E7 Ω·cm | >1E7 Ω·cm |
| Rugosidad de la superficie | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C) | |
| FWHM | A<30 segundos de arco B/C/D <50 segundos de arco | |
| Densidad de microtubos | A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2 | |
| televisión | <10μm | <10μm |
| Arco | < 25 µm | < 25 µm |
| Deformación | <45μm | <45μm |
| Orientación de la superficie | ||
| En eje | <0001>± 0,5° | <0001>± 0,5° |
| Fuera del eje | Ninguno | Ninguno |
| Orientación plana primaria | <11-20>±5,0° | <11-20>±5,0° |
| Longitud plana primaria | 32,50 mm±2,00 mm | 32,50 mm±2,00 mm |
| Orientación plana secundaria | Cara Si: 90° en sentido horario. desde orientación plana ± 5°- | |
| Cara C: 90° en sentido antihorario. desde orientación plana ± 5°- | ||
| Longitud plana secundaria | 18,00 ± 2,00 milímetros | 18,00 ± 2,00 milímetros |
| Acabado de la superficie | Pulido de doble cara | Pulido de doble cara |
| embalaje | Caja de oblea única o caja de oblea múltiple | Caja de oblea única o caja de oblea múltiple |
| Grietas por lista de alta intensidad | Ninguno (AB) | Longitud acumulada≤10 mm, longitud única≤2 mm (CD) |
| Placas hexagonales por luz de alta intensidad. | Área acumulada≤0,05%(AB) | Área acumulada≤0,1% (CD) |
| Áreas politipo por luz de alta intensidad. | Ninguno (AB) | Área acumulada≤3%（CD) |
| Inclusiones visuales de carbono | Área acumulada≤0,05%(AB) | Área acumulada≤3%（CD) |
| Arañazos por luz de alta intensidad. | Ninguno (AB) | Longitud acumulada≤1 x diámetro de la oblea (CD) |
| chip de borde | Ninguno (AB) | Se permiten 5, ≤1 mm cada uno (CD) |
| Contaminación por luz de alta intensidad. | Ninguno | – |
| Área utilizable | ≥ 90 % | – |
| Exclusión de bordes | 2mm | 2mm |
1.8 SIC TIPO N 4H, ESPECIFICACIÓN DE OBLEA DE 3″(76.2mm)
| PROPIEDAD DEL SUSTRATO | S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| Descripción | A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Sustrato de SiC 4H de grado ficticio |
| politipo | 4H |
| Diámetro | (76,2 ± 0,38) milímetros |
| Espesor | (350 ± 25) µm (430 ± 25) µm |
| Tipo de transportista | tipo n |
| dopante | Nitrógeno |
| Resistividad (RT) | 0,015 – 0,028Ω·cm |
| Rugosidad de la superficie | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C) |
| FWHM | A<30 segundos de arco B/C/D <50 segundos de arco |
| Densidad de microtubos | A≤0,5 cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 |
| TTV/arco/deformación | <25μm |
| Orientación de la superficie | |
| En eje | <0001>± 0,5° |
| Fuera del eje | 4°u 8° hacia <11-20>± 0,5° |
| Orientación plana primaria | <11-20>±5,0° |
| Longitud plana primaria | 22,22 mm ± 3,17 mm |
| 0,875″±0,125″ | |
| Orientación plana secundaria | Cara Si: 90° en sentido horario. desde la orientación plana ± 5° |
| Cara C: 90° en sentido antihorario. desde la orientación plana ± 5° | |
| Longitud plana secundaria | 11,00 ± 1,70 milímetros |
| Acabado de la superficie | Pulido simple o doble cara |
| embalaje | Caja de oblea única o caja de oblea múltiple |
| Rascar | Ninguno |
| Área utilizable | ≥ 90 % |
| Exclusión de bordes | 2mm |
| Astillas de borde por iluminación difusa (máx.) | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Grietas por luz de alta intensidad. | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Área acumulada de inclusiones de carbono visual | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Arañazos por luz de alta intensidad. | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Contaminación por luz de alta intensidad. | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
1.9 SIC SEMIAISLANTE 4H, ESPECIFICACIÓN DE OBLEA DE 3 ″ (76,2 mm)
(El sustrato de SiC semiaislante de alta pureza (HPSI) está disponible)
| PROPIEDAD UBSTRADA | S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| Descripción | A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Sustrato de SiC 4H de grado ficticio |
| politipo | 4H |
| Diámetro | (76,2 ± 0,38) milímetros |
| Espesor | (350 ± 25) µm (430 ± 25) µm |
| Tipo de transportista | semiaislante |
| dopante | V dopado |
| Resistividad (RT) | >1E7 Ω·cm |
| Rugosidad de la superficie | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C) |
| FWHM | A<30 segundos de arco B/C/D <50 segundos de arco |
| Densidad de microtubos | A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2 |
| TTV/arco/deformación | <25μm |
| Orientación de la superficie | |
| En eje | <0001>± 0,5° |
| Fuera del eje | 4°u 8° hacia <11-20>± 0,5° |
| Orientación plana primaria | <11-20>±5,0° |
| Longitud plana primaria | 22,22 mm ± 3,17 mm |
| 0,875″±0,125″ | |
| Orientación plana secundaria | Cara Si: 90° en sentido horario. desde la orientación plana ± 5° |
| Cara C: 90° en sentido antihorario. desde la orientación plana ± 5° | |
| Longitud plana secundaria | 11,00 ± 1,70 milímetros |
| Acabado de la superficie | Pulido simple o doble cara |
| embalaje | Caja de oblea única o caja de oblea múltiple |
| Rascar | Ninguno |
| Área utilizable | ≥ 90 % |
| Exclusión de bordes | 2mm |
| Astillas de borde por iluminación difusa (máx.) | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Grietas por luz de alta intensidad. | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Área acumulada de inclusiones de carbono visual | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Arañazos por luz de alta intensidad. | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Contaminación por luz de alta intensidad. | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
1.10 SIC TIPO N 4H, ESPECIFICACIÓN DE OBLEA DE 2 ″ (50,8 mm)
| PROPIEDAD DEL SUSTRATO | S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430 |
| Descripción | A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Sustrato de SiC 4H de grado ficticio |
| politipo | 4H |
| Diámetro | (50,8 ± 0,38) milímetros |
| Espesor | (250 ± 25) µm (330 ± 25) µm (430 ± 25) µm |
| Tipo de transportista | tipo n |
| dopante | Nitrógeno |
| Resistividad (RT) | 0,012 – 0,0028 Ω·cm |
| Rugosidad de la superficie | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C) |
| FWHM | A<30 segundos de arco B/C/D <50 segundos de arco |
| Densidad de microtubos | A≤0,5 cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 |
| Orientación de la superficie | |
| En eje | <0001>± 0,5° |
| Fuera del eje | 4°u 8° hacia <11-20>± 0,5° |
| Orientación plana primaria | Paralelo {1-100} ± 5° |
| Longitud plana primaria | 16,00 ± 1,70) mm |
| Orientación plana secundaria | Cara Si: 90° en sentido horario. desde la orientación plana ± 5° |
| Cara C: 90° en sentido antihorario. desde la orientación plana ± 5° | |
| Longitud plana secundaria | 8,00 ± 1,70 milímetros |
| Acabado de la superficie | Pulido simple o doble cara |
| embalaje | Caja de oblea única o caja de oblea múltiple |
| Área utilizable | ≥ 90 % |
| Exclusión de bordes | 1 milímetro |
| Astillas de borde por iluminación difusa (máx.) | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Grietas por luz de alta intensidad. | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Área acumulada de inclusiones de carbono visual | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Arañazos por luz de alta intensidad. | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Contaminación por luz de alta intensidad. | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
1.11 SIC SEMIAISLANTE 4H, ESPECIFICACIÓN DE OBLEA DE 2 ″ (50,8 mm)
(El sustrato de SiC semiaislante de alta pureza (HPSI) está disponible)
| PROPIEDAD DEL SUSTRATO | S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430 |
| Descripción | A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Sustrato SEMI 4H de grado ficticio |
| politipo | 4H |
| Diámetro | (50,8 ± 0,38) milímetros |
| Espesor | (250 ± 25) µm (330 ± 25) µm (430 ± 25) µm |
| Resistividad (RT) | >1E7 Ω·cm |
| Rugosidad de la superficie | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C) |
| FWHM | A<30 segundos de arco B/C/D <50 segundos de arco |
| Densidad de microtubos | A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2 |
| Orientación de la superficie | |
| En el eje <0001>± 0,5° | |
| Fuera del eje 3,5° hacia <11-20>± 0,5° | |
| Orientación plana primaria | Paralelo {1-100} ± 5° |
| Longitud plana primaria | 16,00 ± 1,70 milímetros |
| Orientación plana secundaria Si-face: 90° cw. desde la orientación plana ± 5° | |
| Cara C: 90° en sentido antihorario. desde la orientación plana ± 5° | |
| Longitud plana secundaria | 8,00 ± 1,70 milímetros |
| Acabado de la superficie | Pulido simple o doble cara |
| embalaje | Caja de oblea única o caja de oblea múltiple |
| Área utilizable | ≥ 90 % |
| Exclusión de bordes | 1 milímetro |
| Astillas de borde por iluminación difusa (máx.) | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Grietas por luz de alta intensidad. | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Área acumulada de inclusiones de carbono visual | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Arañazos por luz de alta intensidad. | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Contaminación por luz de alta intensidad. | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
1.12 SIC TIPO N 6H, ESPECIFICACIÓN DE OBLEA DE 2 ″ (50,8 mm)
| PROPIEDAD DEL SUSTRATO | S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430 |
| Descripción | A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Sustrato de SiC 6H de grado ficticio |
| politipo | 6H |
| Diámetro | (50,8 ± 0,38) milímetros |
| Espesor | (250 ± 25) µm (330 ± 25) µm (430 ± 25) µm |
| Tipo de transportista | tipo n |
| dopante | Nitrógeno |
| Resistividad (RT) | 0,02 ~ 0,1 Ω·cm |
| Rugosidad de la superficie | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C) |
| FWHM | A<30 segundos de arco B/C/D <50 segundos de arco |
| Densidad de microtubos | A≤0,5 cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 |
| Orientación de la superficie | |
| En eje | <0001>± 0,5° |
| Fuera del eje | 3,5° hacia <11-20>± 0,5° |
| Orientación plana primaria | Paralelo {1-100} ± 5° |
| Longitud plana primaria | 16,00 ± 1,70 milímetros |
| Orientación plana secundaria | Cara Si: 90° en sentido horario. desde la orientación plana ± 5° |
| Cara C: 90° en sentido antihorario. desde la orientación plana ± 5° | |
| Longitud plana secundaria | 8,00 ± 1,70 milímetros |
| Acabado de la superficie | Pulido simple o doble cara |
| embalaje | Caja de oblea única o caja de oblea múltiple |
| Área utilizable | ≥ 90 % |
| Exclusión de bordes | 1 milímetro |
| Astillas de borde por iluminación difusa (máx.) | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Grietas por luz de alta intensidad. | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Área acumulada de inclusiones de carbono visual | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Arañazos por luz de alta intensidad. | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
| Contaminación por luz de alta intensidad. | Por favor consulte a nuestro equipo de ingenieros. |
1.13 Oblea de sustrato de SiC de 12 pulgadas
|
Especificación del sustrato 4H-SiC de 12 pulgadas (300 mm)(PAM07282026) |
|
| Parámetro | Valor |
| Diámetro | 300,0 ± 0,5 mm |
| Espesor | 700±50μm |
| politipo | 4H |
| dopante | Nitrógeno tipo n |
| Orientación de la superficie | N / A |
| Orientación de la muesca | <1-100>±5° |
| Profundidad de la muesca | 1-1,25 mm |
| Resistividad | N / A |
| televisión | N / A |
| Arco | N / A |
| Deformación | N / A |
| Densidad de microtubos | N / A |
| Inclusiones de carbono visibles | N / A |
| Impurezas metálicas | N / A |
| TSD | N / A |
| TLP | N / A |
| TED | N / A |
| SF(2mm*2mm) | N / A |
| Área utilizable total(2mm*2mm) | N / A |
| Calidad del frente | |
| Frente | Si |
| Acabado de la superficie | CMP Si-cara |
| Partículas | N / A |
| Arañazos | N / A |
| Piel de naranja/hoyos/manchas/estrías/grietas/contaminación/poros | N / A |
| Descantillados/hendiduras de borde | N / A |
| Áreas politipo | N / A |
| Rugosidad frontal | N / A |
| Marcado láser frontal | Ninguno |
| Calidad de la parte trasera | |
| Acabado trasero | cara C pulida |
| Arañazos | N / A |
| Descantillados/hendiduras de borde | N / A |
| Rugosidad de la espalda | N / A |
| Marcado láser trasero | Directamente encima de la muesca |
| Borde | Chaflán |
| embalaje | Casete de oblea única o múltiple lleno de nitrógeno o al vacío, listo para epi |
Nota: “NA” significa que no hay requisitos.
1.14 Oblea de cristal semilla de SiC:
| Artículo | Tamaño | Escribe | Orientación | Espesor | MPD | Condición de pulido |
| No.1 | 105mm | 4H, tipo N | C(0001)4 grados apagado | 500+/-50um | <=1/cm-2 | – |
| No.2 | 153 mm | 4H, tipo N | C(0001)4 grados apagado | 350+/-50um | <=1/cm-2 | – |
SIC semiaislante o tipo N 4H, 5 mm x 5 mm, 10 mm x 10 mm ESPECIFICACIÓN DE LA OBLEA: Espesor: 330 μm/430 μm
SIC semiaislante o tipo N 4H, 15 mm x 15 mm, 20 mm x 20 mm ESPECIFICACIÓN DE LA OBLEA: Espesor: 330 μm/430 μm
Oblea de SiC de plano A, tamaño: 40 mm * 10 mm, 30 mm * 10 mm, 20 mm * 10 mm, 10 mm * 10 mm, especificaciones a continuación:
Tipo 6H/4H N Espesor: 330μm/430μm o personalizado
Espesor semiaislante 6H/4H: 330μm/430μm o personalizado
1.15 PROPIEDADES DEL MATERIAL DE CARBURO DE SILICIO
| PROPIEDADES DEL MATERIAL DE CARBURO DE SILICIO | ||
| politipo | Cristal único 4H | Cristal único 6H |
| Parámetros de red | a=3,076 Å | a=3,073 Å |
| c=10,053 Å | c=15,117 Å | |
| Secuencia de apilamiento | ABCB | ABCACB |
| banda prohibida | 3,26 eV | 3,03 eV |
| Densidad | 3,21 · 103kg/m3 | 3,21 · 103kg/m3 |
| Termia. Coeficiente de expansión | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice de refracción | no = 2.719 | no = 2,707 |
| ne = 2,777 | ne = 2,755 | |
| Constante dieléctrica | 9.6 | 9.66 |
| Conductividad térmica | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Campo eléctrico de avería | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Velocidad de deriva de saturación | 2,0 · 105 m/s | 2,0 · 105 m/s |
| Movilidad electrónica | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| agujero movilidad | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Dureza de Mohs | ~9 | ~9 |
2. Acerca de la oblea de SiC
Las oblea de carburo de silicio tienen excelentes propiedades termodinámicas y electroquímicas.
En términos de termodinámica, la dureza del carburo de silicio es tan alta como 9,2-9,3 en Mohs a 20°C. Es uno de los materiales más duros y se puede utilizar para cortar rubíes. La conductividad térmica de la oblea de SiC supera a la del cobre, que es 3 veces mayor que la del Si y entre 8 y 10 veces mayor que la del GaAs. Y la estabilidad térmica de las obleas de SiC es alta, es imposible fundirlas bajo presión normal.
En términos de electroquímica, la oblea de carburo de silicio desnuda tiene las características de banda prohibida ancha y resistencia a la rotura. La banda prohibida de la oblea de sustrato de SiC es 3 veces mayor que la del Si, y el campo eléctrico de ruptura es 10 veces mayor que el del Si, y su resistencia a la corrosión es extremadamente fuerte.
Por lo tanto, los SBD y MOSFET basados en SiC son más adecuados para trabajar en entornos de alta frecuencia, alta temperatura, alto voltaje, alta potencia y resistentes a la radiación. En condiciones del mismo nivel de potencia, los dispositivos de SiC se pueden utilizar para reducir el volumen de accionamientos eléctricos y controles electrónicos, satisfaciendo las necesidades de mayor densidad de potencia y diseño compacto. Por un lado, la tecnología de fabricación de obleas con sustrato de carburo de silicio está madura y el costo de las obleas de SiC es competitivo actualmente. Por otro lado, la tendencia de la inteligencia y la electrificación sigue evolucionando. Los automóviles tradicionales han generado una gran demanda de semiconductores de potencia de SiC. Por tanto, el mercado mundial de obleas de SiC está creciendo rápidamente.
3. Preguntas y respuestas sobre la oblea de SiC
3.1 ¿Cuál es la barrera de que las obleas de SiC se conviertan en una aplicación amplia al igual que las obleas de silicio?
1.Debido a la estabilidad física y química del SiC, el crecimiento cristalino del SiC es extremadamente difícil, lo que obstaculiza seriamente el desarrollo de dispositivos semiconductores de SiC y sus aplicaciones electrónicas.
2.Dado que existen muchos tipos de estructuras de SiC con diferentes secuencias de apilamiento (también conocido como polimorfismo), se dificulta el crecimiento del cristal de SiC de grado electrónico. Los polimorfos de SiC, como 3C SiC, 4H SiC y 6h SiC.
3.2 ¿Qué tipo de oblea de SiC ofrecéis?
Lo que necesitas pertenece a la fase cúbica, las hay cúbicas (c), hexagonales (H) y rómbicas (R). lo que tenemos son hexagonales, como 4H y 6h, el C es cúbico, como el carburo de silicio 3C.
4. Consulte el subcatálogo a continuación:
4H N Tipo SiC
SiC semiaislante 4H
Lingotes de SiC
Obleas lapeadas
oblea de pulido
Obleas de SiC de 200 mm (8 pulgadas)
PAM-XIAMEN ofrece sustrato de SiC semiaislante de alta pureza
Cristal de bola de SiC (carburo de silicio)
Oblea HPSI SiC para el crecimiento de grafeno
Sustrato grueso de carburo de silicio
¿Por qué necesitamos una oblea de SiC semiaislante de alta pureza?
Propiedades fonónicas de la oblea de SiC
¿Por qué la oblea de SiC muestra un color diferente?
