Oblea de SiC

Pam-Xiamen ofrece una oblea SIC y epitaxia: Sic Wafer es el material semiconductor de banda ancha de tercera generación con excelente rendimiento. Tiene las ventajas de la banda de banda ancha, la alta conductividad térmica, el campo eléctrico de alta ruptura, la alta temperatura intrínseca, la resistencia a la radiación, la buena estabilidad química y la alta velocidad de deriva de saturación de electrones. SIC Wafer también tiene grandes perspectivas de aplicación en aeroespacial, tránsito ferroviario, generación de energía fotovoltaica, transmisión de energía, nuevos vehículos de energía y otros campos, y traerá cambios revolucionarios a la tecnología de electrónica de energía. SI Face o C Face es CMP como grado listo para EPI, lleno de gas nitrógeno, cada oblea está en un recipiente de oblea, menos de 100 sala de clase limpia.
Epi-ready SiC wafers has N type or Semi-insulating, its polytype are 4H or 6H in different quality grades, Micropipe Density (MPD): Free, <5/cm2, <10/cm2, <30/cm2,<100/cm2, and the available size is 2”,3”,4” and 6”.Regarding SiC Epitaxy, its Wafer to wafer thickness uniformity: 2% , and Wafer to wafer doping uniformity: 4%, available doping concentration are from undoped, E15,E16,E18,E18/cm3, n type and p type epi layer are both available, epi defects are below 20/cm2; All the substrate should be used production grade for epi growth;N-type epi layers <20 microns are preceded by n-type,  E18 cm-3, 0.5 μm buffer layer; N-type epi layers≥20 microns are preceded by n-type,  E18, 1-5 μm buffer layer; N-type doping is determined as an average value across the wafer (17 points) using Hg probe CV; Thickness is determined as an average value across the wafer (9 points) using FTIR.