Obleas de óxido/dióxido térmico seco o húmedo de silicio de 300 mm (Si+SiO2)

12″ Silicon Wafers 300mm TOX ( Si Thermal Oxidation Wafer )

PAM-XIAMEN ofrece oblea de óxido de silicio y oblea de dióxido de 300 mm. La oblea de silicio de óxido térmico o la oblea de dióxido de silicio es una oblea de silicio desnuda con una capa de óxido cultivada mediante un proceso de oxidación seco o húmedo. La capa de óxido térmico de la oblea de silicio generalmente se cultiva en un horno de tubo horizontal, y el rango de temperatura del óxido de la oblea de silicio es generalmente de 900 ℃ ~ 1200 ℃. En comparación con la capa de óxido CVD, la capa de óxido de oblea de silicio tiene mayor uniformidad, mejor compacidad, mayor rigidez dieléctrica y mejor calidad.

Categoría:Oblea de silicio Etiqueta:Obleas de silicio de 12" TOX de 300 mm (oblea de oxidación térmica de Si)

Description

Descripción

1. Parámetros de la oblea de óxido de silicio

Parámetros	Valor
tipo de lingote	Cultivado según el método Czochralski.
Diámetro, mm	300 ± 0,2
Obleas Vida útil, mes	12
Tipo de conductividad	PAG
dopante	B (boro)
Oxígeno máximo, ANTIGUO-PPMA	40
Carbono, PPMA	1
La exclusión de la zona del borde, mm.	3
Orientación cristalográfica	<100>
Desviación de la orientación de la superficie desde un plano cristalográfico determinado, grados	0,5
Resistividad de volumen, Ohm · cm	10-40
El número de dislocaciones, cm-2.	0
El número de defectos de grabado puntual, cm-2.	0
El número de defectos oxidativos puntuales, cm -2.	500
El contenido máximo de hierro en el volumen, E10AT/CC	10
Muesca primaria	si
Ubicación de la muesca	110
Tamaño de muesca, mm	2,3
Forma de muesca	V
Espesor de la oblea, micras	775±25
Tipo de marcado	Láser
Ubicación de marcado	parte trasera
Perfil de borde	Por SEMI T/4
Arañazos frontales	ausente
Cambio total del espesor de la oblea (TTV), micras	5
Deflexión, micras	60
Las obleas se oxidan hasta alcanzar un espesor de micras.	0,1-1
El número de partículas en una superficie mayor de 0,09 micrones.	50
Contaminación de la parte trasera.	ausente
Contenido superficial de aluminio, E10AT/CM2	1
Contenido superficial de calcio, E10AT/CM2	1
Contenido superficial de cromo, E10AT/CM2	1
Contenido superficial de cobre, E10AT/CM2	1
Contenido superficial de hierro, E10AT/CM2	1
Contenido superficial de potasio, E10AT/CM2	1
Contenido superficial de sodio, E10AT/CM2	1
Contenido superficial de níquel, E10AT/CM2	1
Contenido superficial de zinc, E10AT/CM2	1
Requisitos para la precisión de la planitud, micras.	0,3
La exclusión de la zona del borde al medir la planitud, mm	3

Requisitos de embalaje:

Parámetro
Tipo de embalaje	MW300GT-A
Material del contenedor interior	Polietileno
Material de embalaje exterior	Aluminio
Número de piezas en un paquete	25
Reutilizabilidad	si

2. Métodos de oxidación

La oxidación seca y la oxidación húmeda son los métodos más importantes para cultivar silicio en oblea de óxido.

2.1 Oblea de silicio de oxidación seca

El silicio de oxidación de oxígeno seco reacciona con el oxígeno a una temperatura de 850-1200 ℃, la tasa de crecimiento de óxido térmico de las obleas de silicio es baja pero la calidad es buena, por lo que se puede utilizar para el crecimiento de puertas aisladas MOS. El espesor del óxido de la oblea de silicio es de 10 nm a 300 nm.

2.2 Oblea de oxidación de oxígeno húmedo

A alta temperatura, se utiliza vapor de agua para ingresar al tubo del horno y formar una capa de óxido en la superficie de la oblea de silicio. La densidad de la oxidación con oxígeno húmedo es ligeramente peor que la de la oxidación con oxígeno seco, pero la ventaja de la oxidación con oxígeno húmedo es que tiene una tasa de crecimiento más alta, que es adecuada para el crecimiento de la película por encima de 500 nm. Capacidad de oxidación húmeda: 100 nm ~ 6 um.

Durante el proceso de oxidación de la oblea de silicio, la oblea térmica de óxido de silicio es una excelente capa dieléctrica como aislante. En muchos dispositivos basados en silicio, la capa de óxido térmico juega un papel importante como capa de prevención de dopaje y dieléctrico de superficie.