Oblea de silicio de primera calidad de 12 ″
PAM-XIAMEN ofrece obleas de silicio desnudo de 300 mm (12 pulgadas) en grado principal, tipo n o tipo p, y el grosor de la oblea de silicio de 300 mm es de 775±15. En comparación con otros proveedores de obleas de silicio, el precio de las obleas de silicio de Powerway Wafer es más competitivo y de mayor calidad. Las obleas de silicio de 300 mm tienen un mayor rendimiento por oblea que las obleas de silicio permeables de gran diámetro.
- Descripción
Descripción del Producto
PAM-XIAMEN offer 300mm bare silicon wafers (12 inch) in prime grade, n type or p type, and the 300mm silicon wafer thickness is 775±15. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer’s silicon device wafer price is more competitive with higher quality. 300mm silicon wafers have a higher yield per wafer than pervious large diameter silicon wafers. Size on/above 8 inches (200 mm) is called a large silicon wafer. The production technology of large silicon wafer is not only the increase of process complexity because of the increase of area, but also the higher requirements on many other control factors. For example: oxygen content and its radial uniformity in wafer, impurity control, OISF control, etc. The silicon wafer requirements for defect control, oxygen precipitation control, resistance quantification, doping and radial uniformity are also higher. Especially for prime grade 300mm silicon wafer, some parameters are required critically, for instant, wafer TTV is below1.5um and defect density ~0/cm2. The next step is 450mm silicon ingot or wafer.
1. Parameters of 300mm Silicon Wafer
| Parámetros | Value(PAM210512-300-SIL) |
| Tipo de lingote | Cultivado según el método Czochralski |
| Diámetro, mm | 300 ± 0,2 |
| dopante | B (boro) |
| Tipo de conductividad | P |
| Oxígeno máximo, OLD-PPMA | 40 |
| Carbono, PPMA | 1 |
| Orientación cristalográfica | <100> |
| Desviación de la orientación de la superficie predeterminada del plano del cristal, grados | 1 |
| Resistividad volumétrica, Ohm · cm | 8-12 |
| Muesca primaria | Sí |
| Ubicación de la muesca | 110 |
| Tamaño de la muesca, mm | 2,3 |
| Forma de muesca | V |
| Espesor de la oblea, micrones | 775 ± 15 |
| Tipo de marcado | Laser |
| Ubicación de marcado | reverso |
| Perfil de borde | por SEMI T / 4 |
| Arañazos en el anverso | ausente |
| Pulido frontal | sí |
| Pulido del reverso | sí |
| Cambio total en el espesor de la oblea (TTV), micrómetros | 1,5 |
| Deflexión (WARP), micrones | 30 |
| El número de partículas en una superficie mayor a 0.05 micrones | 50 |
| El número de partículas en una superficie superior a 0,09 micrones. | 30 |
| Contenido superficial de aluminio, E10AT / CM2 | 1 |
| Contenido superficial de calcio, E10AT / CM2 | 1 |
| Contenido superficial de cromo, E10AT / CM2 | 1 |
| Contenido superficial de cobre, E10AT / CM2 | 1 |
| Contenido superficial de hierro, E10AT / CM2 | 1 |
| Contenido superficial de potasio, E10AT / CM2 | 1 |
| Contenido superficial de sodio, E10AT / CM2 | 1 |
| Contenido superficial de níquel, E10AT / CM2 | 1 |
| Contenido superficial de zinc, E10AT / CM2 | 1 |
Requisitos de embalaje:
| Parámetros | |
| Tipo de embalaje | MW300GT-A |
| Material del contenedor interior | Polietileno |
| Material de embalaje exterior | Aluminio |
| Número de piezas en un paquete | 25 |
| Reutilización | Sí |
2. FAQ:
P: Please take note that we offer “The number of particles on a surface larger than 0.09 microns 50” just for silicon substrate.
Normalmente, el requisito de partículas es el sustrato de silicio.
Para garantizar el cumplimiento, ¿podría verificar?
A: Verificamos dos veces: Sí, la información indicada es correcta.
PAM-XIAMEN puede ofrecerle tecnología y soporte de obleas.
Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web:https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer,
enviar correo electrónico asales@powerwaywafer.comypowerwaymaterial@gmail.com
Productos relacionados
-
oblea pulida
PAM-XIAMEN puede ofrecer oblea pulida, tipo n o tipo p con orientación en <100>, <110> o <111>. Obleas pulidas FZ, principalmente para la producción de rectificador de silicio (SR), rectificador controlado de silicio (SCR), transistor gigante (GTR), tiristor (GRO)
-
12 "prueba de la categoría oblea de silicio
PAM-XIAMEN ofrece obleas de silicio desnudas de 300 mm (12 pulgadas) ficticias, grado de prueba, tipo n o tipo p. En comparación con otros proveedores de obleas de silicio, Powerway Wafer ofrece un servicio profesional a precios competitivos.
-
12 "Silicon Wafers 300mm TOX (Si térmica oxidación Wafer)
PAM-XIAMEN ofrece oblea de óxido de silicio y oblea de dióxido de 300 mm. La oblea de silicio de óxido térmico o la oblea de dióxido de silicio es una oblea de silicio desnuda con una capa de óxido cultivada mediante un proceso de oxidación seca o húmeda. La capa de óxido térmico de la oblea de silicio generalmente se cultiva en un horno de tubo horizontal, y el rango de temperatura del óxido de la oblea de silicio es generalmente de 900 ℃ ~ 1200 ℃. En comparación con la capa de óxido de CVD, la capa de óxido de oblea de silicio tiene mayor uniformidad, mejor compacidad, mayor rigidez dieléctrica y mejor calidad.
-
Prueba de la oblea Monitor de la oblea simulada de la oblea
Como fabricante de obleas ficticias, PAM-XIAMEN ofrece obleas ficticias/obleas de prueba/obleas de monitor de silicona, que se utilizan en un dispositivo de producción para mejorar la seguridad al comienzo del proceso de producción y se utilizan para verificar la entrega y evaluar la forma del proceso. Dado que las obleas de silicio ficticias se utilizan a menudo para experimentos y pruebas, el tamaño y el grosor de las mismas son factores importantes en la mayoría de las ocasiones. Hay disponible una oblea ficticia de 100 mm, 150 mm, 200 mm o 300 mm.
-
Flotador-Zone Mono-silicio cristalino
PAM-XIAMEN puede ofrecer oblea de silicio de zona flotante, que se obtiene mediante el método de zona flotante. Las varillas de silicio monocristalino se obtienen a través del crecimiento de la zona de flotación y luego procesan las varillas de silicio monocristalino en obleas de silicio, llamadas obleas de silicio de zona de flotación. Dado que la oblea de silicio fundido en zona no está en contacto con el crisol de cuarzo durante el proceso de silicio de zona flotante, el material de silicio está en un estado suspendido. Por lo tanto, está menos contaminado durante el proceso de fusión del silicio en la zona flotante. El contenido de carbono y el contenido de oxígeno son menores, las impurezas son menores y la resistividad es mayor. Es adecuado para la fabricación de dispositivos de potencia y ciertos dispositivos electrónicos de alto voltaje.
-
Cz Mono-silicio cristalino
PAM-XIAMEN, un productor de silicio monocristalino a granel, puede ofrecer obleas de silicio monocristalino <100>, <110> y <111> con dopante N&P en 76,2~200 mm, que se cultivan mediante el método CZ. El método Czochralski es un método de crecimiento de cristales, denominado método CZ. Está integrado en un sistema de calor de tubo recto, calentado por resistencia de grafito, funde el polisilicio contenido en un crisol de cuarzo de alta pureza y luego inserta el cristal semilla en la superficie de la masa fundida para soldar. Después de eso, el cristal semilla giratorio se baja y se funde. El cuerpo es infiltrado y tocado, levantado gradualmente y terminado o tirado a través de los pasos de cuello, cuello, hombro, control de igual diámetro y acabado.
-
Aguafuerte oblea
Las obleas de silicio para grabado que ofrece PAM-XIAMEN son obleas de grabado tipo N o tipo P, que tienen baja aspereza, baja reflectividad y alta reflectividad. La oblea de grabado tiene las características de baja rugosidad, buen brillo y costo relativamente bajo, y sustituye directamente la oblea pulida o la oblea epitaxial que tiene un costo relativamente alto para producir elementos electrónicos en algunos campos, lo que reduce los costos.
-
Oblea de silicio epitaxial
La oblea epitaxial de silicio (Oblea Epi) es una capa de monocristal de silicio epitaxial depositada en una oblea de silicio de cristal único (nota: está disponible para hacer crecer una capa de capa de silicio policristalino sobre una oblea de silicio monocristalino altamente dopada, pero necesita una capa amortiguadora (como óxido o poli-Si) entre el sustrato de Si a granel y la capa de silicio epitaxial superior. También se puede usar para transistores de película delgada.
