Polished Wafer
PAM-XIAMEN puede ofrecer oblea pulida, tipo n o tipo p con orientación en <100>, <110> o <111>. Obleas pulidas FZ, principalmente para la producción de rectificador de silicio (SR), rectificador controlado de silicio (SCR), transistor gigante (GTR), tiristor (GRO)
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Descripción del Producto
Oblea pulida
PAM-XIAMEN puede ofrecer oblea pulida, tipo n o tipo p con orientación en <100>, <110> o <111>. Más especificaciones, consulte las tablas a continuación.
Nuestras ventajas de un vistazo
- Equipos avanzados de crecimiento de epitaxia y equipos de prueba.
- Ofrezca la más alta calidad con baja densidad de defectos y buena rugosidad superficial.
- Fuerte apoyo del equipo de investigación y soporte tecnológico para nuestros clientes.
1. Especificaciones de las obleas de silicio pulidas
1.1 Especificaciones de las obleas pulidas FZ
Oblea de silicio pulido FZ: principalmente para la producción de rectificador de silicio (SR), rectificador controlado de silicio (SCR), transistor gigante (GTR), tiristor (GRO)
| Escribe | Tipo de conducción | Orientación | Alcance del diámetro (mm) | Alcance de resistividad (Ω cm) | Granulosidad del parámetro geométrico, superficie metálica. |
| FZ | NOTARIO PÚBLICO | <100>&<111> | 76.2-200 | >1000 | T≥260（um） TTV≤2（um） TIR≤2(um) REVOLVER≤1（um）(20*20) Granosidad≤10pcs(≥0.3um), ≤20pcs(≥ superficie metálica≤5E10/cm2 BSD: densidad de grabado>1E106pcs/cm2 Poli: 5000-12000 A |
| NTDFZ | N | <100>&<111> | 76.2-200 | 30-800 | |
| ZLC | NOTARIO PÚBLICO | <100>&<111> | 76.2-200 | 1-50 | |
| GDFZ | NOTARIO PÚBLICO | <100>&<111> | 76.2-200 | 0.001-300 |
1.2 Especificaciones de las obleas pulidas con circonita cúbica
| Escribe | Tipo de conducción | Orientación | Alcance del diámetro (mm) | Alcance de resistividad (Ω cm) | Granulosidad del parámetro geométrico, superficie metálica. |
| MCZ | NOTARIO PÚBLICO | <100> <110>&<111> | 76.2-200 | 1-300 | T≥260（um） TTV≤2（um） TIR≤2(um) REVOLVER≤1（um）(20*20) Grano≤10 piezas (≥0,3 um), ≤20 piezas (≥0,2 um) Metal superficial≤5E10/cm2 BSD: Densidad de grabado>1E106pcs/cm2LTO:3500~8000±250A |
| CZ | NOTARIO PÚBLICO | <100> <110>&<111> | 76.2-200 | 1-300 | |
| MCZ fuertemente dopado | NOTARIO PÚBLICO | <100>&<111> | 76.2-200 | 0.001-1 |
2. Acerca de la oblea pulida
El polisilicio de grado electrónico de alta pureza se somete a los pasos de extracción, corte, biselado, lapeado, grabado, pulido y limpieza del cristal para producir una oblea pulida, que cumple con las propiedades eléctricas, físicas de la superficie, los estándares de impurezas y otras especificaciones. Las obleas con procesos especiales como recocido, epitaxia y SOI se procesan a partir de obleas pulidas.
La oblea pulida (PW) es un chip de silicio con planitud atómica que es una oblea de silicio pulida de una o dos caras, y representa aproximadamente el 70% de las aplicaciones de obleas de silicio. Una vez producido el lingote de silicio monocristalino, se corta en rodajas finas el silicio monocristalino cilíndrico del lingote, que es una oblea de un elemento de silicio de alta pureza. El objetivo del pulido es eliminar aún más la capa de daño residual en la superficie procesada. La oblea de silicio monocristalino pulido se puede utilizar directamente para fabricar dispositivos o como material de sustrato epitaxial. La oblea de Si pulida se usa ampliamente en circuitos integrados digitales y analógicos, memorias, dispositivos de energía y otros chips.
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Grosor de la oblea de silicio: 1000 μm.
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Grosor de la oblea Si: 675 ± 25 um
Oblea de Si de 4 ″ Espesor: 500 ± 20 μm
Oblea de Si de 3″ Espesor: 380±20μm
Obleas de silicona de 50,8 mm (2 pulgadas)-1
Obleas de silicona de 50,8 mm (2 pulgadas)-2
Obleas de silicio de 50,8 mm (2 pulgadas)-3
Obleas de silicona de 50,8 mm (2 pulgadas)-4
Obleas de silicona de 50,8 mm (2 pulgadas)-5
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(100) Obleas de silicio orientadas-1
(100) Obleas de silicio orientadas-2
(100) Obleas de silicio orientadas-3
(100) Obleas de silicio orientadas-4
(100) Obleas de silicio orientadas-5
(112) Obleas de silicio de orientación
Oblea de silicio Prime CZ de 2 ″
Oblea de silicio CZ Prime de 2 ″-1
Oblea de silicio CZ Prime-2 de 2 ″
Oblea de silicio CZ Prime-4 de 2 ″
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Oblea de silicio CZ Prime-6 de 4 ″
Oblea de silicio CZ Prime-7 de 4 ″
Oblea de silicio CZ Prime-8 de 4 ″
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PAM-XIAMEN, un productor de silicio monocristalino a granel, puede ofrecer obleas de silicio monocristalino <100>, <110> y <111> con dopante N&P en 76,2~200 mm, que se cultivan mediante el método CZ. El método Czochralski es un método de crecimiento de cristales, denominado método CZ. Está integrado en un sistema de calor de tubo recto, calentado por resistencia de grafito, funde el polisilicio contenido en un crisol de cuarzo de alta pureza y luego inserta el cristal semilla en la superficie de la masa fundida para soldarlo. Después de eso, el cristal semilla giratorio se baja y se funde. El cuerpo se infiltra y se toca, se eleva gradualmente y se termina o se tira a través de los pasos de estrechamiento, estrechamiento, hombros, control de igual diámetro y acabado.
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