Prueba de la oblea Monitor de la oblea simulada de la oblea
Como fabricante de obleas simuladas, PAM-XIAMEN ofrece obleas simuladas / obleas de prueba / obleas de control de silicona, que se utilizan en un dispositivo de producción para mejorar la seguridad al comienzo del proceso de producción y se utilizan para la verificación de la entrega y la evaluación de la forma del proceso. Como las obleas de silicio ficticias se utilizan a menudo para experimentos y pruebas, el tamaño y el grosor de las mismas son factores importantes en la mayoría de las ocasiones. Hay disponibles obleas falsas de 100 mm, 150 mm, 200 mm o 300 mm.
- Descripción
Descripción del Producto
Prueba de la oblea Monitor de la oblea simulada de la oblea
Como fabricante de obleas simuladas, PAM-XIAMEN ofrece obleas simuladas / obleas de prueba / obleas de control de silicona, que se utilizan en un dispositivo de producción para mejorar la seguridad al comienzo del proceso de producción y se utilizan para la verificación de la entrega y la evaluación de la forma del proceso. Como las obleas de silicio ficticias se utilizan a menudo para experimentos y pruebas, el tamaño y el grosor de las mismas son factores importantes en la mayoría de las ocasiones. Hay disponibles obleas falsas de 100 mm, 150 mm, 200 mm o 300 mm.
1. Test Wafer List
1.1 Single Side Polished Test Wafer N Type (200Nos)
| Si. No | ít. | ESPECIFICACIONES SCL |
| 1 | Metodo de cultivo | CZ |
| 2 | Diámetro de la oblea | 150 ± 0,5 mm |
| 3 | Espesor de la oblea | 675 ± 25 micras |
| 4 | Oblea de superficie Orientación | <100> ± 2 ° |
| 5 | dopante | Fósforo |
| 6 | densidad de dislocaciones | Menos de 5000 / cm2 |
| 8 | Resistividad | 4-7Ωcm |
| 9 | Radial Resistividad Variación (máx.) | 15% |
| 10 | Llanura | |
| 10 a | · BOW (máx.) | 60 micras |
| 10b | · TIR (max.) | 6 micras |
| 10c | · TAPER (máx.) | 12 micras |
| 10d | · WARP (máx.) | 60 micras |
| 11 | Piso primaria | |
| 11a | · Longitud | 57,5 ± 2,5 mm |
| 11b | · Orientación | {110} ± 2 ° según la norma SEMI |
| 11c | secundaria plana | Según la norma SEMI |
| 12 | Acabado de la superficie frontal | pulido espejo |
| 13 | Max. partículas de tamaño ≥0.3μm | 30 |
| 14 | · Rasguños, Haze, Chips Edge, Piel de naranja y otros defectos | Nulo |
| 15 | Back Surface | Sin desperfectos grabado al |
| 16 | Requisito de embalaje | Si se de vacío sellada en 10'environment Class' en packing.Wafers de doble capa se debe enviar en Fluorware ORION DOS cargadores de obleas o hacer equivalente de polipropileno ultra limpio |
1.2 Double Side Polished Test Wafer N Type (150 Nos)
| Si. No | Artículo | ESPECIFICACIONES SCL |
| 1 | Metodo de cultivo | CZ |
| 2 | Diámetro de la oblea | 150 ± 0,5 mm |
| 3 | Espesor de la oblea | 25μm 675 ± |
| 4 | Oblea de superficie Orientación | <100> ± 2 ° |
| 5 | dopante | Fósforo |
| 6 | densidad de dislocaciones | Menos de 5000 / cm2 |
| 8 | Resistividad | 4-7Ωcm |
| 9 | Radial Resistividad Variación (máx.) | 15% |
| 10 | Llanura | |
| 10 a | · BOW (máx.) | 60 micras |
| 10b | · TIR (max.) | 6 micras |
| 10c | · TAPER (máx.) | 12 micras |
| 10d | · WARP (máx.) | 60 micras |
| 11 | Piso primaria | |
| 11a | · Longitud | 57,5 ± 2,5 mm |
| 11b | · Orientación | {110} ± 2 ° según la norma SEMI |
| 11c | secundaria plana | Según la norma SEMI |
| 12 | Acabado de la superficie frontal | pulido espejo |
| 13 | Max. partículas de tamaño ≥0.3μm | 30 |
| 14 | · Chips rasguños, Haze, EDGE, | Nulo |
| Piel de naranja y otros defectos | ||
| 15 | Back Surface | pulido espejo |
| 16 | Requisito de embalaje | Si se sellado al vacío en la clase '10' |
| environment in double layer packing. | ||
| Wafers should be shipped in Fluorware | ||
| ORION TWO wafer shippers or equivalent | ||
| make made from ultra clean polypropylene |
1.3 Monitor Wafer/maniquí oblea
Monitor / maniquí oblea de silicio
| Diámetro de la oblea | Pulido | oblea de superficie | Espesor de la oblea | Resistividad | Partícula |
| Orientación | |||||
| 4 " | 1 cara | 100/111 | 250-500μm | 0-100 | 0.2μm≤qty30 |
| 6 " | 1 cara | 100 | 500-675μm | 0-100 | 0.2μm≤qty30 |
| 8 " | 1 cara | 100 | 600-750μm | 0-100 | 0.2μm≤qty30 |
| 12 " | 2 laterales | 100 | 650-775μm | 0-100 | 0.09μm≤qty100 |
1.4 REGENERATED 200mm WAFERS
| Ít# | PARÁMETRO | Unidades | Valor | Notas |
| 1 | Método de crecimiento | CZ | ||
| 2 | Orientación | 1-0-0 | ||
| 3 | Resistividad | Ωм.см | 1-50 | |
| 4 | Tipo / dopante | р, n / | ||
| Boro, fósforo | ||||
| 5 | Espesor | мкм | 1гр. - 620, | |
| 2гр. - 650 | ||||
| 3гр. - 680 | ||||
| 4гр. - 700 | ||||
| 5гр. - 720 | ||||
| 6 | GBIR (TTV | мкм | 1-3гр. <30, | |
| 4-5гр. <20 | ||||
| 7 | GLFR (TIR | мкм | <10 | |
| 8 | Deformación | мкм | <60 | |
| 9 | Arco | мкм | <40 | |
| 10 | la contaminación por metales | 1 / см2 | <3E10 | |
| 11 | superficie frontal | Pulido | ||
| 12 | superficie frontal visual: | |||
| Haze, rasguños, manchas, manchas | ninguno | |||
| Piel de naranja | ninguno | |||
| Las grietas, cráteres | ninguno | |||
| 13 | Frente LPD lateral: | Número de obleas con el valor del parámetro indicado debe ser no menos del 80% de lotes, | ||
| <0,12мкм | <100 | |||
| <0,16мкм | <50 | |||
| <0,20мкм | <20 | |||
| <0,30мкм | <10 |
1.5 Coinroll Silicon Wafer
Spec : 12” , Bare Silicon, Thickness >750um , Notch , Slight scratch and stain that we will process IPA , DI water with Ultra sonic. (PAM171117-SI)
2. Dummy Wafer Definition
Dummy wafer (also called as test wafers) is a Si dummy wafer mainly used for experiment and test and being different from general wafers for product. Accordingly, reclaimed wafers are mostly applied as dummy grade wafers (obleas de prueba).
In each process, film thickness, pressure resistance, reflection index and presence of pinball are measured using dummy Si wafer(test wafer). Also, dummy wafers (test wafers) are used for measurement of pattern size, check of defect and so on in lithography.
láminas monitoras are the bare silicon wafers to be used in the case that an adjustment is required in each production step prior to the actual IC production. For example, when the conditions of each process are set, such as the case of measuring tolerance of device against ( the variation of ) substrate thickness, coinroll silicon wafers for spacer wafers are being used as a substitution of high-standard and high value wafers. Moreover, they are also used for the monitoring purpose in the process together with product wafers. Monitor wafers are necessary wafer materials as important as product prime wafers. They are also called as test wafers together with dummy wafers.
Para obtener más detalles del producto o si ha requerido la especificación, por favor contacte con nosotros en [email protected] o [email protected]
obleas-1 de silicio de grado de prueba
obleas-2 silicio de grado de prueba
obleas-3 de silicio de grado de prueba
obleas-4 silicio de grado de prueba
obleas de silicio-5 grado de prueba
obleas-6 silicio de grado de prueba
obleas-7 silicio de grado de prueba
obleas-8 silicio de grado de prueba
obleas-9 de silicio de grado de prueba
obleas-10 de silicio de grado de prueba
obleas de silicio de grado-11 Prueba
12″ Dummy Grade Silicon Wafer Thickness 700-730um
12″ Dummy Grade Silicon Wafer Thickness 650-700um
12 "prueba de la categoría oblea de silicio
También te puede interesar ...
-
Plantillas de GaN
Los productos de plantilla de PAM-XIAMEN consisten en capas cristalinas de (nitruro de galio) plantillas de GaN, (nitruro de aluminio) plantilla de AlN, (nitruro de aluminio y galio) plantillas de AlGaN y (nitruro de galio indio) plantillas de InGaN, que se depositan en zafiro -
Cz Mono-silicio cristalino
PAM-XIAMEN, un productor de silicio monocristalino a granel, puede ofrecer obleas de silicio monocristalino <100>, <110> y <111> con dopante N&P en 76,2~200 mm, que se cultivan mediante el método CZ. El método Czochralski es un método de crecimiento de cristales, denominado método CZ. Está integrado en un sistema de calor de tubo recto, calentado por resistencia de grafito, funde el polisilicio contenido en un crisol de cuarzo de alta pureza y luego inserta el cristal semilla en la superficie de la masa fundida para soldar. Después de eso, el cristal semilla giratorio se baja y se funde. El cuerpo es infiltrado y tocado, levantado gradualmente y terminado o tirado a través de los pasos de cuello, cuello, hombro, control de igual diámetro y acabado.
-
Oblea de silicio epitaxial
La oblea epitaxial de silicio (Oblea Epi) es una capa de monocristal de silicio epitaxial depositada en una oblea de silicio de cristal único (nota: está disponible para hacer crecer una capa de capa de silicio policristalino sobre una oblea de silicio monocristalino altamente dopada, pero necesita una capa amortiguadora (como óxido o poli-Si) entre el sustrato de Si a granel y la capa de silicio epitaxial superior. También se puede usar para transistores de película delgada.
-
Aguafuerte oblea
Las obleas de silicio para grabado que ofrece PAM-XIAMEN son obleas de grabado tipo N o tipo P, que tienen baja aspereza, baja reflectividad y alta reflectividad. La oblea de grabado tiene las características de baja rugosidad, buen brillo y costo relativamente bajo, y sustituye directamente la oblea pulida o la oblea epitaxial que tiene un costo relativamente alto para producir elementos electrónicos en algunos campos, lo que reduce los costos.
-
SiC de epitaxia
Proporcionamos película de encargo fina (carburo de silicio) epitaxia de SiC sobre 6H o 4H sustratos para el desarrollo de dispositivos de carburo de silicio. SiC epi oblea se utiliza principalmente para diodos Schottky, de óxido metálico semiconductor transistores de efecto de campo, el efecto de campo de unión -
oblea pulida
PAM-XIAMEN puede ofrecer oblea pulida, tipo n o tipo p con orientación en <100>, <110> o <111>. Obleas pulidas FZ, principalmente para la producción de rectificador de silicio (SR), rectificador controlado de silicio (SCR), transistor gigante (GTR), tiristor (GRO)
-
GaAs epiwafer
PAM-XIAMEN fabrica varios tipos de materiales semiconductores de tipo n dopados con silicio epi wafer III-V basados en Ga, Al, In, As y P cultivados por MBE o MOCVD. Suministramos estructuras de epiwafer de GaAs personalizadas para cumplir con las especificaciones del cliente, comuníquese con nosotros para obtener más información.
-
Flotador-Zone Mono-silicio cristalino
PAM-XIAMEN puede ofrecer obleas de silicio de zona flotante, que se obtiene mediante el método de zona flotante. Las varillas de silicio monocristalino se obtienen a través del crecimiento de la zona de flotación y luego procesan las varillas de silicio monocristalino en obleas de silicio, llamadas obleas de silicio de zona de flotación. Dado que la oblea de silicio de zona fundida no está en contacto con el crisol de cuarzo durante el proceso de silicio de zona flotante, el material de silicio está en estado suspendido. Por lo tanto, está menos contaminado durante el proceso de fusión del silicio en la zona flotante. El contenido de carbono y el contenido de oxígeno son menores, las impurezas son menores y la resistividad es mayor. Es adecuado para la fabricación de dispositivos de potencia y ciertos dispositivos electrónicos de alto voltaje.
Related Products
-
12″ Silicon Wafers 300mm TOX ( Si Thermal Oxidation Wafer )
PAM-XIAMEN ofrece oblea de óxido de silicio y oblea de dióxido de 300 mm. La oblea de silicio de óxido térmico o la oblea de dióxido de silicio es una oblea de silicio desnuda con una capa de óxido cultivada mediante un proceso de oxidación seca o húmeda. La capa de óxido térmico de la oblea de silicio generalmente se cultiva en un horno de tubo horizontal, y el rango de temperatura del óxido de la oblea de silicio es generalmente de 900 ℃ ~ 1200 ℃. En comparación con la capa de óxido de CVD, la capa de óxido de oblea de silicio tiene mayor uniformidad, mejor compacidad, mayor rigidez dieléctrica y mejor calidad.
-
12 "prueba de la categoría oblea de silicio
PAM-XIAMEN ofrece obleas de silicio desnudas de 300 mm (12 pulgadas) ficticias, grado de prueba, tipo n o tipo p. En comparación con otros proveedores de obleas de silicio, Powerway Wafer ofrece un servicio profesional a precios competitivos.
-
12 "Primer Grado oblea de silicio
PAM-XIAMEN ofrece obleas de silicio desnudo de 300 mm (12 pulgadas) en grado principal, tipo n o tipo p, y el grosor de la oblea de silicio de 300 mm es de 775±15. En comparación con otros proveedores de obleas de silicio, el precio de las obleas de silicio de Powerway Wafer es más competitivo con una mayor calidad. Las obleas de silicio de 300 mm tienen un mayor rendimiento por oblea que las obleas de silicio permeables de gran diámetro.
