El detector SWIR (infrarrojo de onda corta) se usa ampliamente en la detección remota aeroespacial, visión nocturna con poca luz, diagnóstico médico, industria agrícola, monitoreo de seguridad y otros campos. El detector InGaAs infrarrojo de onda corta tiene las características de alta tasa de detección, alta uniformidad y alta estabilidad, y es una de las opciones ideales para el desarrollo de sistemas optoelectrónicos infrarrojos de onda corta miniaturizados, de baja potencia y alta confiabilidad. En términos del plano focal InGaAs de longitud de onda convencional, se ha desarrollado desde 256 × 1, 512 × 1 isolíneas de elementos hasta 320 × 256, 640 × 512, 1280 × 1024 y otras especificaciones de la matriz de áreas. Y la detectabilidad y la corriente oscura se mejoran continuamente.PAM-XIAMENpuede ofrecer el detector SWIR basado en InGaAs con píxeles de 320 × 256, 640 × 512 y 1280 × 1024. Más parámetros, consulte las hojas de datos a continuación:
1. Ficha técnica de los detectores SWIR de InGaAs
1.1 Detector infrarrojo InGaAs (simulación) 640 x 512
| Producto | Parámetros principales | |
| MW 640 x 512 InGaAs (simulación) Detector infrarrojo | Número de píxeles | 640 x 512 |
| Tamaño de píxel | 15 um | |
| Operabilidad de píxeles | 99% | |
| Heterogeneidad de respuesta | ≤6% | |
| Rango de respuesta espectral del detector | 0,9 um ~ 1,7 um | |
| Velocidad máxima de fotogramas | ≥300 Hz@8Passageway | |
| Señal de salida | simulación | |
| Ganancia | 3 barras | |
| Canal de salida | 2/4/8 | |
| Integración | ITR o IWR | |
| Eficiencia cuántica | ≥70%@(1.0-1.6 um) | |
| Dispositivo de corriente oscura | ≤20fA@-0.1V, 273k | |
| Consumo de energía típico | 280 mW | |
| Temperatura de funcionamiento | -40℃-+50℃ | |
| Temperatura de almacenamiento | -55℃-+70℃ | |
| Peso | ≤20g | |
| Otras características | CDS INTERNOS, apertura de ventana | |
1.2 Detector IR basado en InGaAs, 640 x 512 (Números)
| Producto | Parámetros principales | |
| MW 640 x 512 InGaAs (números) Detector infrarrojo | Número de píxeles | 640 x 512 |
| Tamaño de píxel | 15 um | |
| Operabilidad de píxeles | 99% | |
| Heterogeneidad de respuesta | ≤6% | |
| Rango de respuesta espectral del detector | 0,9 um ~ 1,7 um | |
| Velocidad máxima de fotogramas | ≥60 Hz | |
| Señal de salida | números | |
| Ganancia | 2 barras | |
| Canal de salida | 2 | |
| Integración | ITR o IWR | |
| Eficiencia cuántica | ≥70%@(1.0-1.6 um) | |
| Dispositivo de corriente oscura | ≤20fA@-0.1V, 273K | |
| Consumo de energía típico | 300 mW | |
| Temperatura de funcionamiento | -40℃-+50℃ | |
| Temperatura de almacenamiento | -55℃-+70℃ | |
| Peso | ≤20g | |
| Otras características | ADC de 14 bits incorporado | |
1.3 Detector InGaAs 320 x 256 (simulación)
| Producto | Parámetros principales | |
| MW 320 x 256 InGaAs (simulación) Detector infrarrojo | Número de píxeles | 320 x 256 |
| Tamaño de píxel | 30 um | |
| Operabilidad de píxeles | 99% | |
| Heterogeneidad de respuesta | ≤6% | |
| Rango de respuesta espectral del detector | 0,9 um ~ 1,7 um | |
| Velocidad máxima de fotogramas | ≥300 Hz@4Passageway | |
| Señal de salida | simulación | |
| Ganancia | 2 barras | |
| Canal de salida | 1/2/4 | |
| Integración | ITR o IWR | |
| Eficiencia cuántica | ≥70%@(1.0-1.6 um) | |
| Dispositivo de corriente oscura | ≤100fA@-0.1V, 273k | |
| Consumo de energía típico | 280 mW | |
| Temperatura de funcionamiento | -40℃-+50℃ | |
| Temperatura de almacenamiento | -55℃-+70℃ | |
| Peso | ≤20g | |
| Otras características | CDS INTERNOS, apertura de ventana | |
1.4 Detector InGaAs SWIR extendido con 1280 x 1024 píxeles (números)
| Producto | Parámetros principales | |
| MW 1280 x 1024 InGaAs (números) Detector infrarrojo | Número de píxeles | 1280 x 1024 |
| Tamaño de píxel | 10 um | |
| Operabilidad de píxeles | 99% | |
| Heterogeneidad de respuesta | ≤6% | |
| Rango de respuesta espectral del detector | 0,9 um ~ 1,7 um | |
| Velocidad máxima de fotogramas | ≥50 Hz@4Passageway | |
| Señal de salida | números | |
| Ganancia | ≥2 barras | |
| Canal de salida | 4 | |
| Integración | ITR o IWR | |
| Eficiencia cuántica | ≥70%@(1.0-1.6 um) | |
| Dispositivo de corriente oscura | ≤10fA@-0.1V, 273k | |
| Consumo de energía típico | 370MW | |
| Temperatura de funcionamiento | -40℃-+50℃ | |
| Temperatura de almacenamiento | -55℃-+70℃ | |
| Peso | ≤20g | |
| Otras características | ADC DE 15 BITS INTEGRADO, rango dinámico ≥80dB | |
2. Características de la tecnología de imagen basada en la matriz de detectores SWIR
Los generadores de imágenes SWIR InGaAs tienen principalmente las siguientes características:
1) Las imágenes SWIR se basan principalmente en el principio de imágenes de luz reflejada del objetivo. La imagen tiene las características de alto contraste de imagen y detalles claros del objetivo;
2) El generador de imágenes basado en puntos cuánticos SWIR se ve menos afectado por la dispersión atmosférica a una distancia de detección efectiva larga y tiene una gran capacidad para penetrar la niebla, la neblina y el humo. La adaptabilidad del detector SWIR a las condiciones climáticas y los entornos del campo de batalla es superior a las imágenes de luz visible;
3) La irradiación de fotones se distribuye principalmente en la banda SWIR de 1,0-1,8 um en visión nocturna, lo que hace que los detectores SWIR InGaAs para visión nocturna en el objetivo sean más potentes que las imágenes de visión nocturna con luz visible;
4) Since the maturity of laser light source technology, SWIR InGaAs focal plane imaging has an obvious comparative advantage in stealth active imaging.
Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico a victorchan@powerwaywafer.com y powerwaymaterial@gmail.com.