PAM-XIAMEN puede ofrecer una oblea de silicio de prueba de 4 pulgadas con un solo lado pulido. Los parámetros para la oblea de 4 ″ -SSP Si en el grado de prueba son los siguientes:
1. Parámetros de la oblea de cristal único de Si en el grado de prueba
Oblea PAM-210310-Si
| Si. No | Artículo | Especificaciones |
| 1 | Método de cultivo | CZ |
| 2 | Diámetro de la oblea | 100 ± 0,5 mm |
| 3 | Espesor de la oblea | 525 ± 25 micras |
| 4 | Oblea de superficie Orientación | <100> ± 0,5º |
| 5 | Tipo | Tipo P |
| 6 | dopante | Boron |
| 7 | densidad de dislocaciones | Menos de 5000 / cm2 |
| 8 | Resistividad | 2-8 ohmios-cm |
| 9 | Variación de resistividad radial (máx.) | N / A |
| 10 | Llanura | |
| 10 a | ARCO (máx.) | 50 micras |
| 10b | TIR | N / A |
| 10c | TTV | 10 micras |
| 10d | DEFORMACIÓN | N / A |
| 11 | Piso primaria | |
| 11a | Largo | 32,5 ± 2,5 milímetro |
| 11b | Orientación | (110) ± 0,2º según estándar SEMI |
| 11c | secundaria plana | Según la norma SEMI |
| 12 | Acabado de la superficie frontal | pulido espejo |
| 13 | Max. partículas de tamaño ≥0.3μm | <30 piezas |
| 14 | Arañazos, neblina, astillas en los bordes, piel de naranja y otros defectos | N / A |
| 15 | Back Surface | Grabado |
| 16 | Requisito de embalaje | casete de oblea |
2. Future Development of Test Grade Silicon Wafer
El silicio monocristalino de alta pureza es un material semiconductor importante. Se puede formar un semiconductor de silicio de tipo p añadiendo una pequeña cantidad de elementos del grupo IIIA al silicio monocristalino; Se agrega una pequeña cantidad de elementos del grupo VA para formar un semiconductor de tipo n. El semiconductor de tipo p y el semiconductor de tipo n se combinan para formar una unión pn. Además, los diodos, triodos, tiristores, transistores de efecto de campo y varios circuitos integrados (incluidos chips y CPU en computadoras) están hechos de silicio. El grado de prueba de obleas de silicio es un material prometedor en el desarrollo de energía.
Actualmente, la industria fotovoltaica todavía está dominada por obleas de silicio tipo P. Las obleas de silicio de tipo P están dopadas con boro. El coeficiente de segregación de boro y silicio es equivalente y la uniformidad de la dispersión es fácil de controlar. Por lo tanto, el proceso de fabricación es simple y el costo es menor, pero la mayor eficiencia tiene una limitación. Las obleas de silicio de tipo N están dopadas con fósforo y la compatibilidad del fósforo con el silicio es pobre. La distribución del fósforo es desigual cuando se estira la varilla y el proceso es más complicado. Sin embargo, la oblea de silicio de grado de prueba tipo N generalmente tiene una vida útil más larga y la eficiencia de la batería puede ser mayor. La mejora de la eficiencia se refiere a la mejora de la eficiencia de conversión fotoeléctrica. Entonces, en el futuro, el desarrollo tecnológico de las obleas de silicio se basa principalmente en mejorar la eficiencia y reducir los costos.
Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico a victorchan@powerwaywafer.com y powerwaymaterial@gmail.com.