Top 10 Publicación en en Microelectrónica y Embalaje electrónica por cuenta de cita

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Enviar: PAM-XIAMEN, Fecha: Jan 13,2020

PAM-XIAMEN ha compilado parte superior 10 de los datos de clasificación y el nombre de la publicación en Microelectrónica y Embalaje electrónica por citación en factor de impacto (h5-index y la mediana h5, según Google scholar)

PAM-Xiamen es un fabricante líder de oblea de semiconductor tal como SiC oblea y GaN oblea para el dispositivo de la microelectrónica o dispositivos semiconductores

La publicación superior son:

 

Publicación h5-index h5-media
1. IEEE Transactions on Electron Devices 56 66
2. Device Letters IEEE Electron 53 69
3. Dispositivos IEEE Internacional de Electrónica de Reunión, IEDM 44 62
4. Electronics Letters 39 50
5. Ingeniería microelectrónica 34 46
6. La fiabilidad de la microelectrónica 32 42
7. IEEE Transactions on Componentes, Envases y Tecnología de Fabricación 30 37
8. MTT-S Microondas Simposio IEEE / Internacional 28 38
9. microelectrónica Diario 28 36
10. IEEE Simposio sobre Tecnología VLSI 27 46

Referencia: Microelectrónica y montaje para la electrónica

 

 

 

 

 

 

 

La parte superior es 1 IEEE Transactions on Electrón dispositivos, que publica contribuciones originales y significativos relacionados con la teoría, modelado, diseño, rendimiento y fiabilidad de los electrones y los dispositivos e interconexiones de circuito integrado de iones. En esta publicación, los 5 primeros artículos tiene la mayor contribución de h5-index:

 

Título / Autor Citado por Año
Experimental Demonstration and Tolerancing of a Large-Scale Neural Network (165 000 Synapses) Using Phase-Change Memory as the Synaptic Weight Element

GW Burr, RM Shelby, S Sidler, C di Nolfo, J Jang, que Boybat, RS Shenoy, ...

353 2015
GaN-on-Si Power Technology: Devices and Applications

KJ Chen, O Häberlen, A Lidow, C lin Tsai, T Ueda, Y Uemoto, Y Wu

205 2017
Vertical Power pn Diodes Based on Bulk GaN

IC Kizilyalli, AP Edwards, O Aktas, T Prunty, D Bour

170 2014
Basic Mechanisms of Threshold-Voltage Instability and Implications for Reliability Testing of SiC MOSFETs

AJ Lelis, R Green, DB Habersat, M El

155 2014
Crossbar RRAM Arrays: Selector Device Requirements During Read Operation

J Zhou, KH Kim, W Lu

107 2014

 

El sistema de evaluación del factor H fue propuesto originalmente por Jorge Hirsch, un físico de California, para evaluar la influencia de un académico. Es decir, una persona que ha citado al menos n documentos publicados en todas sus trabajos académicos, y su índice h es n. Del mismo modo, Google Académico lo utiliza para la evaluación de revistas y fija un plazo de cinco años para evitar el problema de que el factor H sólo aumenta y no disminuye. Otro concepto relacionado es H5 mediana, que se refiere al número de citas de documentos de la mediana de H-núcleo. También es diferente del concepto de media hora de calcular los factores de impacto.

En comparación con los factores de impacto de dos años, es más difícil para las personas que manipulan deliberadamente los indicadores revista de metrología basado en H5. El factor H5 no aumenta significativamente debido al número de artículos citados. Como se mencionó anteriormente, reduciendo deliberadamente el número de mensajes no sólo no tendrá ningún efecto sobre la promoción de los factores H5, sino que también tienen un impacto negativo. Aquí es h5 los artículos publicados en 2014-2018

 

Definición: Microelectrónica y montaje para la electrónica: el estudio y fabricación de la microelectrónica, multi-chips módulo de tecnologías, envases electrónica, materiales semiconductores, montaje en superficie y otras tecnologías relacionadas, interconexiones, RF y microondas, comunicaciones inalámbricas, fabricación, diseño, prueba y fiabilidad basado en material semiconductor, tales como obleas de silicio, SiC oblea, y GaN oblea. La cadena de proceso completo son sustrato semiconductor, epitaxia de semiconductor, el dispositivo semiconductor o módulo y envasado electrónico.

 

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