Top 10 Publicación en en Microelectrónica y Embalaje electrónica por cuenta de cita
Enviar: PAM-XIAMEN, Fecha: Jan 13,2020
PAM-XIAMEN ha compilado parte superior 10 de los datos de clasificación y el nombre de la publicación en Microelectrónica y Embalaje electrónica por citación en factor de impacto (h5-index y la mediana h5, según Google scholar)
La publicación superior son:
Publicación | h5-index | h5-media | |
1. | IEEE Transactions on Electron Devices | 56 | 66 |
2. | Device Letters IEEE Electron | 53 | 69 |
3. | Dispositivos IEEE Internacional de Electrónica de Reunión, IEDM | 44 | 62 |
4. | Electronics Letters | 39 | 50 |
5. | Ingeniería microelectrónica | 34 | 46 |
6. | La fiabilidad de la microelectrónica | 32 | 42 |
7. | IEEE Transactions on Componentes, Envases y Tecnología de Fabricación | 30 | 37 |
8. | MTT-S Microondas Simposio IEEE / Internacional | 28 | 38 |
9. | microelectrónica Diario | 28 | 36 |
10. | IEEE Simposio sobre Tecnología VLSI | 27 | 46 |
Referencia: Microelectrónica y montaje para la electrónica
La parte superior es 1 IEEE Transactions on Electrón dispositivos, que publica contribuciones originales y significativos relacionados con la teoría, modelado, diseño, rendimiento y fiabilidad de los electrones y los dispositivos e interconexiones de circuito integrado de iones. En esta publicación, los 5 primeros artículos tiene la mayor contribución de h5-index:
Título / Autor | Citado por | Año |
Experimental Demonstration and Tolerancing of a Large-Scale Neural Network (165 000 Synapses) Using Phase-Change Memory as the Synaptic Weight Element
GW Burr, RM Shelby, S Sidler, C di Nolfo, J Jang, que Boybat, RS Shenoy, ... |
353 | 2015 |
GaN-on-Si Power Technology: Devices and Applications
KJ Chen, O Häberlen, A Lidow, C lin Tsai, T Ueda, Y Uemoto, Y Wu |
205 | 2017 |
Vertical Power pn Diodes Based on Bulk GaN
IC Kizilyalli, AP Edwards, O Aktas, T Prunty, D Bour |
170 | 2014 |
Basic Mechanisms of Threshold-Voltage Instability and Implications for Reliability Testing of SiC MOSFETs
AJ Lelis, R Green, DB Habersat, M El |
155 | 2014 |
Crossbar RRAM Arrays: Selector Device Requirements During Read Operation
J Zhou, KH Kim, W Lu |
107 | 2014 |
El sistema de evaluación del factor H fue propuesto originalmente por Jorge Hirsch, un físico de California, para evaluar la influencia de un académico. Es decir, una persona que ha citado al menos n documentos publicados en todas sus trabajos académicos, y su índice h es n. Del mismo modo, Google Académico lo utiliza para la evaluación de revistas y fija un plazo de cinco años para evitar el problema de que el factor H sólo aumenta y no disminuye. Otro concepto relacionado es H5 mediana, que se refiere al número de citas de documentos de la mediana de H-núcleo. También es diferente del concepto de media hora de calcular los factores de impacto.
En comparación con los factores de impacto de dos años, es más difícil para las personas que manipulan deliberadamente los indicadores revista de metrología basado en H5. El factor H5 no aumenta significativamente debido al número de artículos citados. Como se mencionó anteriormente, reduciendo deliberadamente el número de mensajes no sólo no tendrá ningún efecto sobre la promoción de los factores H5, sino que también tienen un impacto negativo. Aquí es h5 los artículos publicados en 2014-2018
Definición: Microelectrónica y montaje para la electrónica: el estudio y fabricación de la microelectrónica, multi-chips módulo de tecnologías, envases electrónica, materiales semiconductores, montaje en superficie y otras tecnologías relacionadas, interconexiones, RF y microondas, comunicaciones inalámbricas, fabricación, diseño, prueba y fiabilidad basado en material semiconductor, tales como obleas de silicio, SiC oblea, y GaN oblea. La cadena de proceso completo son sustrato semiconductor, epitaxia de semiconductor, el dispositivo semiconductor o módulo y envasado electrónico.