PAM-XIAMEN ofrece oblea de GaAs ultrafina con ambos lados pulidos, que es para productos de alta gama en la electrónica de comunicación u optoelectrónica. El espesor general de la oblea de GaAs existente es superior a 350 μm y el espesor objetivo del disco abrasivo ultrafino es de 100 μm. PAM190709-GAAS con tipo n y sin dopar de la siguiente manera:
1. Especificaciones de las obleas ultrafinas de GaAs
Oblea de GaAs ultrafina tipo 1,1 N
| Artículo | Parámetro | Especificaciones | Data de muestra | Unidad |
| 1 | método de crecimiento | VGF | VGF | — |
| 2 | Diámetro | 50.6土0.2 | 50,6士0,2 | mm |
| 3 | Tipo-Dopante | norte/si | N/SI | — |
| 4 | Resistividad | (0,8-9,0)E-3 | (1,78-5,69)E-3 | Ohm.cm |
| 5 | Movilidad | >1500 | >1500 | cm2/vs |
| 6 | concentración de portadores | (0.4-4.0)E18 | (0,47-4,00)E18 | /cm3 |
| 7 | EPD | ≦5000 | ≦5000 | /cm2 |
| 8 | Orientación del cristal | (100)2°+/-0,5°apagado | (100).2°+/-0,5°apagado | grado |
| hacia-<111>Aa≈0° | hacia<111>Aa=0° | |||
| 9 | Orientación plana primaria | EJ(0-1-1)+/-0,5° | EJ(0-1-1)+0,5° | grado |
| Largo | 17+/-1.0 | 17+/-1.0 | mm | |
| 10 | Orientación plana secundaria | EJ(0-11)0,5° | EJ(0-11)+0,5° | grado |
| Largo | 7+/-1.0 | 7+/-1.0 | mm | |
| 11 | Espesor | 110+/-15 | 110+/-15 | em |
| 12 | Superficie lateral frontal | Pulido | Pulido | — |
| 13 | Superficie trasera | Pulido | Pulido | — |
| 14 | TELEVISOR | N / A | N / A | em |
| 15 | Arco | N / A | N / A | em |
| 16 | deformación | N / A | N / A | em |
Oblea ultrafina de GaAs
1.2 C doped Ultra Thin Gallium Arsenide Wafer
| Artículo | Parámetro | Especificaciones | Data de muestra | Unidad |
| 1 | método de crecimiento | VGF | VGF | — |
| 2 | Diámetro | 50.6土0.2 | 50,6士0,2 | mm |
| 3 | Tipo-Dopante | N/c doped | N/c doped | — |
| 4 | Resistividad | >=1E7 | >=1E7 | Ohm.cm |
| 5 | Movilidad | >3000 | >3000 | cm2/vs |
| 6 | concentración de portadores | – | – | /cm3 |
| 7 | EPD | <5000 | <5000 | /cm2 |
| 8 | Orientación del cristal | (100)+/-0,5 | (100)+/-0,5 | grado |
| 9 | Orientación plana primaria | EJ(0-1-1)+/-0,5° | EJ(0-1-1)+0,5° | grado |
| Largo | 17+/-1.0 | 17+/-1.0 | mm | |
| 10 | Orientación plana secundaria | EJ(0-11)0,5° | EJ(0-11)+0,5° | grado |
| Largo | 7+/-1.0 | 7+/-1.0 | mm | |
| 11 | Espesor | 110+/-15 | 110+/-15 | em |
| 12 | Superficie lateral frontal | Pulido | Pulido | — |
| 13 | Superficie trasera | Pulido | Pulido | — |
| 14 | TELEVISOR | N / A | N / A | em |
| 15 | Arco | N / A | N / A | em |
| 16 | deformación | N / A | N / A | em |
2. Objetivos de la oblea ultrafina de GaAs
La oblea ultrafina de GaAs tiene como objetivo reducir la resistencia del tubo del interruptor de alimentación, evitar una mala conductividad térmica y eliminar vías largas a través del sustrato para lograr la interconexión de la electricidad con la parte posterior del chip. Además, la oblea ultradelgada de GaAs puede aumentar el calor y simplificar las interconexiones verticales para mejorar la eficiencia del dispositivo.
Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico avictorchan@powerwaywafer.comypowerwaymaterial@gmail.com