Chip de oblea láser VCSEL
PAM-XIAMEN ofrece oblea epitaxial VCSEL (láser de emisión de superficie de cavidad vertical) de 850 nm, 850 nm y 940 nm para telecomunicación, reconocimiento de gestos, imágenes 3D y otras aplicaciones, que se cultiva mediante MOCVD con múltiples pozos cuánticos de GaAs/AlGaAs ( MQWs) como la capa activa.
Tenemos tres artículos: oblea epitaxial VCSEL (3 ", 4"), oblea sin cortar VCSEL pero grabada y probada, 6 "(puede cortarla y usarla directamente), troquel de oblea VCSEL.
1. Oblea VCSEL sin cortar pero sellada y probada, 6 ”(puede cortarla y usarla directamente), troquel de oblea VCSEL.
| Longitud de onda | Potencia de chip | VCSEL Oblea no escindida pero sellada y probada |
| – | Troquel de obleas | tamaño de 6 pulgadas |
| 808nm | 1.2W | / |
| 850nm | 1.2W | / |
| 940nm | 2W | / |
| 940nm | 3W | / |
Potencia 1,2W
Corriente de trabajo 1,8 A
Longitud de onda central 809,8 nm
Ancho espectral (FWHM) 1,1 nm
Temperatura de prueba 20 ℃
Tamaño de punto 11 um
Disposición puntual De cerca
Paso mínimo 23,3 um
Umbral de corriente 0,43 A
Tensión de trabajo 2,1 V
Divergencia lejana 21,4 °
Ángulo -
Eficiencia de pendiente 0,88 W/A
IPCE 31,1 %
Punto número 297 piezas
Tamaño de matriz 631*535 um2
1.2 850nm VCSEL Die a 1W
Potencia 1,3W
Corriente de trabajo 1,8 A
Longitud de onda central 851,9 nm
Ancho espectral (FWHM) 2,1 nm
Temperatura de prueba 20 ℃
Tamaño de punto 11 um
Disposición puntual De cerca
Paso mínimo 23,3 um
Umbral de corriente 0,40 A
Tensión de trabajo 2,2 V
Divergencia lejana 23,7°
ángulo -
Eficiencia de pendiente 0,94 W/A
IPCE 33,2 %
Punto número 297 piezas
Tamaño de matriz 631*535 um2
1.3 Troquel VCSEL de 940nm a 2W
Potencia 2,1W
Corriente de trabajo 2,8 A
Longitud de onda central 948,2 nm
Ancho espectral (FWHM) 1,3 nm
Temperatura de prueba 50 ℃
Tamaño de punto 11 um
Disposición puntual De cerca
Paso mínimo 33 um
Umbral de corriente 0,38 A
Voltaje de trabajo 2,0 V
Divergencia lejana 19,8 °
ángulo -
Eficiencia de pendiente 0,87 W/A
IPCE 36,8 %
Punto número 305 uds.
Tamaño de matriz 815*715 um2
1.4 940nm VCSEL Die a 3W
Potencia 2,7W
Corriente de trabajo 3.5 A
Longitud de onda central 949,6 nm
Ancho espectral (FWHM) 1,1 nm
Temperatura de prueba 50 ℃
Tamaño de punto 11 um
Disposición puntual De cerca
Paso mínimo 40 um
Umbral de corriente 0,47 A
Voltaje de trabajo 2,0 V
Divergencia lejana 20,8°
ángulo -
Eficiencia de pendiente 0,86 W/A
IPCE 36,7 %
Punto número 364 piezas
Tamaño de matriz 1016*910 um2
2. Oblea epitaxial VCSEL (3”, 4”)
2.1 Estructura de oblea epitaxial VCSEL:
p+-GaAs
P-AlGaAs
P-DBR
Al0.98GaAs
MQW
AlGaAs
n-DBR
capa amortiguadora de n-GaAs
sustrato de n-GaAs
2.2Parámetros de la oblea epitaxial VCSEL:
Parámetros Valores típicos
Centro SB < ±10 nm
Uniformidad de espesor < ±2.5%
Uniformidad de longitud de onda PL < ±1,5 nm
Control antidopaje < ±30%
Fracción molar (x) Tolerancia < ±2 %
2.3 Rendimiento del dispositivo VCSEL:
Parámetros Valores típicos
Threshold current@25℃ < 2 mA (15mm aperture)
Longitud de onda 845-855 nm
Eficiencia de pendiente > 0,5 W/A
Temperatura de funcionamiento 0 ℃ ~ 80 ℃
Para obtener más información, envíenos un correo electrónico avictorchan@powerwaywafer.comypowerwaymaterial@gmail.com