La oblea VCSEL de pozo cuántico de GaAs con una longitud de onda de emisión de 808 nm está disponible para bombeo óptico. VCSEL (láser emisor de superficie de cavidad vertical) se desarrolla sobre la base de materiales semiconductores de arseniuro de galio. The VCSEL fabrication of devices has the advantages of small size, small circular output spot, single longitudinal mode output, low threshold current, low price, and easy integration into a large-area array. Here is the wafer structure of visible wavelength VCSEL material epitaxially-grown on GaAs substrate for your reference, or you can offer PAM-XIAMEN a customized visible wavelength VCSEL material epitaxy structure to evaluate whether it can do or not.
1. Estructura Epi de oblea VCSEL de 808 nm
PAM210706-808VCSEL
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Estructura Epi VCSEL de 808 nm |
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| Materiales | grupo de capas | Rpts | Fracción molar (x) | PL (nm) | Espesor (nm) | dopante | Tipo | Nivel de dopaje |
| GaAs | – | – | – | – | 20 | C | – | 3.0E19 |
| AlxGaAs | – | – | – | – | – | – | – | – |
| AlabamaxGaAs | DBR | – | – | – | – | – | – | – |
| AlabamaxGaAs | – | – | – | – | 47 | – | – | – |
| AlabamaxGaAs | – | – | – | – | – | – | – | – |
| AlabamaxGaAs | – | – | – | – | – | – | – | – |
| AlabamaxGaAs | – | – | – | – | – | U / D | – | – |
| AlxGaAs | – | – | 0.3 | – | – | – | – | – |
| AlGaInAs | – | – | – | 793 | – | – | – | – |
| AlxGaAs | – | – | – | – | – | – | – | – |
| AlGaInAs | – | 2 | – | – | 6 | – | – | – |
| AlxGaAs | – | – | – | – | 4 | – | – | – |
| AlxGaAs | – | – | – | – | – | – | – | – |
| AlxGaAs | – | – | – | – | – | – | N | – |
| AlxGaAs | – | – | – | – | – | – | – | – |
| GaAs | 0 | – | – | – | – | Si | – | – |
| Sustrato | 4 °hacia (110) | – | – | – | – | – | ||
2. ¿Por qué elegir 808nm VCSEL Epiwafer para bombeo óptico?
En el láser, la fuente de la bomba desempeña una función de fuente de excitación, y la oblea láser VCSEL con una longitud de onda de emisión de 808 nm es el componente clave de la fuente de la bomba. El principio de funcionamiento de la fuente de la bomba es que utiliza un diodo láser en una oblea láser VCSEL de 808 nm para bombear inyectando corriente. El voltaje y la corriente de trabajo hacen compatibilidad con el circuito integrado, integrando así el umbral único, obteniendo una salida láser modulada de alta velocidad. Los requisitos del láser para el rendimiento del láser son propiedades ópticas uniformes, excelente transparencia óptica y estabilidad. En una palabra, la oblea epi VCSEL de 808nm es muy adecuada para el láser de estado sólido bombeado por semiconductores de alta potencia.
2.1 Comparación entre la fuente de bomba láser VCSEL y la fuente de bomba láser tradicional
A través de la comparación con la fuente de bomba láser de emisión lateral tradicional de 808 nm, el dispositivo semiconductor VCSEL basado en la oblea VCSEL tiene una buena estabilidad de longitud de onda. El coeficiente de temperatura de longitud de onda de la oblea VCSEL de 808 nm es de 0,07 nm / ° C, mientras que el de la oblea tradicional es de 0,25-0,3 nm / ° C. Además, la oblea láser VCSEL tiene las características de ángulo de divergencia pequeño y salida de haz redondo. Es beneficioso para la colimación o el enfoque, reduciendo el costo y mejorando la confiabilidad, simplificando el enlace de acoplamiento. VCSEL con la estructura epitaxial de oblea de PAM-XIAMEN, que cumple con los estándares industriales, tiene las ventajas de una alta confiabilidad y un amplio rango de temperatura de operación. El uso de fuentes de bomba láser vcsel es la tendencia futura de los láseres de estado sólido de alto rendimiento y los láseres de estado sólido en chip.
2.2 Ventajas de la estructura epitaxial Wafer VCSEL para bomba óptica
Además, se requiere un método de disipación de calor de alta eficiencia, por lo que la estructura VCSEL de emisión inferior tradicional ya no es aplicable. Las pruebas realizadas por PAM-XIAMEN encontraron que el material de sustrato GaAs tiene una fuerte absorción a 808 nm. Por lo tanto, la oblea VCSEL a 808 nm es más aplicable para bombeo óptico.
El chip VCSEL fabricado en la oblea VCSEL tiene una eficiencia de conversión electroóptica de hasta el 45%, alta confiabilidad, alta calidad de haz, larga vida, estructura compacta y bajo costo. Como accesorio principal de los láseres de estado sólido bombeados por semiconductores, los chips VCSEL de 808 nm han sido favorecidos y elogiados por los clientes del mercado.
3. Tendencia de la aplicación de obleas VCSEL
Centrándonos en la industria de VCSEL, existen al menos cuatro tendencias de aplicaciones populares que merecen la atención de los fabricantes de obleas VCSEL:
- Con el aumento del tratamiento médico no invasivo, la demanda de obleas VCSEL en el tratamiento médico con láser aumenta día a día.
- La tendencia de desarrollo del hardware inteligente ha penetrado en muchos aspectos de la industria optoelectrónica, y ha surgido el módulo de cámara inteligente de la oblea 3D TOF VCSEL basada en GaAs.
- La tecnología de IA ha madurado gradualmente. LiDAR es una pieza indispensable para una conducción inteligente. El dispositivo principal de LiDAR es VCSEL de pulso de alta potencia a nivel de vehículo.
- Con el desarrollo de la tecnología 5G, existe una gran demanda en el mercado de chips de comunicación óptica y diodos empaquetados TO.
Con el avance de la fabricación de VCSEL y los procesos de fabricación de VCSEL en el país y en el extranjero, las matrices de obleas VCSEL de 808 nm se están desarrollando en la dirección de gran tamaño, alta potencia máxima y alta densidad de potencia. Las obleas VCSEL también serán cada vez más adecuadas para su uso como fuentes de luz de bombeo para láseres de estado sólido, investigación y campos comerciales.
4. FAQ for VCSEL Wafer
Q: May I ask if any information on the optical pumping (pump wavelength, threshold power, operating tempreature) on the 4inch VCSEL epiwafer is available?
A: To obtain specific data for below parameters of optical pumping device based on our 4”size VCSEL wafer, please contact victorchan@powerwaywafer.com:
Oxidation pore size: XX
ITH: XX
Voltage: XX
Power: XX
PCE: XX
Longitudinal cavity length: XX.
Más sobre la oblea láser epi VCSEL, lea:
GaAs Epiwafer con multicapas de AlGaAs para aplicación láser VCSEL
Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico a victorchan@powerwaywafer.com y powerwaymaterial@gmail.com.