PAM-XIAMEN puede proporcionar un servicio de pulido de obleas para obleas compuestas III-V (comooblea de InSb, oblea GaSb, oblea InAs), oblea semiconductora ultrafina, oblea CZT y otros materiales fotoeléctricos. Nuestro objetivo es adoptar un proceso de pulido químico de alta precisión para minimizar el daño de la superficie. Tome el proceso de pulido de obleas InSb, por ejemplo:

1. Capacidad de pulido de obleas para InSb

El método de pulido de obleas de PAM-XIAMEN está diseñado para reducir la rugosidad de la superficie y eliminar los daños en la superficie para obtener un sustrato de oblea de InSb similar a un espejo. Las obleas de InSb pulidas que podemos obtener son:

2. ¿Por qué la oblea InSb necesita ser pulida?

Detectores infrarrojos basados ​​enmateriales de antimoniuro de indiose están desarrollando en unidades, matrices 1D y matrices de plano focal 2D. Con el aumento del número de píxeles del detector, los factores de calidad importantes, como la tasa de sonido, el ruido, el tiempo de respuesta del detector, no solo dependen de los parámetros del semiconductor, como la concentración de portadores, la movilidad, la vida útil, etc. de la oblea InSb, sino también el estado superficial del chip InSb. Entre los cuales, el aumento de la rugosidad de la superficie aumentará el ruido del dispositivo. Además, aumentará la densidad de los enlaces colgantes de la superficie, lo que mejorará la atracción de la superficie y será más fácil adsorber iones metálicos, lo que conducirá a la disminución de las propiedades eléctricas del chip InSb, y la corriente de fuga será aumentado considerablemente. Por lo tanto, la rugosidad de la superficie afectará el rendimiento del dispositivo. Esta fricción traerá un cierto grado de daño de la máquina al chip InSb. Por lo tanto, para eliminar este daño mecánico, se requiere el pulido de la superficie de la oblea de InSb.

La matriz de plano focal de tipo fijo permite que los sistemas fotoeléctricos infrarrojos modernos logren un rendimiento excelente en términos de sensibilidad a la temperatura, resolución espacial y resolución temporal, y hace que el sistema sea más portátil y confiable. Por lo tanto, el material semiconductor InSb no requiere rayones en la superficie y la rugosidad es inferior a 3A. Los rasguños excesivos y la aspereza excesiva afectarán la sensibilidad del dispositivo. Entonces es necesario pulir una oblea.

Diagrama del equipo CMP

3. Desafíos para el pulido de la oblea InSb

Debido a la baja dureza de la oblea de InSb en comparación con otros materiales semiconductores, el estado de la superficie no es fácil de controlar durante el esmerilado y el pulido, y los daños en la superficie, como grietas, hoyos y pieles de naranja, así como los daños en la superficie, como las transiciones de fase. , dislocaciones y tensión residual, son propensos a ocurrir. Por lo tanto, conducirá al aumento de la densidad del estado superficial y la corriente oscura. Por lo tanto, el proceso de esmerilado y pulido ha sido un proceso clave para la fabricación de dispositivos InSb, especialmente detectores de plano focal infrarrojo de onda media. El proceso de pulido de obleas de semiconductores necesita mejorarse e investigarse urgentemente. La investigación sobre el estado de la superficie de los materiales InSb es relativamente rara en toda la industria, y también faltan ciertos estándares. En comparación con la calidad del material de InSb, el nivel de tecnología de esmerilado y pulido restringe la uniformidad y la mejora del rendimiento de los detectores de plano focal de InSb.

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