Servicio de procesamiento de obleas

Servicio de procesamiento de obleas

PAM-XIAMEN participa en el diseño y procesamiento de dispositivos MEMS y semiconductores compuestos de circuito integrado de microondas GaAs (GaAs MMIC), y se centra en la investigación, desarrollo, producción y servicio de micro-nano sensores, sistemas micro-electromecánicos (MEMS), fabricación micro-nano y chips de GaAs semiconductores compuestos. Somos una empresa de alta tecnología que ofrece un servicio de procesamiento de obleas, que se especializa en la investigación, el desarrollo y la fabricación de sensores MEMS (Micro Electro Mechanical System), y tenemos el nivel avanzado internacional de capacidades de procesamiento y diseño micro-nano. Podemos realizar la producción, empaquetado y prueba de obleas de varios sensores MEMS. Los productos desarrollados por el proceso de semiconductores de obleas incluyen detectores de infrarrojos no refrigerados, sensores de presión, microfluídicos, sensores de gas y otros sensores MEMS. Los productos de circuitos integrados de GaAs de semiconductores compuestos incluyen potencia de transistor de alta movilidad de heterounión forzada (pHEMT), interruptor fotoconductor de GaAs y bajo ruido y otros servicios de procesamiento de chips.

Además, PAM-XIAMEN, como una de las empresas de procesamiento de obleas, se encarga de la fabricación y los servicios de procesamiento de un solo paso y de varios pasos de varios dispositivos semiconductores como MEMS y GaAs, como oxidación térmica de obleas de silicio, implantación de iones, fotolitografía, grabado RIE, PECVD. , LPCVD, pulverización catódica con magnetrón, evaporación por haz de electrones, grabado profundo de silicio, recocido rápido, galvanoplastia, corte, unión, embalaje y otros servicios de fundición de obleas. Suministre todo tipo de obleas de silicio, obleas pulidas simples / dobles, obleas de óxido de silicio, obleas recubiertas, obleas ultra gruesas, obleas de óxido ultra gruesas, obleas chapadas en metal, obleas cortadas, obleas de GaAs y GaP, obleas de GaN, obleas de zafiro, etc.

Los siguientes son los servicios de proceso de oblea a chip que ofrecemos:

1. Servicio de integración de materiales bidimensionales MEMS

Nuestras técnicas de procesamiento de obleas pueden realizar la transferencia de materiales bidimensionales en MEMS.

Servicio de integración de materiales bidimensionales MEMS

2. Servicio de procesamiento de MEMS y Semiconductor Tape Out

Se pueden ofrecer servicios de desarrollo de procesos y eliminación de cintas de chips semiconductores (por ejemplo: DMOS; L-IGBT; MOSFET; PHEMT; HFET; diodo SiC; chip de radiofrecuencia SiC, etc.)

También están disponibles los servicios de desarrollo de procesos y eliminación de cintas de chips MEMS (microfluídicos / sensores de gas / sensores de presión, etc.).

3. Proceso de poliimida

La poliimida (PI) está hecha de dianhídrido piromelítico (PMDA) y éter de diaminodifenilo (DDE) en un solvente polar fuerte mediante policondensación y colada en una película, y luego imidización. La poliimida tiene una excelente resistencia a altas y bajas temperaturas, aislamiento eléctrico, adhesión, resistencia dieléctrica, propiedades mecánicas y resistencia a la radiación. Se puede utilizar durante mucho tiempo en el rango de temperatura de -269 ℃ -280 ℃, y se puede alcanzar una temperatura alta de 400 ℃ en poco tiempo. Dominamos dos tipos de tecnología de procesamiento de dispositivos, película seca PI y pegamento PI, para brindar a los clientes servicios técnicos de alta calidad.

3.1 Aplicación de la tecnología de procesamiento de obleas de poliimida

Como material de ingeniería especial, la poliimida se usa ampliamente en aviación, aeroespacial, microelectrónica, nanómetros, cristal líquido, membranas de separación, láser y otros campos.

3.2 Capacidad del servicio de procesamiento de PI

Película seca: espesor 20-150um, profundidad de grabado ≤15um;

Solución fotosensible: ancho de línea mínimo 5um, espesor 5-20um;

Solución no fotosensible: profundidad de grabado 0-15um.

3.3 Ventajas del servicio de procesamiento de PI

Tenemos tecnología de procesamiento de película seca y pegamento PI, la profundidad de grabado de película seca puede alcanzar los 15um y el proceso de apilado de película PI multicapa maestra, buena adhesión.

4. Proceso de grabado de obleas

Etch es una tecnología que graba selectivamente la superficie del sustrato semiconductor o la película que cubre la superficie de acuerdo con el patrón de máscara o los requisitos de diseño. Es un paso muy importante del proceso de fabricación de obleas semiconductoras, el proceso de fabricación de circuitos integrados microelectrónicos y el proceso de fabricación micro-nano. Es una de las principales soluciones de procesamiento de obleas de procesamiento de patrones asociados con la fotolitografía. El servicio de procesamiento de grabado se divide en grabado en seco y grabado en húmedo. PAM-XIAMEN actualmente domina una variedad de procesos de grabado y diseñará soluciones de grabado con buenos efectos de grabado y rentables de acuerdo con las necesidades del cliente.

Proceso de grabado para la fabricación de obleas

Grabado en el proceso de fabricación de obleas semiconductoras

4.1 Aplicación de la tecnología de grabado

Nuestra tecnología de grabado se utiliza principalmente en el procesamiento de dispositivos semiconductores, fabricación de circuitos integrados, circuitos de película delgada, circuitos impresos y otros patrones finos.

4.2 Capacidad de procesamiento de grabado

Tecnología de grabado: grabado con haz de iones, grabado profundo de silicio, grabado con iones reactivos, haz de iones enfocado y otras tecnologías de grabado;

Materiales de grabado: silicio, óxido de silicio, nitruro de silicio, metal, cuarzo y otros materiales

4.3 Ventajas de nuestro servicio de grabado

* Domina una variedad de técnicas de grabado;

* Amplia gama de materiales de grabado;

* La relación de aspecto máxima del grabado profundo de silicio es 20: 1 con alta precisión de grabado y ancho de línea pequeño.

5. Servicio de procesamiento de revestimientos

El revestimiento al vacío se refiere a la deposición de un determinado metal o no metal en la superficie del material en forma de fase gaseosa en un entorno de vacío para formar una película densa. La calidad del recubrimiento es fundamental para la formación de funciones de los dispositivos semiconductores.

5.1 Aplicación de la tecnología de revestimiento

La metalización por procesamiento de obleas se utiliza principalmente en el proceso de fabricación de dispositivos semiconductores micro-nano. Los materiales metálicos e ITO se utilizan principalmente para la preparación de electrodos, y otros materiales no metálicos se utilizan principalmente para la preparación de capas dieléctricas aislantes y capas de máscara de sacrificio.

5.2 Capacidad de proceso de recubrimiento

Tecnología de recubrimiento maestro: pulverización catódica con magnetrón por evaporación por haz de electrones, LPCVD, PECVD, ALD, MOCVD y MBE.

5.3 Materiales de revestimiento

Podemos hacer revestimientos con los siguientes materiales:

Metales: Ti, Al, Ni, Au, Ag, Mo, Cr, Pt, Cu, Ta, TiW, Pd, Zn, W, Nb;

No metales: Si, SiO2, SiNx, TiN, Ga2O3, Al2O3, TiO2, HfO2, MgF2, ITO, Ta2O5;

Película piezoeléctrica: AlN, PZT, ZnO;

Sustratos de revestimiento: obleas de silicio, obleas de vidrio de cuarzo, obleas de zafiro, carburo de silicio, Sustrato del grupo II-IIII, sustrato del grupo III-V, PET, Pi, etc.

5.4 Ventajas del servicio de procesamiento de revestimientos

* Domine una variedad de tecnologías de recubrimiento y una amplia gama de materiales de recubrimiento.

* Rango de espesor de revestimiento: 5nm-10um;

* El tamaño base es compatible con versiones anteriores de 8 pulgadas. La uniformidad del recubrimiento es buena y el recubrimiento es denso.

6.Procesamiento de fotolitografía

La fotolitografía es un paso importante en el proceso de fabricación de dispositivos semiconductores. La estructura del dispositivo se representa en la capa fotorresistente mediante exposición y revelado, y luego el patrón de la máscara se transfiere al sustrato mediante un proceso de grabado. Actualmente contamos con varios pasos de procesamiento de obleas de litografía, como la litografía por haz de electrones, la litografía por pasos y la litografía de contacto.

Procesamiento de obleas de fotolitografía

Procesamiento de obleas de fotolitografía

6.1 Aplicación de la tecnología de litografía

La tecnología de litografía se utiliza principalmente en el proceso de fabricación de dispositivos semiconductores y circuitos integrados.

6.2 Capacidad de procesamiento de obleas de la fotolitografía

EBL (litografía por haz de electrones): el valor mínimo de CD es 50 nm y la precisión puede alcanzar el 10%.

Paso a paso: el valor de CD mínimo es de 350 nm, el error de exposición es de ± 0,1 um y el área de exposición máxima es de 6 pulgadas.

Litografía de contacto y proximidad: máquina de litografía SUSS MA6 / BA6, valor mínimo de CD 2um, error de exposición ± 0.3um

6.3 Ventajas de la fotolitografía

* Personalice la solución de litografía más rentable de acuerdo con las necesidades del cliente;

* Alta precisión y ancho de línea pequeño;

* El tamaño del sustrato varía de 1 cm a 8 pulgadas;

* Alta fidelidad gráfica.

7. Tecnología TSV

La tecnología TSV es la abreviatura de a través de la tecnología de silicio, que es una solución avanzada de procesamiento de obleas para apilar chips en circuitos integrados tridimensionales para lograr la interconexión. Debido a que el servicio de procesamiento TSV puede maximizar la densidad de apilamiento de chips en la dirección tridimensional, las líneas de interconexión más cortas entre chips, el tamaño más pequeño y mejorar en gran medida el rendimiento de la velocidad del chip y el bajo consumo de energía, se ha convertido en el más llamativo uno en la tecnología actual de envasado a nivel de obleas electrónicas.

Debido a las limitaciones de la contracción del proceso y los materiales de bajo valor dieléctrico, la tecnología de apilamiento 3D se considera la clave para la capacidad de fabricar chips de alto rendimiento en un tamaño más pequeño, y a través de vías de silicio (TSV) se puede integrar el apilamiento de obleas mediante conducción vertical. Lograr la interconexión de circuitos entre chips ayuda a mejorar la integración y la eficiencia de los sistemas de proceso de obleas a un costo menor, y es una forma importante de realizar la integración 3D de circuitos integrados. Contamos con un proceso TSV completo para cumplir con sus requisitos de interconexión de chips.

8. Tecnología de corrosión

PAM-XIAMEN ofrece servicio de corrosión, que incluye óxido, nitruro, silicio, polisilicio y corrosión isotrópica de germanio, corrosión de metales estándar, medio aislante no estándar, corrosión de semiconductores y metales, eliminación de fotorresistentes y pasos de limpieza de obleas de silicio, corrosión de siliciuro, plásticos y polímeros grabado, grabado anisotrópico de silicio, corrosión de autodetención de germanio y silicio a granel, corrosión electroquímica y autodetención, corrosión fotoasistida y autodetención, corrosión de autodetención de película delgada, eliminación de capas de sacrificio, formación de silicio poroso.

9. Tecnología de unión de obleas

Bonding es una tecnología en la que dos piezas de materiales semiconductores homogéneos o heterogéneos con superficies planas limpias y de nivel atómico se someten a tratamientos de activación y limpieza de superficie, y se unen directamente en determinadas condiciones. Las obleas se unen mediante la fuerza de van der Waals, la fuerza molecular o incluso la fuerza atómica. Proporcionamos servicio de procesamiento de unión de chip a oblea de la siguiente manera:

- Unión anódica (vidrio pyrex y oblea de silicio);

- Unión eutéctica (PbSn, AuSn, CuSn, AuSi, etc.), la soldadura es proporcionada por el cliente;

- Pegamento de unión (AZ4620, SU8), Pegamento especial de unión);

- Pegado de cables y otros.

10. Tecnología de envasado

PAM-XIAMEN proporciona un servicio de procesamiento para el empaquetado rápido de chips de ingeniería MPW. Los tipos de empaque incluyen sellado rápido COB, sellado rápido de paquetes de cerámica y sellado rápido de paquetes de resina, incluidos, entre otros, los siguientes tipos de empaque DIP, SOP, TSSOP, SOT, TO, QFN, DFN, LGA, COB, BGA, QFP, LCC etc.

Servicio de empaque

Se puede realizar un servicio de procesamiento de empaques herméticos, como soldadura AuSn y soldadura de costura paralela de carcasas cerámicas. Rectificado de viruta, pulido, corte mecánico con cuchilla, corte con láser de obleas de silicio que no deja marcas, unión de alambre de oro, soldadura láser, montaje de viruta, recubrimiento de dispensación, soldadura por reflujo, soldadura de chip giratorio, soldadura de sellado paralelo, implantación de bolas BGA, cizallamiento por tracción Fuerza de corte prueba, inspección SEM con microscopio electrónico de barrido, inspección de rayos X, inspección no destructiva de escaneo ultrasónico e inspección de rugosidad superficial, etc.

11. Tecnología de detección

Contamos con una variedad de tecnologías de detección, incluyendo TEM, SEM, XRD, AFM, XPS, XRD, microscopio de ultrasonido, rayos X, medidor de pasos, perfilador, medidor de espesor de película, Raman, etc.

Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico a victorchan@powerwaywafer.com y powerwaymaterial@gmail.com.

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