Plaquettes de silicium monocristallin 2″ avec oxyde isolant

PAM XIAMEN propose des tranches de silicium monocristallin de 2″ avec oxyde isolant

Plaquettes de silicium monocristallin 2″ avec oxyde isolant
Polissage : unilatéral pour la microélectronique
Epaisseur : 675 +/- 20 microns
TTV <15 μm,
Déformation <35 μm
Type P
Orientation <100>
L'épaisseur de la couche d'oxyde isolante est de 300 nm
Résistance de la plaque de base ≥ 10 ohm * cm

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