Wafer de silicium de qualité supérieure de 12 po
PAM-XIAMEN offer 300mm bare silicon wafers (12 inch) in prime grade, n type or p type, and the 300mm silicon wafer thickness is 775±15. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer’s silicon wafer price is more competitive with higher quality. 300mm silicon wafers have a higher yield per wafer than pervious large diameter silicon wafers.
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Description du produit
PAM-XIAMEN offer 300mm bare silicon wafers (12 inch) in prime grade, n type or p type, and the 300mm silicon wafer thickness is 775±15. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer’s silicon device wafer price is more competitive with higher quality. 300mm silicon wafers have a higher yield per wafer than pervious large diameter silicon wafers. Size on/above 8 inches (200 mm) is called a large silicon wafer. The production technology of large silicon wafer is not only the increase of process complexity because of the increase of area, but also the higher requirements on many other control factors. For example: oxygen content and its radial uniformity in wafer, impurity control, OISF control, etc. The silicon wafer requirements for defect control, oxygen precipitation control, resistance quantification, doping and radial uniformity are also higher. Especially for prime grade 300mm silicon wafer, some parameters are required critically, for instant, wafer TTV is below1.5um and defect density ~0/cm2. The next step is 450mm silicon ingot or wafer.
1. Parameters of 300mm Silicon Wafer
Paramètres | Value(PAM210512-300-SIL) |
Type de lingot | Cultivé selon la méthode Czochralski |
Diamètre, mm | 300 ± 0,2 |
dopant | B (bore) |
Type de conductivité | P |
Oxigène max, OLD-PPMA | 40 |
Carbone, PPMA | 1 |
Orientation cristallographique | <100> |
Déviation de l'orientation de surface prédéterminée du plan cristallin, deg | 1 |
Résistivité volumique, Ohm · cm | 8-12 |
Encoche principale | Oui |
Emplacement de l'encoche | 110 |
Taille de l'encoche, mm | 2,3 |
Forme d'encoche | V |
Épaisseur de la plaquette, microns | 775 ± 15 |
Type de marquage | Laser |
Emplacement de marquage | face arrière |
Profil de bord | par SEMI T / 4 |
Rayures sur la face avant | absent |
Polissage de la face avant | oui |
Polissage de la face arrière | oui |
Variation totale de l'épaisseur de la tranche (TTV), micromètres | 1,5 |
Déviation (WARP), microns | 30 |
Le nombre de particules sur une surface supérieure à 0,05 microns | 50 |
Le nombre de particules sur une surface supérieure à 0,09 microns | 30 |
Contenu de surface en aluminium, E10AT / CM2 | 1 |
Teneur en calcium superficielle, E10AT / CM2 | 1 |
Contenu de surface en chrome, E10AT / CM2 | 1 |
Contenu de surface de cuivre, E10AT / CM2 | 1 |
Contenu de surface du fer, E10AT / CM2 | 1 |
Teneur en potassium superficielle, E10AT / CM2 | 1 |
Contenu de surface de natrium, E10AT / CM2 | 1 |
Teneur de surface en nickel, E10AT / CM2 | 1 |
Teneur en zinc de surface, E10AT / CM2 | 1 |
Exigences d'emballage:
Paramètres | |
Genre d'emballage | MW300GT-A |
Matériau du conteneur intérieur | Polyéthylène |
Matériel d'emballage extérieur | Aluminium |
Nombre de pièces dans un paquet | 25 |
Réutilisabilité | Oui |
2. FAQ:
Q: Please take note that we offer “The number of particles on a surface larger than 0.09 microns 50” just for silicon substrate.
Normalement, l'exigence de particules est pour un substrat de silicium.
Pour vous assurer de la conformité, pourriez-vous vérifier?
A: Nous avons revérifié: Oui, les informations indiquées sont correctes.
PAM-XIAMEN peut vous offrir une technologie et un support de wafer.
Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web:https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer,
envoyez un courriel àsales@powerwaywafer.cometpowerwaymaterial@gmail.com