Chip FET GAn 650V pour charge rapide
PAM-XIAMEN propose une puce FET GAn 650 V pour une charge rapide. Sur le marché actuel,Nitrure de gallium Sources de charge rapideUtilisez principalement une puce GAn 650 V (GAN FET) comme interrupteurs d'alimentation, et les caractéristiques à haute fréquence du nitrure de gallium sont utilisées pour fabriquer des produits de chargement rapide de terminaux plus petits et plus d'efficacité.
La série PAM65D150DNBI-TS 650V, 150mΩ Gallium Nitrure (GAN) FET est normalement des appareils. PAM-XIAMEN GAN Chip offre une meilleure efficacité grâce à une charge de porte inférieure, à des vitesses de commutation plus rapides et à une charge inversée plus petite, offrant des avantages importants sur les dispositifs de silicium traditionnels (SI). PAM-XIAMEN est l'un des fabricants de copeaux Gan de pointe avec innovation de classe mondiale.
1. Paramètres de la puce FETS GAn 650V
| Symbole | Paramètre | Valeur limite | Unité |
| RθJC | Jonction-boîtier | 1.3 | °C /W |
1.1 Absolu Maximum Valeurs nominales du GaN 650 V Puce FETS (TC = 25 ° C, sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur limite | Unité | |
| VDSS | Tension drain-source | 650 | V | |
| VDSS | Tension grille-source | 25~+2 | ||
| IDENTIFIANT | Courant de drain continu @ tc = 25 ° C | 15 | UN | |
| Courant de drain continu @ tc = 100 ° C | 10 | |||
| IDM | Courant de drain d'impulsion | 65 | UN | |
| DP | Dissipation de puissance maximale @ tc = 25 ° C | 65 | O | |
| CT | Température de fonctionnement | Cas | 55 ~ 150 | °C |
| T.J. | Jonction | 55 ~ 175 | °C | |
| TS | Température de stockage | 55 ~ 150 | °C | |
HautBas
1.2 Paramètres électriques de 650VGaN ÉbrécherPositionner (TJ = 25 ° C sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Min | Tapez | Max | Unité | Conditions d'essai |
| Caractéristiques du périphérique de transfert | ||||||
| V(BL)DS | Tension drain-source | — | 650 | — | v | Vcs=-25V |
| Vasth) | Tension de seuil de porte | — | -18 | — | v | VDs=Vas,IDs=luA |
| RDS(activé) | Résistance à l'état drain-source | — | 150 | 180 | mQ | Vcs = OV, ID-10A |
| — | — | — | VG = OV, ID-10A, TJ=150'C | |||
| lDss | Fuite du drain à la source actuel |
— | — | 3 | uA | VD = 650 V, VG = -25 V |
| — | — | 30 | VD = 400 V, VG = -25 V, T=150'c |
|||
| fille | Transfert porte-à-source Courant de fuite |
— | 3.7 | 100 | n / A | VGs=2V |
| Inversion porte-source Courant de fuite |
— | -3.5 | -100 | VGS=-25V | ||
| CIss | Capacité d'entrée | — | 650 | — | pF | vGs=-25V,VDS=300V,f=1MHz |
| Coss | Capacité de sortie | — | 40 | — | ||
| CRSS | Capacité inverse | — | 10 | — | ||
| Qg | Frais d'entrée totaux | — | 9 | — | NC | VDS=200V,VGS=-25V à ov, Iré=10A |
| QGS | Charge porte-source | — | 2 | — | ||
| QDG | Taxe de vidange | — | 7 | — | ||
| tn | Temps de récupération inversé | — | 4 | — | ns | Est = 0A à 11A,VJJ=400V di/dt=1000A/uS |
| Q. | Frais de recouvrement inversés | — | 17 | — | NC | — |
| TIX(le) | Délai d'allumage | — | 0.5 | — | — | VDs=200VVG=-25V à ov, ID = 10A |
| tR | Temps de montée | — | 9 | — | ||
| tD (désactivé) | Délai d'arrêt | — | 0.5 | — | ||
| tF | Temps d'automne | — | 10 | — | ||
| Caractéristiques du dispositif inversé | ||||||
| VDakota du Sud | Tension inverse | — | 7 | — | v | VGS=-25V,Is=10A,Tc=25′ C |
1.3 Caractéristiques typiques de 650V GAnChargeur Puce (tj = 25 ° C sauf indication contraire)
1.4 Circuit de test et formes d'onde de 650V GAnDu pouvoir Ébrécher
1.5 DIMENSIONS DE L'EMBALLAGE de 650 VPuce GaN
| ARTICLE | Je.ow 1limite (mm) |
Centre (mm) |
Supérieur 1limite (mm) |
| UN | 0.80 | — | 1.00 |
| A1 | 0 | — | 0.05 |
| A2 | 0.15 | 0.25 | 0.35 |
| b | 0.9 | 1 | 1.1 |
| ré | 7.9 | 8 | 8.1 |
| D1 | 6.9 | 7 | 7.1 |
| D2 | 0.4 | 0.5 | 0.6 |
| D3 | 7.1 | 7.2 | 7.3 |
| D4 | 0.3 | 0.4 | 0.5 |
| E | 7.9 | 8 | 8.1 |
| E1 | 0.3 | 0.4 | 0.5 |
| E2 | 4.25 | 4.35 | 4.45 |
| E3 | 2.65 | 2.75 | 2.85 |
| e | 1.9 | — | 2.1 |
| L | 0.4 | 0.5 | 0.6 |
2. Caractéristiques générales de 650V GanPouvoirFET
Facile à conduire - Compatible avec des pilotes de porte standard
Faible conduction et pertes de commutation
QRR faible de 17nc - pas de diode à roues libre
requis
ROHS conforme et sans halogène
3. Automobile de la puce GAN FETS 650V
Chargeur rapide
Énergie renouvelable
Télécom et data-com
Servomoteurs
Industriel
Automobile
4. Avantages de la puce GaN 650 V
Efficacité accrue grâce à une commutation rapide
Densité de puissance accrue
Taille et poids du système réduits
En tant que représentant de la troisième génération de matériaux semi-conducteurs, lorsque le nitrure de gallium est utilisé dans des dispositifs de charge rapide, la puissance de sortie des dispositifs de puce GaN est trois fois celle des matériaux traditionnels dans le cas de la même taille. La technologie GAN FET redéfinit la norme pour la charge rapide des téléphones mobiles. L'industrie des semi-conducteurs de troisième génération inaugure également de nouveaux développements en raison de l'application du nitrure de gallium.
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