PAM XIAMEN propose des tranches de diode laser de 905 nm.
1. Spécifications de la plaquette de diode laser 905 nm
1.1 Trois structures Stark LD à impulsions de 905 nm PAM211202-GAINAS
| Couche | Composition | Épaisseur | Concentration |
| 13 | P+GaAs | / | / |
| 12 | Gaine P-AlGaAs + guide d'onde | d~1,6 um | / |
| 11 | GaInAs non dopé QW PL : 880 ~ 900 nm | / | / |
| 10 | Gaine N- AlGaAs + guide d'onde | / | |
| 9 | Jonction tunnel N++ GaAs/P++ GaAs | / | / |
| 8 | Gaine P- AlGaAs + guide d'onde | / | |
| 7 | GaInAs non dopé QW PL : 880 ~ 900 nm | / | / |
| 6 | Gaine N- AlGaAs + guide d'onde | d~2,4 um | / |
| 5 | Jonction tunnel N++ GaAs/P++ GaAs | ||
| 4 | Gaine P- AlGaAs + guide d'onde | ||
| 3 | GaInAs non dopé QW PL : 880 ~ 900 nm | ||
| 2 | Gaine N- AlGaAs + guide d'onde | ||
| 1 | NGaAs | / | / |
| Substrat 3" N GaAs 4 pièces <111>A | 450um | (0,6 ~ 4) x 1018 |
1.2Structures LD à impulsion unique de 905 nm
P+ GaAs P=0,5-2×1020, d~0,15μm
Gaine P-AlGaAs, d~1,0μm
Guide d'onde AlGaAs non dopé d~0,4 μm
GaInAs non dopé QW d~8 nm, PL : 890-900 nm
Guide d'onde AlGaAs non dopé d~0,7 μm
Gaine N-AlGaAs, d~1,2μm
N GaAs, d~0,5 μm
Substrat N GaAs 2" ou 3" N=(0,6~4)×1018 d=350~625μm 15°off <111>A
1.3Deux structures LD à impulsions de 905 nm
P+ GaAs P=0,5-2×1020, d~0,15μm
Gaine P-AlGaAs, d~1,0μm
Guide d'onde AlGaAs non dopé d~0,4 μm
GaInAs non dopé QW d~8 nm, PL : 890-900 nm
Guide d'onde AlGaAs non dopé d~0,7 μm
Gaine N-AlGaAs, d~1,2μm
Jonction tunnel N++GaAs/P++GaAs
Gaine P-AlGaAs, d~1,0μm
Guide d'onde AlGaAs non dopé d~0,4 μm
GaInAs non dopé QW d~8 nm, PL : 890-900 nm
Guide d'onde AlGaAs non dopé d~0,7 μm
Gaine N-AlGaAs, d~1,2μm
N GaAs, d~0,5 μm
Substrat N GaAs 2" ou 3" N=(0,6~4)×1018 d=350~625μm 15°off <111>A
2. À propos de la structure GaInAs/GaAs de la plaquette de diode laser pour émettre une longueur d'onde de 905 nm
La longueur d'onde d'émission la plus longue du système AIGaAs/GaAs est d'environ 860 nm. Afin d'obtenir une lumière infrarouge de longueur d'onde plus longue, les gens ont commencé à étudier le système matériel GaInAs qui doit avoir un décalage de réseau avec GaAs.
Les matériaux à puits quantiques contraints GaInAs/GaAs sont largement utilisés dans la préparation de lasers avec des longueurs d'onde d'émission supérieures à 900 nm, de dispositifs à diodes électroluminescentes et de cellules solaires à jonctions multiples. Dans le même temps, sur la base de l'idée d'équilibre des contraintes, la structure à puits quantiques multiples à compensation de déformation InGaAs/GaAsP a été développée, c'est-à-dire en faisant croître alternativement des couches épitaxiales de déformation en traction et de déformation en compression. La constante de réseau de l'ensemble de la structure correspond à la constante de réseau du substrat, et la structure de bande d'énergie est cohérente avec les performances lumineuses conçues, ce qui améliore considérablement les performances photoélectriques du dispositif fabriqué sur une tranche de diode laser.
Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par email àvictorchan@powerwaywafer.cometpowerwaymaterial@gmail.com.