Plaquettes d'arséniure de gallium, P/P

Q : Veuillez nous faire savoir si vous pouvez fournir la plaquette ci-dessous, quantité 25/50/300. Plaquettes d'arséniure de gallium, P/P 150,00±0,25 mm) 6″Ø×650±25µm, VGF SI GaAs non dopé :-[100-2,0°vers[110]]±0,5°, u > 4 000 cm²/Vs, des deux côtés -poli, 1 Plat 57,5±2,5 mm @ 110±°1, TTV<7µm, BOW<4µm, Warp<10µm, TIR<6µm, Certificat : obligatoire, Scellé sous azote dans une cassette simple A : Oui, vérifiera la livraison le temps et reviens [...]

EPD pour substrat GaAs

PAM-XIAMEN peut fournir des plaquettes GaAs avec un EPD inférieur à 5 000/cm2. Q : Pourriez-vous s'il vous plaît nous conseiller un EPD garanti pour le substrat et l'épi ? Plaquettes d'arséniure de gallium, P/E 2″Ø×380±25µm, GaAs dopé LEC SI c :-[100]±0,5°, type n Ro=(0,8E8-0,9E8)Ohmcm, poli sur un côté, dos -côté gravé mat, 2 plats, LT-GaAs EPI : 1-2µm, Résistivité >1E7 Ohm-cm, Durée de vie du porteur <1ps, Scellé sous [...]

Plaquette de silicium polie sur un côté

Q : Nous demandons les éléments suivants 1. Plaquettes monocristallines de silicium (Si), polies d'un côté de type N, orientation <100>, résistivité 5E-3 ohm.cm, épaisseur : 0,1 à 0,5 mm 2. Silicium (Si) ) plaquettes monocristallines, polies d'un côté type P, orientation <100>, Résistivité 5E-3 ohm.cm, Epaisseur : 0,1 à 0,5 mm A : Oui, nous pourrions fournir en fonction [...]

Q : Je souhaite connaître la concentration en dopant du substrat SiC que vous fournissez normalement ? Quelle est la concentration maximale de dopant en azote que vous pouvez fournir ? Je recherche des plaquettes SiC fortement dopées à l'azote ?

Q : Je souhaite connaître la concentration en dopant du substrat SiC que vous fournissez normalement ? Quelle est la concentration maximale de dopant en azote que vous pouvez fournir ? Je recherche des plaquettes SiC fortement dopées à l'azote ? R : Notre concentration de dopant à l’azote est de 1E18/cm3-1E19/cm3, ce qui appartient au dopant lourd.

Q : Pouvez-vous proposer un matériau monocristallin SiC avec une conductivité thermique élevée > 490 W/mK, des plaquettes d'une épaisseur : 300-1 000 um pour la fabrication de dissipateurs thermiques de dispositifs semi-conducteurs ?

Q : Pouvez-vous proposer un matériau monocristallin SiC avec une conductivité thermique élevée > 490 W/mK, des plaquettes d'une épaisseur : 300-1 000 um pour la fabrication de dissipateurs thermiques de dispositifs semi-conducteurs ? R : La conductivité thermique > 490 W/mK est la valeur théorique du SiC mono, mais nous avons testé certaines plaquettes, la conductivité thermique est inférieure à 450 W/mK, ce qui est inférieur à la [...]

Q : Notre application concerne le recuit par micro-ondes. Le carbure de silicium doit donc pouvoir absorber les micro-ondes ?

Q : Notre application concerne le recuit par micro-ondes. Le carbure de silicium doit donc pouvoir absorber les micro-ondes ? R : Étant donné que les constantes diélectriques de 6H et 4H sont grandes, donc si la plaquette SiC est un matériau absorbant, principalement à réaliser grâce à la conception de la structure de la correspondance électromagnétique. Je ne sais pas si c'est correct.