Plaquette de cristal

Plaquettes d'arséniure de gallium, P/P

Q: Veuillez nous faire savoir si vous pouviez fournir en dessous de la plaquette, Qté 25/50/300. Gallium arséniure WAVERS, P / P 150,00 ± 0,25 mm) 6 "Ø × 650 ± 25 µm, VGF SI GAAS non pas: - [100-2,0 ° vers [110]] ± 0,5 °, U> 4000cm² / vs, les deux sides, 1 TT 57.5 ± 2,5 mm @ 110 ± ° 1, ttv <7. Arc <4µm, déformation <10 µm, tir <6µm, certificat: obligatoire, scellé sous azote dans une cassette à plaquette unique A: Oui, vérifiera le délai de livraison et reviendra à ...

2018-09-13En savoir plus...

Gallium Arsenide Gafer, GaAs, VGF, semi-isolant, non doté

Q: Nous aimerions demander ci-dessous. (001) +/- 0,5O Orientation Semi-isolant, C Dopé une résistivité ≤ 1 - 10 x 108 OHM-CM3 EPD ≤ 5000 cm-2 1 Polie latérale (RA <10Å), EPI Prêt, arrière-là-usée des appartements semi-standard, pas de marquage laser Laser, Wafter de style araignée ...

2018-07-17En savoir plus...

Une tranche de silicium poli de côté

Q: Nous demandons les éléments suivants 1. Wafers monocristallins en silicium (SI), polis d'un côté N-type, orientation <100>, résistivité 5e-3 ohm.cm, épaisseur: 0,1 à 0,5 mm 2. Silicon (Si) Wafers en monocristaux, polie sur un p-type, 0,1 m orientation <100>, résistivité 5e-3 ohm.cm, épaisseur: 0,5 min. R: Oui, nous pourrions fournir en fonction de ...

2018-06-19,,En savoir plus...

Q: Je veux connaître la concentration dopante du substrat sic que vous fournissez normalement? Quelle est la concentration maximale de dopant d'azote que vous pouvez fournir? Je recherche des plaquettes SIC dopées fortement à l'azote?

Q: Je veux connaître la concentration dopante du substrat sic que vous fournissez normalement? Quelle est la concentration maximale de dopant d'azote que vous pouvez fournir? Je recherche des plaquettes SIC dopées fortement à l'azote? R: Notre concentration de dopant d'azote est 1E18 / CM3-1E19 / CM3, qui appartient au dopant lourd.

2018-06-19En savoir plus...

Q: Pouvez-vous offrir un matériau mono-cristal SIC avec une conductivité thermique élevée> 490 W / Mk, des plaquettes avec une épaisseur: 300-1000UM pour les appareils semi-conducteurs Manuagères des dissipateurs thermiques?

Q: Pouvez-vous offrir un matériau mono-cristal SIC avec une conductivité thermique élevée> 490 W / Mk, des plaquettes avec une épaisseur: 300-1000UM pour les appareils semi-conducteurs Manuagères des dissipateurs thermiques? R: Conductivité thermique> 490 W / Mk est la valeur théorique du mono SIC, mais nous avons testé certaines plaquettes, la conductivité thermique est inférieure à 450W / Mk, qui est plus faible la théorie ...

2018-06-19En savoir plus...

Q: Notre application est pour le recuit micro-ondes. Par conséquent, le carbure de silicium doit être capable d'absorber les micro-ondes?

Q: Notre application est pour le recuit micro-ondes. Par conséquent, le carbure de silicium doit être capable d'absorber les micro-ondes? R: Étant donné que la constante diélectrique de 6H et 4H est grande, donc si la tranche SIC est aussi absorbante des matériaux, principalement à réaliser grâce à la conception de la structure d'un match électromagnétique. Je ne sais pas si c'est juste.

2018-06-19En savoir plus...
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