Q : Veuillez nous faire savoir si vous pouvez fournir la plaquette ci-dessous, quantité 25/50/300. Plaquettes d'arséniure de gallium, P/P 150,00±0,25 mm) 6″Ø×650±25µm, VGF SI GaAs non dopé :-[100-2,0°vers[110]]±0,5°, u > 4 000 cm²/Vs, des deux côtés -poli, 1 Flat 57.5±2.5 mm @ 110±°1, TTV<7µm, BOW<4µm, Warp<10µm, TIR<6µm, Certificat : obligatoire, Scellé sous azote dans une cassette de wafer simple A : Oui, vérifiera la livraison temps et revenir [...]
Q: We would like to ask for below. (001) +/- 0.5o Orientation Semi Insulating, C doped Resistivity ≤ 1 – 10 x 108 Ohm-cm3 EPD ≤ 5000 cm-2 1 Side Polished (Ra < 10Å), EPI Ready, Back Side Etched US Semi Standard Flats, No Laser Markings Individual spider style [...]
Q : Nous demandons les éléments suivants 1. Plaquettes monocristallines de silicium (Si), polies sur un côté de type N, orientation<100>, résistivité 5E-3 ohm.cm, épaisseur : 0,1 à 0,5 mm 2. Silicium (Si ) wafers monocristallins, polies sur une face type P, orientation <100>, Résistivité 5E-3 ohm.cm, Épaisseur : 0,1 à 0,5 mm A :Oui, nous pourrions fournir [...]
Q : Récupération de plaquettes SiC, pouvez-vous garantir une rugosité de surface <= 0,3 nm ? R : Bien sûr, pas de problème
Q : Je me demandais si vous transportiez du SiC semi-isolant (non dopé) ou du SiC HPSI monocristallin ? R: Pour notre substrat SiC semi-isolant, il est dopé V, nous ne pouvons pas proposer de SiC semi-isolant de haute pureté, mais nous pouvons proposer du SiC non dopé si votre quantité est bonne.
Q :Je veux connaître la concentration en dopant du substrat SiC que vous fournissez normalement ? Quelle est la concentration maximale de dopant à l'azote que vous pouvez fournir ? Je recherche des tranches de SiC fortement dopées à l'azote ? A : Notre concentration de dopant d'azote est 1E18/cm3-1E19/cm3, qui appartient au dopant lourd.
Q : Pouvez-vous proposer un matériau monocristallin SiC avec une conductivité thermique élevée > 490 W/mK, des tranches d'une épaisseur : 300-1 000 um pour la fabrication de dissipateurs thermiques pour dispositifs semi-conducteurs ? A: Conductivité thermique> 490 W/mK est la valeur théorique du SiC mono, cependant nous avons testé quelques wafers, la conductivité thermique est inférieure à 450W/mK, qui sont inférieures [...]
Q : Pouvez-vous proposer des wafers SiC(0001) avec une désorientation faible mais intentionnelle dans la plage de 1° à 2° ? A: Nous pouvons offrir une mauvaise orientation à un faible degré, pas de problème.
Q:Our application is for microwave annealing. Therefore, the silicon carbide must be able to absorb microwaves? A:Since the dielectric constant of 6H and 4H are large, so if SiC wafer is as absorbing materials, mainly to achieve through the structure design of Electromagnetic match.I don’t know if it is right.
Q:We want to know the refractive index of these SiC wafers? A:The refractive index is no=2.707, ne=2.755
| Biscuit | Durée | Description |
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