Semi-conducteur composé

offres PAM-XIAMEN Compound Semiconductor Wafer Matériau comprenant plaquette de SiC et la plaquette du groupe III-V: InSb plaquette, plaquette InP, InAs plaquette, plaquette GaSb, GaP plaquette, plaquette GaN, AlN plaquette et la plaquette de GaAs.
III-V composés matériau comprennent BN, BP, BAs, BSB, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InAs, InN, InP et InSb. Parmi eux, BN, AIN, GaN et sont des structures InN wurtzite, et l'autre 12 sont zinc structures blende. Parce que les atomes pentavalent ont électronégativité plus que des atomes trivalents, il y a quelques éléments de liaison ionique. De ce fait, lorsque les matériaux III-V sont placées dans le champ électrique, le réseau est facile d'être polarisée, et le déplacement d'ions est utile pour augmenter le coefficient diélectrique, si la fréquence du champ électrique est dans le domaine infrarouge. Parmi les semi-conducteurs de type n de matériaux GaAs, la mobilité des électrons (mn-8500) est beaucoup plus élevé que celui de Si (Mn-1450), de sorte que la vitesse de déplacement est rapide, et son application dans des circuits intégrés numériques à grande vitesse est supérieure à celle des semi-conducteurs de silicium.

  • plaquette InP

    PAM-XIAMEN propose une plaquette VGF InP (Phosphure d'indium) de qualité primaire ou test, non dopée, de type N ou semi-isolante. La mobilité de la plaquette InP est différente selon le type, non dopé> = 3000cm2 / Vs, type N> 1000 ou 2000cm2V.s (dépend de la concentration de dopage différente), type P: 60 +/- 10 ou 80 +/- 10cm2 / Vs (dépend de différentes concentrations de dopage Zn), et semi-insultant> 2000 cm2 / Vs, l'EPD du phosphure d'indium est normalement inférieure à 500 / cm2.

  • plaquette InAs

    PAM-XIAMEN propose des tranches d'InAs semi-conducteurs composés - des tranches d'arséniure d'indium qui sont cultivées par LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) en tant que qualité épi-prête ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100). De plus, le monocristal d'InAs a une mobilité électronique élevée et constitue un matériau idéal pour la fabrication de dispositifs à effet Hall.

  • plaquette InSb

    PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InSb wafer – Indium antimonide wafer which is grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100). Indium antimonide doped with isoelectronic(such as N doping) can reduce the defect density during the indium antimonide thin films manufacturing process.

  • GaSb Wafer

    PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor GaSb wafer – gallium antimonide which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100).

  • GaP Wafer

    PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor GaP wafer – gallium phosphide wafer which is grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111)or(100).