plaquette InAs

Description

PAM-XIAMEN propose une tranche de semi-conducteur composé InAs –arséniure d'indiumplaquette qui est cultivée par LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) en tant que qualité épi-prête ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans une orientation différente (111) (100) ou (110). De plus, le monocristal InAs présente une mobilité électronique élevée et constitue un matériau idéal pour la fabrication de dispositifs Hall.

L'arséniure d'indium, InAs, est un semi-conducteur composé d'indium et d'arsenic. Il a l'apparence de cristaux cubiques gris avec un point de fusion de 942 °C et une constante de réseau de 0,6058 nm, et la structure cristalline de l'arséniure d'indidum est une structure de mélange de zinc. La plaquette d'arséniure d'indium est utilisée pour la construction de détecteurs infrarouges, pour la plage de longueurs d'onde de 1 à 3,8 µm. Les détecteurs sont généralement des photodiodes photovoltaïques. Les détecteurs refroidis cryogéniquement ont un bruit plus faible, mais les détecteurs InAs peuvent également être utilisés dans des applications de puissance plus élevée à température ambiante. En raison des propriétés supérieures de l'arséniure d'indium, les films minces d'arséniure d'indium sont également utilisés pour la fabrication de lasers à diode.

La bande interdite de l'arséniure d'indium est une transition directe, similaire à l'arséniure de gallium, et la largeur de bande interdite est de (300 K) 0,45 eV. L'arséniure d'indium est parfois utilisé avec le phosphure d'indium. Allié à l'arséniure de gallium, il forme de l'arséniure de gallium et d'indium – un matériau dont la bande interdite dépend du rapport In/Ga, une méthode principalement similaire à l'alliage du nitrure d'indium avec du nitrure de gallium pour produire du nitrure de gallium et d'indium.

Voici la spécification détaillée :

Spécification de la plaquette InAs 2″ (50,8 mm)

Spécification de la plaquette InAs 3″ (76,2 mm)

Spécification de la plaquette InAs 4″ (100 mm)

Spécification de la plaquette InAs 2″

Article	Caractéristiques
Dopant	faiblement dopé	Stannum	Soufre	Zinc
Type de conduction	Type N	Type N	Type N	Type P
Diamètre de plaquette	2″
Orientation de la plaquette	(111)±0,5°, (110)±0,5°
Épaisseur de plaquette	500±25um
Longueur plate principale	16±2mm
Longueur plate secondaire	8±1mm
Concentration de transporteur	5×1016cm-3	(5-20)x1017cm-3	(1-10)x1017cm-3	(1-10)x1017cm-3
Mobilité	≥2×104cm2/Vs	7000-20000cm2/V	6000-20000cm2/V	100-400 cm2/V
DEP	<5×104cm-2	<5×104cm-2	<3×104cm-2	<3×104cm-2
TTV	<10um
ARC	<10um
CHAÎNE	<12um
Marquage au laser	à la demande
Finition de surface	P/E, P/P
Prêt pour l'épi	oui
Emballer	Conteneur ou cassette pour une seule plaquette

 

Spécification de la plaquette InAs 3″

Article	Caractéristiques
Dopant	faiblement dopé	Stannum	Soufre	Zinc
Type de conduction	Type N	Type N	Type N	Type P
Diamètre de plaquette	3″
Orientation de la plaquette	(111)±0,5°, (110)±0,5°
Épaisseur de plaquette	600±25um
Longueur plate principale	22±2mm
Longueur plate secondaire	11±1mm
Concentration de transporteur	5×1016cm-3	(5-20)x1017cm-3	(1-10)x1017cm-3	(1-10)x1017cm-3
Mobilité	≥2×104cm2/Vs	7000-20000cm2/V	6000-20000cm2/V	100-400 cm2/V
DEP	<5×104cm-2	<5×104cm-2	<3×104cm-2	<3×104cm-2
TTV	<12um
ARC	<12um
CHAÎNE	<15um
Marquage au laser	à la demande
Finition de surface	P/E, P/P
Prêt pour l'épi	oui
Emballer	Conteneur ou cassette pour une seule plaquette

Spécification de la plaquette InAs 4″

Article	Caractéristiques
Dopant	faiblement dopé	Stannum	Soufre	Zinc
Type de conduction	Type N	Type N	Type N	Type P
Diamètre de plaquette	4″
Orientation de la plaquette	(111)±0,5°, (110)±0,5°
Épaisseur de plaquette	900 ± 25 um
Longueur plate principale	16±2mm
Longueur plate secondaire	8±1mm
Concentration de transporteur	5×1016cm-3	(5-20)x1017cm-3	(1-10)x1017cm-3	(1-10)x1017cm-3
Mobilité	≥2×104cm2/Vs	7000-20000cm2/V	6000-20000cm2/V	100-400 cm2/V
DEP	<5×104cm-2	<5×104cm-2	<3×104cm-2	<3×104cm-2
TTV	<15um
ARC	<15um
CHAÎNE	<20um
Marquage au laser	à la demande
Finition de surface	P/E, P/P
Prêt pour l'épi	oui
Emballer	Conteneur ou cassette pour une seule plaquette

 

Carte de planéité cousue de la plaquette InAs

 

 

Spécifications de plaquette (exemple) :

1)2"(50,8 mm)EnAs
Type/Dopant : N/S
Orientation：[111B]±0,5°
Épaisseur : 500 ± 25 um
Prêt pour l'épi
PAS

2)2"(50,8 mm)EnAs
Type/Dopant : N/faiblement dopé
Orientation : (111)B
Épaisseur : 500 um ± 25 um
PAS

3)2"(50,8 mm)EnAs
Type/Dopant : N / faiblement dopé
Orientation : <111>A ±0,5°
Épaisseur : 500 um ± 25 um
prêt pour l'épi
Ra<=0,5 nm
Concentration en porteur (cm-3) : 1E16 ~ 3E16
Mobilité (cm -2 ):>20000
EPD（cm -2 ） :<15 000
PAS

4)2"(50,8 mm)EnAs
Type/Dopant : N/faiblement dopé
Orientation : <100> avec [001]OF
Épaisseur : 2 mm
AS coupe

5)2"(50,8 mm)EnAs
Type/Dopant : N/P
Orientation：(100),
Concentration en porteur (cm-3) : (5-10) E17,
Épaisseur : 500 um
PAS

6) gaufrettes d'arséniure d'indium,
2″Ø×500±25µm,
type p InAs:Zn
(110) ± 0,5°,
Nc=(1-3)E18/cc ,
Poli des deux côtés,
Scellé sous azote dans une cassette à plaquette unique.

 

Toutes les plaquettes sont proposées avec une finition prête à l'épitaxie de haute qualité. Les surfaces sont caractérisées par des techniques internes avancées de métrologie optique qui incluent la surveillance de la brume et des particules Surfscan, l'ellipsométrie spectroscopique et l'interférométrie à incidence rasante.

L'influence de la température de recuit sur les propriétés optiques des couches d'accumulation d'électrons de surface dans des tranches d'InAs de type n (1 0 0) a été étudiée par spectroscopie Raman. Il montre que les pics Raman dus à la diffusion par les phonons LO non blindés disparaissent avec l'augmentation de la température, ce qui indique que la couche d'accumulation d'électrons dans la surface d'InAs est éliminée par recuit. Le mécanisme impliqué a été analysé par spectroscopie photoélectronique à rayons X, diffraction des rayons X et microscopie électronique à transmission à haute résolution. Les résultats montrent que des phases amorphes In2O3 et As2O3 se forment à la surface d'InAs pendant le recuit et, entre-temps, une fine couche cristalline d'As à l'interface entre la couche oxydée et la tranche est également générée, ce qui conduit à une diminution de l'épaisseur de la couche d'accumulation d'électrons de surface puisque les atomes d'As introduisent des états de surface de type accepteur.

La longueur d'onde d'émission d'InAs est de 3,34 μm, et des matériaux multiépitaxiaux In-GaAsSb, InAsPSb et InAsSb adaptés au réseau peuvent être cultivés sur les substrats en arséniure d'indium, ce qui permet de fabriquer des lasers et des détecteurs pour la communication par fibre optique dans la bande 2～4μm.

Nous proposons également le service InAs wafer epi, prenons ci-dessous comme exemple :

Plaquette épi InAs de taille 2" (PAM190730-INAS) :
Couche Epi : épaisseur 0,5 um, couche épi InAs (non dopée, type n),
Substrat : GaAs semi-isolant de 2 pouces

Pour plus de détails sur la plaquette épi InAs, veuillez vous référer à :

InAs Hétéroépitaxie

Croissance du film épitaxial InAs sur (001) InAs

Produits relatifs :
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tranche de GaSb
Plaquette GaP

Lingot d'arséniure d'indium avec structure de mélange de zinc cultivé par VGF