plaquette InP

Description

plaquette InP

PAM-XIAMEN, l'un des principaux fournisseurs de plaquettes InP, propose des plaquettes InP à semi-conducteurs composés -Indium Phosphidequi sont cultivés par LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) ou VGF (Vertical Gradient Freeze) en tant que qualité épi-prête ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant. L'orientation de la plaquette InP (111) ou (100) est disponible. Et les dopants peuvent être du soufre, du Sn (étain), du zinc ou des douanes. La marque laser spécifiée au dos de la plaquette InP avec le plat principal. L'orientation avec un léger angle de déviation est disponible, telle que (100)0,075° vers [110]]±0,025°.

Le phosphure d'indium (InP) est un semi-conducteur binaire composé d'indium et de phosphore. Il possède une structure cristalline cubique à faces centrées (« mélange de zinc »), identique à celle du GaAs et de la plupart des semi-conducteurs III-V. Le phosphure d'indium peut être préparé à partir de la réaction du phosphore blanc et de l'iodure d'indium [clarification nécessaire] à 400 °C, également par combinaison directe des éléments purifiés à haute température et pression, ou par décomposition thermique d'un mélange d'un composé de trialkylindium et de phosphure. Les plaquettes de phosphure d'indium sont utilisées dans l'électronique haute puissance et haute fréquence [citation nécessaire] en raison de la vitesse électronique supérieure par rapport aux semi-conducteurs les plus courants, le silicium et l'arséniure de gallium. La taille de la plaquette InP que nous pouvons proposer est de 2", 3" et 4", et l'épaisseur de la plaquette InP sera de 350 ~ 625 um.

Voici la spécification détaillée : 

 

Spécification de la plaquette InP dopée S de 6″

Plaquette monocristalline InP de 6 pouces (150 mm)(PAM07282026)
Paramètre	Évaluer
Diamètre	150 ± 0,3 mm
Épaisseur	675 ± 25 um
Méthode de croissance	VGF
Grade	Qualité supérieure (prêt pour l'Epi)
Dopant	S
Orientation	(100)0,075°vers <110>±0,05°
Angle d'orientation	225
Entailler	[010] ±2°
Profondeur d'encoche	1,00-1,25 mm
Angle d'encoche	89°-95°
CC	(2-8)E18/cm³
Résistivité	N / A
Mobilité	≥1000cm²/v·s
EPD-AVE	≤2000/cm²
TTV	≤10um
TIR	≤10um
Arc	≤15um
Chaîne	≤15um
Marquage au laser	Face avant près de l'encoche
Face avant	Brillant
Face arrière	Brillant
Nombre de particules	N / A

 

Test PL (Photoluminescence) dePhosphure d'IndiumTranche

Nous mesurons les plaquettes InP par Peak Lambda, Peak int et FWHM, la cartographie des spectres est la suivante :

 

À propos de l'application InP Wafer

En tant que nouveau type de matériau semi-conducteur composé, la part de marché des plaquettes InP augmente progressivement. En raison des excellentes propriétés du phosphure d'indium, les performances des dispositifs de source d'alimentation micro-ondes, des amplificateurs micro-ondes et des FET à grille fabriqués sur un matériau InP seront meilleures que celles fabriquées sur des matériaux à base d'arséniure de gallium existants. Les lasers à hétérojonction au phosphure d'indium sont également des sources lumineuses extrêmement prometteuses dans les communications par fibre optique.

La fabrication de plaquettes InP pour des dispositifs, tels que des dispositifs microélectroniques à ondes millimétriques croissantes et des matériaux de dispositifs optoélectroniques pour les communications par fibre optique, est largement utilisée. Avec l'amélioration continue des performances des appareils et la réduction de la taille des appareils, les exigences de qualité pour les plaquettes de phosphure d'indium sont de plus en plus élevées. Par conséquent, le processus de fabrication des plaquettes InP s’optimise progressivement.

Les valeurs typiques sont les données ci-dessous :

Pic Lambda (nm)	Pic Int	FWHM(nm)
1279.4	7.799	48.5
1279.8	5.236	44.6

 

Remarque:

Impossible d'exporter des plaquettes InP sans licence du ministère chinois du Commerce.