Avec les progrès continus de la technologie des semi-conducteurs, les dispositifs à semi-conducteurs tels que les LED, les cellules photovoltaïques, les lasers à semi-conducteurs, etc. ont été largement utilisés dans la vie quotidienne et le travail des gens. Afin d'assurer la qualité et le contrôle des coûts dans le processus de production du dispositif à semi-conducteur, il est généralement nécessaire d'effectuer divers tests de performance en ligne sur le dispositif à semi-conducteur dans le processus de production. En prenant la LED comme exemple, dans le processus de fabrication de LED, il est généralement nécessaire d'effectuer des tests d'électroluminescence (EL) sur la tranche épitaxiale de LED.

Pour garantir les performances des plaquettes LED que nous proposons (plus de spécifications de plaquettes, veuillez consulter :https://www.powerwaywafer.com/gan-wafer/epitaxial-wafer.html), nous testerons les performances de la plaquette après sa fabrication. Nous décrivons ci-dessous les techniques de test d'électroluminescence réalisées sur nos plaquettes LED GaAs :

1. Plaquette LED rouge à base de GaAs pour les tests EL

2. Qu'est-ce que l'électroluminescence ?

L'électroluminescence est également appelée luminescence de champ. À l'heure actuelle, la technologie d'imagerie par électroluminescence est utilisée par de nombreux fabricants de cellules et de modules solaires pour détecter les défauts potentiels des produits et contrôler la qualité des produits.

Comme pour le film d'électroluminescence LED, la spectroscopie d'électroluminescence est une technique importante pour caractériser de nouvelles LED et faciliter leur développement. Les performances des dispositifs électroluminescents peuvent être étudiées par électroluminescence et spectroscopie résolue en temps. Selon le spectre d'émission, les coordonnées de chromaticité et l'indice de rendu des couleurs de la LED, ainsi que les propriétés de base telles que la bande interdite du semi-conducteur peuvent être calculées.

3. How to Do the Electroluminescence Testing?

Les mesures EL sont généralement effectuées sur des appareils finis (tels que des LED) car cela nécessite une structure d'appareil pour injecter du courant. L'outil de test d'électroluminescence applique un courant direct de 1 à 40 mA à la cellule, agissant des deux côtés de la jonction de diffusion, et l'énergie électrique excite les atomes à l'état fondamental, les rendant à l'état excité, et les atomes à l'état excité. état sont instables et effectuent un rayonnement spontané. A travers la fonction du filtre et le degré d'exposition du film pour comprendre la transition intrinsèque à l'émission spontanée ; à travers la relation entre la durée de vie des porteurs minoritaires, la densité et l'intensité lumineuse, à partir du degré d'exposition du film, pour juger s'il y a un défaut sur la plaquette épi LED GaAs.

Lors du test El pour la plaquette de LED ci-dessus, nous testons au milieu de la plaquette, sélectionnons plusieurs points, puis testons à un courant de 20 mA. Les données d'électroluminescence que nous avons testées sont présentées dans la figure ci-dessous :

4. FAQ for GaAs LED Wafer

Q: How do you typically make contact to the GaP:C p-contact layer of GaAs LED wafer? For example, ITO or Ti/Pt/Au?

A: Usually we make ITO as contact for GaAs LED epitaxy.

Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail àvictorchan@powerwaywafer.com et powerwaymaterial@gmail.com.