EPD pour substrat GaAs

EPD pour substrat GaAs

PAM-XIAMEN peut fournirplaquette GaAsavec EPD inférieur à 5000/cm2.

Q : Pourriez-vous s'il vous plaît nous conseiller un EPD garanti pour le substrat et l'épi ?
Plaquettes d'arséniure de gallium, P/E 2″Ø×380±25µm,
LEC SI c doped GaAs:-[100]±0.5°, n-type Ro=(0.8E8-0.9E8)Ohmcm,
Poli d'un côté, gravé mat au dos, 2 plats,
LT-GaAs EPI : 1-2µm, Résistivité >1E7 Ohm-cm, Durée de vie du porteur <1ps,
Scellé sous azote dans une cassette de plaquette unique.
A : Densité de luxation <1 × 10 ^ 6 cm-2

L'EPD (Etch Pit Density) est une mesure de la qualité des plaquettes semi-conductrices. Il est bien connu dans l'industrie de l'arséniure de gallium (GaAs) que le niveau EPD d'un substrat est très important pour la fiabilité des dispositifs à porteurs minoritaires et pour le rendement des dispositifs fabriqués. Dans la production de dispositifs électroniques au GaAs tels que les transistors bipolaires à hétérojonction (HBT) et les transistors à pseudo-haute mobilité électronique (pHEMT), l'EPD du substrat GaAs est un facteur qui détermine le rendement du dispositif.

Alors, comment mesurer l’EPD du substrat GaAs ? Une méthode standard est suggérée pour tester la densité des piqûres de gravure dans une plaquette polie en GaAs à faible densité de dislocation, comme suit :

Cette méthode s'applique à la mesure de l'EPD de plaquettes circulaires de GaAs d'un diamètre de 2 pouces et de 3 pouces et d'un EPD inférieur à 5 000/cm.2.

1. Principes de la méthode de mesure de l’EPD du substrat de GaAs poli

Une fois la tranche de GaAs gravée avec de l'hydroxyde de potassium fondu, le nombre de piqûres de corrosion est observé et enregistré au microscope.

2. Instruments pour déterminer l'EPD

Microscope : la zone du champ de vision de mesure doit être de 0,01 cm2ou plus grand.

3. Réactifs chimiques

# Acide sulfurique (p = 1,84 g/mL), concentration 95 % ~ 98 %, pur d'excellente qualité ;

# Peroxyde d'hydrogène (p=1,00 g/mL), concentration >=30%, excellent grade ;

# Hydroxyde de potassium, concentration >=85%, excellente qualité pure.

4. Étapes de mesure de l'EPD

1) Les positions de comptage pour les tranches GaAs de 2 pouces de diamètre et les tranches de 3 pouces sont représentées respectivement sur les figures 1 et 2. Le point de comptage est au centre de chaque grille. Pour une tranche de 2 pouces de diamètre, la longueur du côté de la grille est de 5 mm, le nombre total de points de comptage est de 69 et le 35ème point est situé au centre de la tranche. Pour une tranche de 3 pouces de diamètre, la longueur du côté de la grille est de 10 mm, le nombre total de points de comptage est de 37 et le 19ème point est situé au centre de la tranche.

2) Comptez et enregistrez le nombre de piqûres de corrosion dont le centre se trouve dans le champ de vision de mesure. Si les creux sont trop denses pour être comptés, augmentez le grossissement. Ensuite, comptez le nombre de piqûres de corrosion et enregistrez les résultats ainsi que le grossissement du microscope.

3) Répéter l'opération décrite en 2) pour tous les autres points comptés, à savoir les points 2 à 69 pour les plaquettes d'arséniure de gallium de 2 pouces et 2 à 37 points pour les plaquettes de 3 pouces.

Fig. 1 Positions de comptage pour des plaquettes GaAs de 2 diamètres

Fig. 1 Positions de comptage pour les plaquettes GaAs de 2″ de diamètre

Fig. 2 Positions de comptage pour les tranches GaAs de 3 diamètres

Fig. 2 Positions de comptage pour les plaquettes GaAs de 3″ de diamètre

5. Calcul de la densité des fosses de gravure

L'EPD de chaque champ de mesure est égal au nombre de piqûres de corrosion dans ce champ divisé par la superficie du champ, soit :

EPD=W/S…………………………… (1)

Dans la formule :

W — le nombre de piqûres de gravure, le nombre ;

S — zone du champ de vision, cm2.

Exemple : La taille d'un champ de mesure est de 0,1 cm x 0,1 cm, puis sa zone de champ de vision est de 0,01 cm.2.

Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail àvictorchan@powerwaywafer.cometpowerwaymaterial@gmail.com.

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