Plaquette laser FP (Fabry-Perot)

Plaquette laser FP (Fabry-Perot)

Fabry-Perot laser (FP-LD) is the most common semiconductor laser. At present, the fabrication technology of FP-LD used in optical fiber communication has been quite mature, and the structure of double heterojunction multiple quantum wells active layer, carrier and light limited structure is widely used. PAM-XIAMEN, one of leading epitaxy suppliers, can offer FP laser diode wafer with laser spectrum of 698nm. More specifically structure is shown as table below. In addition, we can grow specific FP laser structure with specific wavelength to meet your needs.

1. Specification of 698nm GaInAsP / AlGaInP FP Laser Chip Wafer

PAM180911 – FPLD

Layer No. Matériel Mole Fraction (x) Mole Fraction (y) Thickness (um) Dopant Taper PL (nm) Strain (ppm) CV Level (cm-3) Group Repeat
13 AsGa P >2E19
12 GaIn(x)P 0.49 0.05
11 Al(x)InP
10 Al(x)InP Zinc
9 Al(x)GaIn(y)P 0.6 0.49 Undoped
8 Al(x)GaIn(y)As tbd tbd tbd tbd tbd
7 GaIn(x)As(y)P tbd tbd tbd U/D 690nm tbd
6 Al(x)GaIn(y)As tbd tbd tbd tbd tbd
5 Al(x)GaIn(y)P 0.6 0.49 0.05 800
4 Al(x)InP Si
3 Al(x)InP 1.00E+18
2 GaIn(x)P 800
1 AsGa 0.5 N
0 substrat

 

2. Qu'est-ce qu'un laser à semi-conducteur Fabry-Perot ?

La diode laser FP est un dispositif électroluminescent à semi-conducteur, et est conçue avec une cavité FP comme résonateur et émettant une lumière cohérente en mode multi-longitudinal. Le résonateur FP, à savoir la cavité plan-parallèle (résonateur), est une sorte de résonateur optique composé de deux miroirs plans parallèles et est souvent utilisé dans les lasers à semi-conducteurs. Il s'agit du premier résonateur optique proposé dans l'histoire du développement de la technologie laser, et c'est la base de l'interféromètre Fabry-Perot.

La longueur d'onde du laser FP est très large, de la lumière visible à l'infrarouge moyen et à l'infrarouge lointain. Pour la longueur d'onde de sortie la plus longue, ils peuvent être réalisés sous forme de lasers à cascade quantique.

 

Remarque:
Le gouvernement chinois a annoncé de nouvelles limites à l'exportation de matériaux au gallium (tels que GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs et GaSb) et aux matériaux au germanium utilisés pour fabriquer des puces semi-conductrices. À compter du 1er août 2023, l’exportation de ces matériaux n’est autorisée que si nous obtenons une licence du ministère chinois du Commerce. J'espère votre compréhension et votre coopération !

powerwaywafer

Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail àvictorchan@powerwaywafer.com et powerwaymaterial@gmail.com.

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