PAM-XIAMEN can offer FZ neutron transmutation doping (NTD) silicon wafer with a uniform doping concentration and uniform radial resistivity distribution. At present, silicon material is still the most important basic material in the electronic information industry. More than 95% of semiconductor devices and more than 99% of integrated circuits are made of silicon materials. It is foreseeable that in the next few decades, high-end silicon single crystal materials will be an important cornerstone of the development of the electronic information industry. More information about the FZ NTD silicon wafer is listed in the following:

1. Spécifications de la plaquette de silicium FZ NTD (PAM-20210514 FZNTD)

Objet 1:

Point 2:

2. Liste de plaquettes de silicium de dopage par transmutation des neutrons FZ

3. Qu'est-ce qu'un processus MTN ?

NTD est une technologie qui utilise l'irradiation neutronique pour doper les matériaux. Son plus grand avantage est que la concentration des impuretés dopées est très uniforme. Le dopant est distribué de manière complètement uniforme et il n'y a pas de différence entre la concentration de dopant maximale et minimale, ce qui permet aux dispositifs d'atteindre des performances parfaites.

Le matériau semi-conducteur est irradié avec des neutrons pour faire partie des atomes piégés avec des neutrons, puis se désintègre en un autre atome requis (dopant) pour réaliser le processus de dopage. Le matériau de silicium monocristallin de type P pur subit une réaction nucléaire sous irradiation de neutrons thermiques, et le silicium monocristallin d'origine est dopé avec du phosphore en raison de l'apparition du produit de désintégration 31P, obtenant ainsi un silicium monocristallin de type N à haute résistance. Matériel. Étant donné que l'uniformité de la résistivité (y compris l'uniformité de la section transversale) est bonne et que l'irrégularité peut être inférieure à 5%, la plaquette de silicium FZ NTD est bien meilleure que le matériau de silicium monocristallin FZ conventionnel. La plaquette de silicium FZ NTD est donc très bénéfique pour améliorer les performances des détecteurs à semi-conducteurs.

4. Application de plaquettes de silicium FZ NTD

The FZ NTD silicon single crystal is mainly used in power stations, new energy vehicles, transformer converter parts and other fields. Take the application in target camera tubes for example, the application of FZ neutron transmutation doping silicon wafer is the preparation of silicon target camera tubes. The silicon target is a multi-diode array composed of more than 800,000 diodes. The uniformity of the silicon material is required to be very strict, and there will be no microscopic doping fluctuations. The yield rate is very low when the general FZ silicon wafer is used, while the FZ NTD silicon single crystal can greatly increase the yield rate.

Bref, la plaquette de silicium FZ NTD est très prometteuse. Il rompt avec la méthode traditionnelle de préparation des monocristaux de silicium et apporte une nouvelle vitalité au processus de fabrication du silicium. On pense que dans un avenir proche, la part de marché des plaquettes de silicium FZ NTD augmentera rapidement.

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