GaAs Epiwafer avec multicouches AlGaAs pour application laser VCSEL

GaAs Epiwafer avec multicouches AlGaAs pour application laser VCSEL

PAM-XIAMEN peut proposer une épiwafer GaAs (plaquette épi d'arséniure de gallium) avec multicouche AlGaAs de type p et de type n pour application laser VCSEL. Les spécifications de l'épiwafer GaAs sont les suivantes :

1. Spécifications de GaAs Epiwafer avec des multicouches AlGaAs

VCSEL, 980nm, épiwafer GaAs, taille 4″

PAM210208

N° de couche Matériel Groupe Répéter Fraction molaire(x) Souche (ppm) PL(nm) Epaisseur (nm) dopant
32 GaAs - - - - - 156 C
31 Al (x) GaAs - - 0.04 - - 50.5 C
30 Al (x) GaAs - - 0,87->0,04 - - 20 C
29 Al (x) GaAs - - 0.87 - - 59.7 C
28 Al (x) GaAs - 16 0,04->0,87 - - 20 C
27 Al (x) GaAs - 0.04 - - 51.5 C
26 Al (x) GaAs - 0,87->0,04 - - 20 C
25 Al (x) GaAs - 0.87 - - 59.7 C
24 Al (x) GaAs - - 0,04->0,87 - - 20 C
23 Al (x) GaAs - - 0.04 - - 32.9 C
22 Al (x) GaAs - - 0,80->0,04 - - 20 C
21 Al (x) GaAs - - 0.98 - - 20 C
20 Al (x) GaAs - - 0.8 - - 61.6 C
19 GaAsP - - - - - - UD
18 In (x) GaAs - - - - 970 nm - UD
17 GaAsP - - - - - - UD
16 In (x) GaAs - - - - 970 nm - UD
15 GaAsP - - - - - - UD
14 In (x) GaAs - - - - 970 nm - UD
13 GaAsP - - - - - - UD
12 Al (x) GaAs - - 0.87 - - 59.7 Si
11 Al (x) GaAs - - 0,04->0,87 - - 20 Si
10 Al (x) GaAs - - 0.04 - - 51.5 Si
9 Al (x) GaAs - - 0,87->0,04 - - 20 Si
8 Al (x) GaAs - 6 0.87 - - 59.7 Si
7 Al (x) GaAs - 0,04->0,87 - - 20 Si
6 Al (x) GaAs - 0.04 - - 51.5 Si
5 Al (x) GaAs - 30 0.92->0.04 - - 20 Si
4 Al (x) GaAs - 0.92 - - 59.8 Si
3 Al (x) GaAs - 0,04->0,92 - - 20 Si
2 Al (x) GaAs - 0.04 - - 51.5 Si
1 GaAs - - - - - 500 Si
Substrat GaAs de 4 pouces dopé Si; Spéc. Etalon : 980+/-5 nm (> 90 % de la surface de la plaquette dans la spécification : 970+/-2 nm ;

 

2. Qu'est-ce que VCSEL ?

Le nom complet de VCSEL est Vertical Cavity Surface Emitting Laser, abrégé en laser à émission de surface, et c'est l'une des sources lumineuses utilisées dans la communication par fibre optique.

Structure VCSEL

Structure VCSEL

2.1 Présentation du VCSEL

Différent des autres sources lumineuses, telles que LED (Light Emitting Diode) et LD (Laser Diode), la fréquence variable de la source lumineuse VCSEL est ajustée à plusieurs Giga Hz, et le taux de transmission a naturellement un niveau Giga bps. Bien que le LD traditionnel ait les performances mentionnées ci-dessus, il est plus cher et son efficacité lumineuse est bien pire que celle du VCSEL. De plus, la tension et le courant de commande requis par le VCSEL sont très faibles, ce qui rend la durée de vie de plus de dix millions d'heures, soit plus de 100 fois celle des autres sources lumineuses.

La source lumineuse VCSEL du module/bureau OPEAK est une source lumineuse très stable et économique. L'utilisation de technologies de contrôle automatique de précision de la température (ATC) et de contrôle de puissance (APC) garantit la stabilité à long terme de la puissance optique et de la forme spectrale. Il existe plusieurs types de connecteurs ou d'adaptateurs sélectionnés pour la sortie fibre monomode. Il est plus pratique pour une interconnexion rapide avec des équipements externes à faible perte. La puissance optique de sortie peut être ajustée et le mode de modulation interne peut être sélectionné.

Le laser à cavité verticale à émission de surface (VCSEL) est un nouveau type de laser qui émet de la lumière à partir d'une surface verticale.

2.2 La structure différente du laser à émission par les bords traditionnel apporte de nombreux avantages :

Le petit angle de divergence et la distribution symétrique circulaire du champ lointain et proche améliorent considérablement l'efficacité de couplage avec la fibre, et il n'y a pas besoin de systèmes de mise en forme de faisceau compliqués et coûteux. Il est prouvé que l'efficacité de couplage avec la fibre multimode peut être supérieure à 90 %.

La longueur de la cavité optique est extrêmement courte, ce qui entraîne un allongement de l'espacement des modes longitudinal. Ensuite, le fonctionnement en mode longitudinal unique peut être réalisé dans une large plage de températures et la fréquence de modulation dynamique est élevée. Le volume réduit de la cavité rend le facteur d'émission spontanée de plusieurs ordres de grandeur supérieur à celui des lasers à émission finale ordinaires, ce qui conduit à de grandes améliorations dans de nombreuses propriétés physiques ; il peut être testé sur puce, ce qui réduit considérablement les coûts de développement.

La direction de sortie de la lumière est perpendiculaire au substrat, ce qui permet de réaliser facilement l'intégration de réseaux de zones bidimensionnelles à haute densité et d'obtenir une puissance de sortie plus élevée. Et parce que plusieurs lasers peuvent être disposés en parallèle dans la direction perpendiculaire au substrat, il est très approprié pour des applications en transmission optique parallèle et en interconnexion optique parallèle. Il a été appliqué avec succès à l'interconnexion optique monocanal et parallèle à une vitesse sans précédent. Avec ses hautes performances et son coût compétitif, il a été largement utilisé dans les réseaux Ethernet à large bande et de communication de données à haut débit. Le plus attrayant du VCSEL est que son processus de fabrication est compatible avec les diodes électroluminescentes (DEL) et que le coût de fabrication à grande échelle est très faible.

Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail à victorchan@powerwaywafer.com et powerwaymaterial@gmail.com.

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