Substrat GaAs pour LED avec Dopant Silicium

Substrat GaAs pour LED avec Dopant Silicium

Le substrat GaAs (substrat en arséniure de gallium) dopé au silicium, développé par VGF, est disponible auprès du fournisseur de substrat GaAs - PAM XIAMEN, destiné à la fabrication de LED (diodes électroluminescentes). GaAs est une structure cristalline de mélange de zinc. L'orientation du substrat GaAs est de (100)150±0,50 vers (111)A avec une épaisseur de 350±20µm.

Le cœur des dispositifs d'éclairage à semi-conducteurs est constitué de LED, qui sont composées de matériaux de substrat, de matériaux luminescents, de matériaux de conversion de la lumière et de matériaux d'emballage. Le matériau du substrat pour la plaquette épitaxiale LED est très important pour le développement technologique dans l'industrie de l'éclairage à semi-conducteur. Différents substrats nécessitent une technologie de croissance différente pour l'épitaxie LED, une technologie de traitement pour la technologie de puce et d'emballage. Jusqu'à présent, substrat d'arséniure de gallium, le substrat en saphir, le substrat en silicium et le substrat en carbure de silicium sont les quatre matériaux de substrat couramment utilisés pour la fabrication de puces LED. Pour en savoir plus sur le substrat LED GaAs, veuillez consulter le tableau ci-dessous :

1. Spécifications du substrat GaAs pour LED

Paramètre Exigences du client UOM
Méthode de croissance: VGF
Type de conduite: SCN
Dopant: GaAs-Si
Diamètre: 100,00± 0,2 mm
Orientation: (100)150± 0,50 vers (111)A
OF emplacement / longueur: JE [ 0-1-1]± 0,50/32±1
SI emplacement/longueur : JE [ 0-1 1 ]± 0.50/0         
Lingot CC : Min: 0.4E18 Maximum : 4E18 /cm3
Résistivité du substrat GaAs : Min: 0.8E-3 Maximum : 9E-3 ·cm
SSMobilité : Min: 1000 Max: cm2 / vs
EPD: Maximum : 5000 / cm2
Épaisseur du substrat GaAs : 350 ± 20 µm
Marquage au laser: N / A
TTV/TIR : Max: 10 µm
ARC: Maximum : 15 µm
Chaîne: Maximum : 15 µm
Finition de surface - avant : Brillant
Finition de surface – arrière : Gravée
Prêt pour Epi: Oui

 

2. Diode électroluminescente sur substrats GaAs Wafer

En tant que matériau à bande interdite directe, le minimum de bande conductrice de GaAs est supérieur au maximum de la bande de valence. La transition entre la bande de valence et la bande conductrice ne nécessite qu'un changement d'énergie, et l'élan n'a pas besoin de changer. En raison de cette propriété, les niveaux d'énergie de la bande conductrice à la bande de valence à travers le mouvement des électrons émettront de la lumière. Par conséquent, un substrat GaAs de type N peut être utilisé pour la fabrication des diodes électroluminescentes.

Une diode électroluminescente est une source lumineuse à semi-conducteur qui génère un courant de lumière passant à travers une jonction PN. L'énergie pour le mouvement des électrons détermine la couleur de la lumière. Habituellement, la couleur de la lumière est monocolore en raison de la structure de la bande. Généralement, les LED à base de substrat GaAs émettent la lumière entre les régions rouge et jaune.

3. Normes d'inspection pour les substrats GaAs des puces épitaxiales LED

GB/T 191 Signe d'icône d'emballage, de stockage et de transport
GB/T1555 Méthode de détermination de l'orientation cristalline d'un monocristal semi-conducteur
GB/T 2828.1 Procédure de contrôle par échantillonnage par attributs Partie 1 : Plan d'échantillonnage pour le contrôle lot par lot récupéré par limite de qualité d'acceptation (NQA)
GB/T 4326 Méthode de mesure de la mobilité Hall et du coefficient Hall des monocristaux semi-conducteurs extrinsèques
GB/T 6616 Méthode de test de résistivité de puce GaAs semi-conducteur et de résistance de couche de film GaAs : méthode par courants de Foucault sans contact
GB/T 6618 Méthode d'essai pour l'épaisseur de la plaquette de GaAs et le changement d'épaisseur totale
GB/T 6620 Méthode de test sans contact pour le gauchissement des plaquettes GaAs
GB/T 6621 Méthode d'essai pour la planéité de la surface de la plaquette de GaAs
GB/T 6624 Méthode d'inspection visuelle pour la qualité de surface d'une plaquette de GaAs polie
GB/T 8760 Méthode de mesure de la densité de dislocation d'un monocristal de GaAs
GB/T 13387 Méthode de mesure de la longueur de surface de référence de GaAs et d'autres plaquettes de matériel électronique
GB/T 13388 Méthode d'essai aux rayons X pour l'orientation cristallographique du plan de référence de la plaquette de GaAs
GB/T 14140 Méthode de mesure du diamètre des plaquettes GaAs
GB/T 14264 Terminologie des matériaux semi-conducteurs
GB/T 14844 Méthode de désignation des matériaux semi-conducteurs
SEMI M9.7-0200 Spécification de la plaquette polie ronde monocristalline en arséniure de gallium de 150 mm de diamètre (encoche)

 

4. Inspection du substrat à l'arséniure de gallium à LED

4.1 Qualité des surfaces

Il n'y a pas de rayures, de bords ébréchés, de peau d'orange et de fissures à moins de 2 mm du bord de la surface du substrat GaAs. Pas de taches, résidus de solvants, résidus de cire sur toute la surface ou comme stipulé dans le contrat

4.2 Inspection des propriétés électriques du substrat LED GaAs
  • Résistivité : La détection de la résistivité du substrat en arséniure de gallium est effectuée selon la méthode de mesure spécifiée dans GB/T 4326 ;
  • Mobilité : La mobilité du substrat GaAs est testée selon la méthode de mesure spécifiée dans GB/T 4326 ;
  • Concentration en porteurs : La concentration en porteurs du substrat GaAs est testée selon la méthode de mesure spécifiée dans GB/T 4326.
4.3 Conditions de contrôle

Sauf indication contraire, l'inspection du substrat GaAs pour les puces épitaxiées LED doit être effectuée dans les conditions suivantes :

Température : 23℃±5℃ ;

Humidité relative : 20 % ~ 70 % ;

Pression atmosphérique : 86 kPa ~ 106 kPa ;

Propreté : Classe 10000.

Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail à victorchan@powerwaywafer.com et powerwaymaterial@gmail.com.

2021-06-17

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